技术特征：
技术总结
本申请公开了一种LED芯片的制作方法，涉及LED制作技术领域，该方法依次包括：制作包含GaN基的LED外延片、沉积透明导电层、对透明导电层进行退火处理、制作发光区台面、去除P型GaN层边缘区域的透明导电层、沉积钝化层、制作P型电极、P型焊盘、N型电极和N型焊盘并形成LED芯片组合、切割形成单独的LED芯片。如此方案，在完成透明导电层的沉积后，立即将透明导电层进行退火处理，这样制备出的透明导电层的穿透率高，可有效提升LED芯片的亮度。
技术研发人员：袁章洁;胡卫;李康
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
技术研发日：2017.10.18
技术公布日：2018.02.23