一种LED封装支架的加工方法及LED光源结构与流程

本发明涉及led照明领域，尤其涉及一种led封装支架的加工方法及led光源结构。
背景技术：
：铝材料有很好的导热性，良好的延展性和强度，是常用的铝基线路板基材。陶瓷有极佳的绝缘性和良导热性，是高耐压线路板基材的理想材料。但是强度低，硬度高，容易破碎。原有的铝基线路板，其绝缘层是由环氧树脂和陶瓷粉末混合后涂覆上去的，这种绝缘层导热系数较低，耐高压绝缘性能不理想。因此，当led芯片灯珠封装在铝基线路板上，采用高压电源驱动时，容易出现爬电和绝缘击穿损坏。因此，上述技术问题需要解决。技术实现要素：为了克服现有技术的不足，本发明提出一种led封装支架的加工方法及led光源结构，led封装支架的加工方法加工生成的led封装支架结合了较佳的绝缘耐压性能和优良的导热性能，有效的防止了爬电和绝缘击穿现象。为了解决上述的技术问题，本发明提出的基本技术方案为：一方面，本发明提供一种led封装支架的加工方法，包括以下步骤：s1，在铝基板一面经冲压形成若干排列整齐的沉孔；s2，在所述铝基板带有沉孔的一面上均匀地铺撒陶瓷粉末；s3，加热所述陶瓷粉末，在所述铝基板带有沉孔的一面形成陶瓷绝缘层；s4，在所述陶瓷绝缘层上生成覆铜线路板，形成led封装支架。其中，所述陶瓷粉末为纳米陶瓷粉末。在所述步骤s2之后，还包括：对所述铝基板上的陶瓷粉末做平整处理，具体为通过高频振动使所述铝基板上的陶瓷粉末平整。其中，所述步骤s3具体为：使用等离子加热技术加热所述陶瓷粉末，在所述铝基板带有沉孔的一面形成陶瓷绝缘层。其中，所述步骤s4具体为：在所述陶瓷绝缘层上采用溅射加工工艺生成覆铜线路板，形成led封装支架。其中，所述沉孔为正多边形或圆形。其中，若干所述沉孔呈蜂窝状或横竖排列。另一方面，本发明提供一种led光源结构，包括通过本发明提供的led封装支架的加工方法加工而成的led封装支架。该led光源结构，从下至上依次包括铝基板、陶瓷绝缘层、覆铜线路板和led芯片，其中，所述led芯片封装焊接在所述覆铜线路板上。其中，所述铝基板上设置有用于增强与所述陶瓷绝缘层的结合强度的沉孔；所述陶瓷绝缘层为纳米陶瓷绝缘层。本发明的有益效果是：本发明提供了一种led封装支架的加工方法及led光源结构，该方法包括以下步骤：s1，在铝基板一面经冲压形成若干排列整齐的沉孔；s2，在所述铝基板带有沉孔的一面上均匀地铺撒陶瓷粉末；s3，加热所述陶瓷粉末，在所述铝基板带有沉孔的一面形成陶瓷绝缘层；s4，在所述陶瓷绝缘层上生成覆铜线路板，形成led封装支架。本发明将铝材料和陶瓷这两种材料结合在一起，既有强度又有良好的绝缘性、导热性；用陶瓷绝缘层来替代现有铝基板上的有机复合材料绝缘层，以便用这种铝基陶瓷线路板封装加工绝缘性能可靠的led光源模组；通过本方法加工而成的led封装支架既有极佳的绝缘耐压性能又有优良的导热性能，能够有效地防止在高电压驱动工作条件下，因为电子元器件紧密靠近出现爬电损坏或者绝缘层出现高压击穿现象，特别是在线路工作频率高的情况下；用这种复合两种材料的线路板生产加工高压线性led光源组件，耐压性能可以得到保证。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例一提供的一种led封装支架的加工方法的方法流程图。图2为本发明实施例二提供的一种led封装支架的加工方法的方法流程图。图3为本发明实施例中led封装支架的立体分解结构示意图。图4为本发明实施例中led封装支架的结构示意图。图5为本发明实施例三中基于铝基纳米陶瓷线路板的led光源板结构的电路示意图。附图标号说明：标号名称标号名称1铝基板2沉孔3陶瓷绝缘层4led灯珠具体实施方式下面将结合附图1-5对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。实施例一参考图1，本实施例提供一种led封装支架的加工方法，包括以下步骤：s101，在铝基板1一面经冲压形成若干排列整齐的沉孔2。若干所述沉孔2呈蜂窝状排列，或呈方形排列。