本公开属于电子技术领域，特别涉及一种ic封装工艺。
背景技术
方形扁平无引脚封装（quadflatno-leadpackage，qfn）技术是一种重要的集成电路封装工艺，具有表面贴装式封装，焊盘尺寸小、体积小、占有pcb区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感，可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到pcb的散热焊盘上，使得qfn具有极佳的电和热性能。但缺点在于qfn中部向四周连续布线，线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极，增加i/0数会带来的生产成本和可靠性问题，限制了芯片和pcb板的设计自由度。相比较而言球栅阵列芯片封装技术（ballgridarray.bga）可增加i/o数和间距，在设计上较qfn更为灵活，但工艺检修困难，对pcb板工艺要求更高，不适用于可靠性要求高的器件的封装及产业效率的提高。
受蚀刻能力的限制，ledemc支架与倒装基板的生产精度和密度都会有所限制。而led被要求高度集成，低的光成本及高可靠性，emc支架及倒装csp基板的加工能力受到较大的挑战。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本公开提出了一种ic封装工艺，所述工艺包括以下步骤：
s1、利用胶将电极粘附在透光基片上以构成ic封装载板；
s2、对所述ic封装载板进行ic封装形成封装体；
s3、降低所述胶的粘性，以使得所述透光基片与所述封装体分离；
s4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装，完成ic封装制程。
本公开具有以下有益效果：
1、可以使载板与ic封装体较容易地分离，同时不会由于使用传统技术中的蚀刻工艺而造成金属的损失。从整体上降低蚀刻的药剂成本、贵金属损失成本以及对于蚀刻废弃物处理的成本。
2、本公开优化了封装工艺，产品封装后,透光基片与封装后的集成电路易于剥离，有利于节约成本和绿色生产，不需在封装厂和基板厂两者间反复的工件流转，从而缩短加工周期，工序间的控制更加顺畅。
3、产品可在封装后再剥离，固晶不需特殊治具，极大提高了工作效率和良品率。
附图说明
图1为本公开的一个实施例中ic分切后的封装载板截面图；
图2为本公开的一个实施例中蚀刻后的封装载板截面图；
图3为本公开的一个实施例中打线封装后的封装载板截面图；
图4为本公开的一个实施例中紫外光照射示意图；
图5为本公开的另一个实施例中ic分切后的封装载板截面图；
图6为本公开的另一个实施例中蚀刻后的封装载板截面图；
图7为本公开的另一个实施例中打线封装后的封装载板截面图；
图8为本公开的另一个实施例中紫外光照射示意图；
图9为本公开的另一个实施例中光电封装的示意图；
其中：1-芯片，2-封装树脂，3-键合线，4-ic底座，5-i型电极，5’-t型电极，6-光敏胶，7-透光基片，8-防止光照射保护层。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本公开进行具体的说明：
在一个实施例中，本公开提出了一种ic封装工艺，所述工艺包括以下步骤：
s1、利用胶将电极粘附在透光基片以构成ic封装载板；
s2、对所述ic封装载板进行ic封装形成封装体；
s3、降低所述胶的粘性，以使得所述透光基片与所述封装体分离；
s4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装，完成ic封装制程。
通过上述过程，可以使载板与ic封装体分离，同时不会由于使用传统技术中的蚀刻工艺而造成金属的损失。整体上，降低了蚀刻的药剂成本、贵金属损失成本以及对于蚀刻废弃物处理的成本。能够理解，透光基片用以构成ic封装载板时，需要满足封装载板所要求的支撑强度和尺寸稳定性。
