一种微显示器件修补方法及微显示器件与流程

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种微显示器件修补方法及微显示器件。

背景技术：

microled技术，即led微缩化和矩阵化技术，是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的led阵列，如led显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外led显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。microled优点表现的很明显，它继承了无机led的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具有自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。

对于应用microled技术的微显示器件，在制造过程中，由于microled是以tft背板驱动，因此，需要将led颗粒从衬底键合到tft背板上，键合后再将衬底剥离，在剥离衬底时部分led颗粒可能会被衬底带走，导致tft背板上的led矩阵存在缺陷。

目前，一种解决方案是以增大键合强度的方式改进工艺，但这不能彻底解决剥离衬底后会带走部分led颗粒的问题。另一种解决方案是用静电拾取头进行后续单个修补，但效果不理想，修补效率低且成本较大。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种微显示器件修补方法，以解决现有技术在进行微显示器件制造时，修补效率低且修补成本大的问题。

为解决现有技术中的技术问题，本发明实施例提供一种微显示器件修补方法，包括：

在剥离衬底后的tft背板上覆盖倒模层并压实，以在所述倒模层上形成与所述tft背板上缺失led颗粒对应的若干个凹陷结构；

将带有所述若干个凹陷结构的所述倒模层从所述tft背板上剥离下来并倒置于所述衬底上；

去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构，以使所述若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露；

在裸露的所述衬底位置上生长led颗粒，以获得修补用衬底结构；

去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层，并将所述修补用衬底结构与所述tft背板重新键合，以获得修补后的tft背板。

可选地，所述在剥离衬底后的tft背板上覆盖倒模层，包括：

在剥离衬底后的tft背板上均匀覆盖对led颗粒没有粘性的倒模层材料；

当所述倒模层材料的覆盖厚度达到预设厚度时，对所述倒模层材料进行固化处理，以形成所述倒模层；

其中，所述倒模层在所述tft背板上缺失led颗粒的位置形成凹陷结构。

可选地，所述预设厚度等于led颗粒的厚度。

可选地，所述在所述剥离衬底后的tft背板上均匀覆盖倒模层材料，包括：

在所述剥离衬底后的tft背板上均匀喷涂所述倒模层材料。

可选地，所述倒模层材料为可塑性材料。

可选地，所述对所述倒模层材料进行固化处理，包括采用以下任一种固化处理方式：

将所述倒模层置于包含有固化剂的气体环境中进行固化处理；

将所述倒模层至于紫外光环境下进行固化处理；

对所述倒模层进行加热以进行固化处理。

可选地，所述去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构，以使若干个所述凹陷结构对应的衬底位置裸露，包括：

将所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构刻蚀掉，以使若干个所述凹陷结构对应的衬底位置裸露。

可选地，所述在裸露的所述衬底位置上生长led颗粒，以获得修补用衬底结构，包括：

将去除所述凸起结构的倒模层以及裸露的所述衬底位置对应的区域设置为喷涂区域；

在所述喷涂区域内均匀喷涂led生长材料；

当达到led的预设生长时间时，去除未生长的led生长材料，以获得修补用衬底结构。

可选地，所述去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层，包括：

根据所述倒模层的材质和led颗粒的材质确定激光参数；

根据所述激光参数，采用激光清洗掉所述修补用衬底结构上的所述倒模层。

本发明实施例还提供一种采用上述修补方法获得的微显示器件。

在本发明实施例中，根据剥离衬底后的tft背板的表面结构制备倒模层，通过倒模层上形成的凹陷结构可反映出tft背板上缺失的led颗粒的位置及数量，之后将倒模层倒置于清理掉残留led颗粒的衬底上，并对倒模层上的凹陷结构倒置形成凸起结构进行去除，以使tft背板上缺失led颗粒所对应的衬板位置裸露出来，进而可在裸露出来的衬板位置上重新生长用于修补的led颗粒，最后将去除残余倒模层的衬板重新键合至tft背板，重新生长的用于修补的led颗粒将被键合到tft背板上，完成微显示器件的修补。本发明实施例在进行microled大面积应用时，仅需使用一个衬底即可实现缺失位置的识别以及精准修补，修补效率高且大大节省了制造成本。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1a为衬底和tft背板的键合状态示意图；

图1b为衬底和tft背板的剥离状态示意图；

图2为倒模层覆盖在tft背板上的状态示意图；

图3为根据图2状态所获得的倒模层的结构示意图；

图4为倒模层倒置于衬底上的状态示意图；

图5为去除凸起结构后的倒模层结构示意图；

图6为修补用衬底结构示意图；

图7为去除倒模层的修补用衬底结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种微显示器件修补方法的流程示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种微显示器件修补方法的流程示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种微显示器件修补方法的流程示意图。