沉孔2的形状为圆形或多边形。s102，在所述铝基板1带有沉孔2的一面上均匀地铺撒陶瓷粉末。s103，加热所述陶瓷粉末，在所述铝基板1带有沉孔2的一面形成陶瓷绝缘层3。s104，在所述陶瓷绝缘层3上生成覆铜线路板，形成led封装支架。通过本实施例中的加工方法加工而成的led封装支架将铝材料和陶瓷这两种材料结合在一起，既有强度又有良好的绝缘性、导热性；用陶瓷绝缘层3来替代现有铝基板上的有机复合材料绝缘层，以便用这种铝基陶瓷线路板封装加工绝缘性能可靠的led光源模组；通过本方法加工而成的led封装支架既有极佳的绝缘耐压性能又有优良的导热性能，能够有效地防止在高电压驱动工作条件下，因为电子元器件紧密靠近出现爬电损坏或者绝缘层出现高压击穿现象，特别是在线路工作频率高的情况下；用这种复合两种材料的线路板生产加工高压线性led光源组件，耐压性能可以得到保证。实施例二参考图2，本实施例提供一种led封装支架的加工方法，包括以下步骤：s201，在铝基板1一面经冲压形成若干排列整齐的沉孔2。s202，在所述铝基板1带有沉孔2的一面上均匀地铺撒陶瓷粉末。s203，对所述铝基板1上的陶瓷粉末做平整处理。具体的，通过高频振动使所述铝基板1上的陶瓷粉末平整。s204，使用等离子加热技术加热所述陶瓷粉末，在所述铝基板1带有沉孔2的一面形成陶瓷绝缘层3。其中，等离子加热，指利用工作气体电离形成等离子体的高温和等离子体中自由电子与正离子复合时释放的能量进行的电加热。s205，在所述陶瓷绝缘层3上采用溅射加工工艺生成覆铜线路板，形成led封装支架。本实施例中，所述陶瓷粉末为纳米陶瓷粉末。纳米陶瓷烧结温度比其相同材质的工业陶瓷烧结温度降低400-600℃，高于500℃就能很快致密化，且无需借助任何添加剂；纳米陶瓷还有助于改善提升其原有同类非纳米陶瓷材料的性能，例如强度。本实施例中，所述沉孔2为正多边形或圆形；若干所述沉孔2呈蜂窝状或横竖排列。在铝基板1上做出的沉孔2有助于加强铝基板1与陶瓷绝缘层3的结合强度，同时还有助于led光源热量的迅速传导散发。通过本实施例中的加工方法加工而成的led封装支架将铝材料和陶瓷这两种材料结合在一起，既有强度又有良好的绝缘性、导热性；用陶瓷绝缘层3来替代现有铝基板上的有机复合材料绝缘层，以便用这种铝基陶瓷线路板封装加工绝缘性能可靠的led光源模组；通过本方法加工而成的led封装支架既有极佳的绝缘耐压性能又有优良的导热性能，能够有效地防止在高电压驱动工作条件下，因为电子元器件紧密靠近出现爬电损坏或者绝缘层出现高压击穿现象，特别是在线路工作频率高的情况下；用这种复合两种材料的线路板生产加工高压线性led光源组件，耐压性能可以得到保证。实施例三参考图3-图5本实施例提供一种led光源结构，包括通过本发明提供的led封装支架的加工方法加工而成的led封装支架。本实施例中，该led光源结构，从下至上依次包括铝基板1、陶瓷绝缘层3、覆铜线路板和led芯片，其中，所述led芯片封装焊接在所述覆铜线路板上。本实施例中，所述陶瓷绝缘层3为纳米陶瓷绝缘层。纳米陶瓷烧结温度比其相同材质的工业陶瓷烧结温度降低400-600℃，高于500℃就能很快致密化，且无需借助任何添加剂。纳米陶瓷还有助于改善提升其原有同类非纳米陶瓷材料的性能，例如强度。优选的，在铝基纳米陶瓷绝缘层的覆铜线路板上封装焊接led灯珠4，形成基于铝基纳米陶瓷线路板的led光源板结构，该led光源板结构具有良好的绝缘耐压性能和导热性能。本实施例中，所述铝基板1上设置有用于增强与所述陶瓷绝缘层3的结合强度的沉孔2。在铝基板1上做出的沉孔2有助于加强铝基板1与陶瓷绝缘层3的结合强度，同时还有助于led光源热量的迅速传导散发。本实施例中，利用铝质材料的良好导热性、机械强度、经济性和陶瓷材料优良的绝缘耐压与导热性，将这两种材料复合为一体，成为led封装支架，用来封装加工绝缘性能优良的led光源模组。根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。当前第1页12