在另一个实施例中，所述透光基片具备透光能力并能够耐受封装过程中的温度。能够理解，所述透光能力可以用于降低所述胶的粘性；至于耐受封装过程中的温度，则是不言自明的。
在另一个实施例中，所述胶包括如下任一或者其混合：双面胶、光敏胶。就该实施例而言，其对胶的选型作出了较佳的示例。
在另一个实施例中，所述电极包括通过图形转移、或电镀、或蚀刻所形成的电极。能够理解，本实施例意在示例所述电极的形成方式。
在另一个实施例中，所述电极包括i型或t型结构的电极。下文将会示例这两种结构的电极。此实施例用于对电极结构进行选型。
在另一个实施例中，步骤s3中降低所述胶的粘性，包括通过加热的方式或者通过光照的方式以降低粘性。显然，本实施例提供了一种便捷的分离基片的方式。
在另一个实施例中，所述胶为紫外光照后容易剥离的光敏胶。如此，可以利用紫外光照射来分离基片。
在另一个实施例中，所述电极包括铜箔，且铜箔的一面或者两面镀有金、钯、银、锡、镍中任一或任意组合。就该实施例而言，其限定了电极的一种具体实施方式。
在另一个实施例中，步骤s2中所述的ic封装为能够把一种或一种以上的ic实现并联或串联的电连接封装结构。能够理解，本实施例能够用于不同的电连接封装结构。
在另一个实施例中，步骤s2中所述ic封装的ic包括两个或两个以上电极的发光芯片或集成电路芯片。
在另一个实施例中，参照图1至图4：
如图1所示，其展示了本实施例中的ic封装（sim卡）工作状态示意图，所述工艺包括(见图2至图4)：
s1、在铜箔两面印刷感光油墨（线路油），烘烤后曝光，显影，再次烘烤，镀镍。铜箔一面整面镀金，一面用掩膜版镀金，刻蚀镍金，退膜。将铜箔电极用双面胶（或光敏胶）和耐高温透光基片压合在一起，并采取措施防止光敏胶曝光。然后再次刻蚀得到ic封装载板（如图2所示）。
s2、产品交付ic厂商封装ic形成封装体（如图3所示）。
s3、用光（或紫外光）对透光基片照射，然后将透光基片以及双面胶（或光敏胶）和封装好的ic剥离（如图4所示）。
s4、进行ic分切，经过包装后完成ic封装制作（如图1所示）。
通过上述过程，可以使载板与ic封装体分离，同时不会由于使用传统技术中的蚀刻工艺而造成金属的损失。从整体上降低蚀刻的药剂成本、贵金属损失成本以及对于蚀刻废弃物处理的成本。
在另一个实施例中：
如图5所示，其展示了本实施例中的ic封装（灯丝）工作状态示意图，所述工艺包括(见图6至图8)：
s1、在铜箔一面印刷感光油墨（线路油），烘烤后曝光，显影，再次烘烤，镀镍；镀金、银等，刻蚀镍金，退膜。将铜箔电极用双面胶（或光敏胶）和耐高温透光基片压合在一起，并采取措施防止光敏胶曝光。再次刻蚀得到ic封装载板（如图6所示）。
s2、产品交付ic厂商封装ic形成封装体（如图7所示）。
s3、用光（或紫外光）对透光基片照射，然后将透光基片以及双面胶（或光敏胶）和封装好的ic剥离（如图8所示）。
s4、进行ic分切，经过包装后完成ic封装制作（如图5所示）。
通过上述过程，可以使载板与ic封装体分离，同时不会由于使用传统技术中的蚀刻工艺而造成金属的损失。从整体上降低蚀刻的药剂成本、贵金属损失成本以及对于蚀刻废弃物处理的成本。本实施例为t型电极与前一个实施例i型电极有所区别。
在另一个实施例中，如图9所示，当用于光电封装时，当所述工艺用于光电封装时，外接电极和近临的芯片电极的引线按曲线设计。例如曲线采用图9所示的回型引线方式，这是为了有利于热传递的阻隔。
本公开能够使得ic封装后的载板与ic封装体分离，优化了封装工艺，有利于节约成本和绿色生产。本公开可应用在ic行业、led行业，包括：emc支架、csp基板、灯丝灯及软灯条板的制造和封装。
以上所述仅为本公开的优选实施例，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。