技术特征：
技术总结
本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。该制作方法工艺简单，且由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件单向导电性，具有明显的二极管效应，整流效果良好。
技术研发人员：汤卉;唐新桂;刘秋香;蒋艳平;张天富
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2017.07.20
技术公布日：2017.11.10