技术特征：
技术总结
一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green gap)问题。
技术研发人员：赵桂娟;汪连山;李辉杰;孟钰淋;吉泽生;李方政;魏鸿源;杨少延;王占国
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2017.06.08
技术公布日：2017.09.15