其中，1-衬底，2-tft背板，3-倒模层，4-led颗粒。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

针对现有microled应用中存在制造成本和修补成本高的问题，本发明实施例提供一种解决方案，主要原理是：根据剥离衬底后的tft背板的表面结构制备倒模层，通过倒模层上形成的凹陷结构可反映出tft背板上缺失的led颗粒的位置及数量，之后通过倒模层确定出缺失的led颗粒在衬底上对应的位置并重新生长用于修补的led颗粒，最后将重新生长的用于修补的led颗粒重新键合到tft背板上，完成微显示器件的修补。本发明实施例在进行microled大面积应用时，仅需使用一个衬底即可实现缺失位置的识别以及精准修补，修补效率高且大大节省了制造成本。

以下结合附图，详细说明本发明各实施例提供的技术方案。

图8为本发明一实施例提供的微显示器件修补方法的流程示意图。如图1所示，所述方法包括：

100、在剥离衬底后的tft背板上覆盖倒模层并压实，以在所述倒模层上形成与所述tft背板上缺失led颗粒对应的若干个凹陷结构；

101、将带有所述若干个凹陷结构的所述倒模层从所述tft背板上剥离下来并倒置于所述衬底上；

102、去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构，以使所述若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露；

103、在裸露的所述衬底位置上生长led颗粒，以获得修补用衬底结构；

104、去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层，并将所述修补用衬底结构与所述tft背板重新键合，以获得修补后的tft背板。

在本实施例中，tft背板上包含led颗粒矩阵层，其中，led颗粒矩阵层可按照图1所示的方式键合到tft背板上。首先，如图1a所示，在衬底1上生长led颗粒4矩阵层；之后对准键合衬底1和tft背板2，以将led颗粒4矩阵层键合到tft背板2上；键合后，将衬底1剥离，但是在键合强度不足的位置，led颗粒依然残留在衬底1上，如图1b所示，这部分led颗粒4在剥离衬底1时会被衬底1带走，这就造成了tft背板2上led颗粒4的缺失。生长有led颗粒矩阵层的衬底1对准键合到tft背板2上时，可通过定位标记进行对准，以保证键合位置的准确性。例如，可在衬底1和tft背板2上设置相互配合的定位件来实现定位。

如图2所示，在剥离衬底1后的tft背板2上覆盖倒模层3，具体来说，是在tft背板2上的led颗粒矩阵层上覆盖倒模层4，并将倒模层4压实，以使倒模层4准确反映出tft背板2上缺失的led颗粒4的位置和数量。根据步骤100可获如图3所示的倒模层3，图3中，倒模层3中部凹陷的位置即对应图2中缺失的led颗粒4的位置。

本实施例中，在衬底1从tft背板2上剥离后，将清空衬底1上残留的led颗粒4，以备步骤101中再次使用。在步骤101中，将从tft背板2上剥离下来的倒模层3倒置于清空的衬底1上，倒模层3和衬底1的定位方式可采用与上文中衬底1和tft背板2之间的定位方式，在此不再赘述，需要说明的是，本实施例中提供的定位方式仅是示例性的，本发明还可采用其它的定位方式，例如将衬底1和倒模层3均设置为与tft背板2相同形状及大小的结构，基于形状及大小进行定位等等，本发明的保护范围并不限于此。

如图4所示，倒置后的倒模层3的凹陷结构形成凸起结构，此处的倒模层3与衬底1之间形成中空腔。本实施例中，在步骤102中，将倒模层1上的若干个凸起结构去除，以使若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露，裸露的衬底位置即对应于tft背板2上缺失的led颗粒4的位置，步骤102可获得如图5所示的具有裸露位置的衬板1。

本实施例中，在步骤103中，如图6所示，在裸露的衬底位置上再生led颗粒4，并将衬板1上残留的倒模层3去除，从而获得如图7所示的修补用衬底结构，修补用衬底结构上包含有若干个修补用led颗粒4(图7中仅示出一个修补用led颗粒，但并不限于此)，修补用led颗粒4的位置与tft背板2上led颗粒4的缺失位置相对应，据此，将修补用衬底结构与所述tft背板2重新键合，即可获得修补后的tft背板2。

