技术特征：
技术总结
本发明属于半导体技术领域，提供一种低温度漂移的霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括层叠设置的衬底层1、半导体功能层2和电极层3；半导体功能层2为N型掺杂的InxGa1‑xAs1‑2xP2x层，其中，x的值大于0且不大于0.5。半导体功能层为InxGa1‑xAs1‑2xP2x四元合金，温度稳定性高，使得霍尔元件的输出电压温度系数性能有了大幅改善，在霍尔元件应用电路中，不再需要配备温度补偿电路，简化霍尔元件的应用，提高整机的可靠性。
技术研发人员：胡双元;朱忻;黄勇;颜建;吴文俊;和田修
受保护的技术使用者：苏州矩阵光电有限公司
技术研发日：2017.07.28
技术公布日：2017.12.08