在本发明实施例中，根据剥离衬底1后的tft背板2的表面结构制备倒模层3，通过倒模层3上形成的凹陷结构可反映出tft背板2上缺失的led颗粒4的位置及数量，之后将倒模层3倒置于清理掉残留led颗粒4的衬底1上，并对倒模层3上的凹陷结构倒置形成凸起结构进行去除，以使tft背板2上缺失led颗粒4所对应的衬板位置裸露出来，进而可在裸露出来的衬板位置上重新生长用于修补的led颗粒4，最后将去除残余倒模层3的衬板重新键合至tft背板2，重新生长的用于修补的led颗粒4将被键合到tft背板2上，完成微显示器件的修补。本发明实施例在进行microled大面积应用时，仅需使用一个衬底即可实现缺失位置的识别以及精准修补，修补效率高且大大节省了制造成本。

在上述或下述实施例中，为了保证倒模层3的压实处理可将倒模层3压实至与led颗粒矩阵层完全贴合，以及在缺失的led颗粒4的位置处与tft背板2完全贴合，可在倒模层3上施加预定大小的点压力，点压力的压力点直径可小于led颗粒4的直径，点压力的大小至少可将倒模层3下压led颗粒4的厚度对应的距离。例如，可采用气嘴对倒模层3进行吹气的方式或者采用压力件对倒模层3进行点压的方式等等。当然，还可利用倒模层3自身的重力，使倒模层3在缺失的led颗粒4的位置下沉以形成倒模层3上的若干个凹陷结构，本发明的保护范围并不限于此。

在上述或下述实施例中，在步骤102中，可将所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构刻蚀掉，以使若干个所述凹陷结构对应的衬底位置裸露。例如，可以凸起结构上背离衬底的面作为起始面，以与所述起始面平行的方向作为刻蚀方向，对所述倒模层3进行刻蚀，直至所述凹陷结构对应的衬底位置裸露。刻蚀方式可采用光刻蚀、射线刻蚀、电子束刻蚀或离子束刻蚀等等。

图9为本发明另一实施例提供的一种微显示器件的修补方法的流程示意图。如图9所示，所述方法包括：

200、在剥离衬底后的tft背板2上均匀覆盖对led颗粒4没有粘性的倒模层材料；

201、当所述倒模层材料的覆盖厚度达到预设厚度时，对所述倒模层材料进行固化处理，以形成所述倒模层3，其中，形成的所述倒模层3在所述tft背板2上缺失led颗粒4的位置形成凹陷结构。

202、将带有所述若干个凹陷结构的所述倒模层3从所述tft背板2上剥离下来并倒置于所述衬底1上；

203、去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构，以使所述若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露；

204、在裸露的所述衬底位置上生长led颗粒4，以获得修补用衬底结构；

205、去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层3，并将所述修补用衬底结构与所述tft背板2重新键合，以获得修补后的tft背板2。

关于步骤202～205的描述可参见前述实施例，在此不再赘述。

本实施例中，为了方便倒模层3的倒模使用，采用对led颗粒4没有粘性的材料作为倒模层材料。当倒模层3制备完成后，不会与tft背板2上现有的led颗粒4产生粘连，从而可避免倒模过程对tft背板2上的led颗粒4造成影响。

本实施例中，为了保证倒模层3的倒模精度，倒模层材料均匀覆盖至tft背板2上，形成厚度均匀且表面平整的倒模层3，以便在步骤202中将倒模层3倒置于衬底1上时，倒模层3与衬底1表面可紧密贴合，从而保证倒模层3与衬底1的精准定位，进而保证根据倒模层3确定的用于生长led颗粒4的位置能够精准对应tft背板2上缺失led颗粒4的位置。

随着倒模材料的持续加入，倒模材料将在tft背板2上产生覆盖厚度，因此，可设定一预设厚度，当倒模材料的覆盖厚度达到预设厚度时，停止倒膜材料的加入，之后对倒模材料进行上述实施例中描述的压实处理，并对倒模材料进行固化处理，最终获得符合要求的倒模层3。该预设厚度可根据实际需要进行设定，为了减少步骤203中去除倒模层3上的凸起结构所耗费的成本，可将预设厚度设定为等于led颗粒4的厚度，这样，倒模层3中的凸起结构的厚度最薄，去除凸起结构所耗费的时间和资源将最少。当然，本发明实施例中预设厚度还可以设定为其它值，只需对应调整步骤203中去除凸起结构的厚度即可。

本实施例中，为了获得均匀厚度且表面平整的倒模层3，在剥离衬底1后的tft背板2上均匀覆盖倒模层材料，可采用喷涂的方式。本发明实施例也可采用其它覆盖方式，例如涂覆等。在进行喷涂时可在tft背板2上选定喷涂起点，并根据需要喷涂的位置设定喷涂区域，之后可从喷涂起点开始，逐步延展喷涂位置，最终完成整个喷涂区域的喷涂。喷涂方式可按层喷涂，也即是在整个喷涂区域完成一层喷涂后重新从喷涂起点开始执行下一层喷涂，直至达到预设厚度；也可采用按区块喷涂，即在喷涂区域中按照若干个喷涂区块进行喷涂，在当前喷涂区块达到预设厚度后再执行下一喷涂区块的喷涂，当然这些喷涂方式也仅是示例性的，本发明并不限于此。

本实施例中，对所述倒模层材料进行固化处理，可采用以下任一种固化处理方式：

将所述倒模层3置于包含有固化剂的气体环境中进行固化处理；

将所述倒模层3至于紫外光环境下进行固化处理；

对所述倒模层3进行加热以进行固化处理。

进一步可选地，在上述或下述实施例中，为了获得符合要求的倒模层3，倒模层3可采用可塑性材料，例如环氧树脂软胶。在步骤100中，可对倒模层3进行塑形，以使倒模层3与tft背板2贴合，完整复刻tft背板2的表面结构。

据此，倒模层3制备过程中，还可首先制备一预定厚度的倒模预备层；然后，将倒模预备层覆盖在剥离衬底1后的tft背板2上；之后，将倒模预备层压实至与剥离衬底1后的tft背板2紧密贴合，以使倒模预备层在缺失led颗粒4的位置形成凹陷结构，从而获得倒模层3。这种倒模层3的制备方式充分利用了倒模材料的可塑性，可提前制备倒模预备层，节省倒模层3的制备时间。

在上述或下述实施例中，可将修补用衬底结构上的倒模层3刻蚀掉，去除修补用衬底结构上的倒模层3并保留修补用衬底结构上的led颗粒4。例如，可根据所述倒模层3的材质和led颗粒4的材质确定激光参数；根据所述激光参数，采用激光清洗掉所述修补用衬底结构上的所述倒模层3。当然，本发明实施例还可采用其它刻蚀方法，例如将修补用衬底结构至于刻蚀溶液或者刻蚀气体环境中进行刻蚀，本发明对此不作限定。

图10为本发明又一实施例提供的又一种微显示器件的修补方法。如图10所示，所述方法包括：

300、在剥离衬底后的tft背板2上覆盖倒模层3并压实，以在所述倒模层3上形成与所述tft背板2上缺失led颗粒4对应的若干个凹陷结构；

301、将带有所述若干个凹陷结构的所述倒模层3从所述tft背板2上剥离下来并倒置于所述衬底1上；

302、去除所述若干个凹陷结构倒置形成的凸起结构，以使所述若干个凹陷结构对应的衬底位置裸露；

303、将去除所述凸起结构的倒模层3以及裸露的所述衬底位置对应的区域设置为喷涂区域；

304、在所述喷涂区域内均匀喷涂led生长材料；

305、当达到led的预设生长时间时，去除未生长的led生长材料，以获得修补用衬底结构；

306、去除所述修补用衬底结构上的所述倒模层3，并将所述修补用衬底结构与所述tft背板2重新键合，以获得修补后的tft背板2。

关于步骤300-302、306的描述可参见前述实施例，在此不再赘述。

在去除倒模层3上的若干凸起结构后，衬底上对应于凸起结构的位置将裸露出来，基于此，本实施例中，在去除凸起结构的倒模层3上以及衬底上的裸露位置进行led生长材料的喷涂，由于led生长材料只有在衬底1上才能实现生长，因此，覆盖有倒模层3的区域无法生长led颗粒4，据此，当达到led的预设生长时间时，去除倒模层3上的未生长的led生长材料，即可保留生长在衬底1上的led颗粒4，从而可获得修补用衬底结构以供后续步骤使用。

本发明实施例还提供一种微显示器件，所述微显示器件包括tft背板，tftf背板上面形成有led颗粒矩阵层，所述的微显示器件采用上述修补方法获得，具体的修补方法可参见上述实施例的描述，在此不再赘述。

可选地，led颗粒与背板之间具有凸点bump。

本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(cpu)、输入/输出接口、网络接口和内存。

内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flashram)。内存是计算机可读介质的示例。

计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(cd-rom)、数字多功能光盘(dvd)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitorymedia)，如调制的数据信号和载波。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。