本发明涉及半导体制造工艺，更具体地涉及用于远程等离子体处理的室调节。
背景技术：
用各种材料填充接触孔、沟槽线和其他特征是半导体制造工艺的不可分割的一部分。例如，为了形成水平互连、相邻金属层之间的通孔、第一金属层和器件之间的接触，可以使用化学气相沉积(cvd)技术来沉积诸如钨之类的金属。在传统的沉积工艺中，在沉积室中将衬底加热到预定的工艺温度，并沉积用作晶种或成核层的含钨材料的薄层。之后，剩余的含钨材料(体层)沉积在成核层上。常规地，通过用氢气(h2)还原六氟化钨(wf6)来形成含钨材料。含钨材料被沉积在衬底的包括特征和场区域的整个暴露表面区域上。
将材料沉积到成小的且高深宽比的特征中可能导致在填充的特征内部形成空隙和接缝。大的接缝可能导致高电阻、污染、填充材料的损失，并且另外降低集成电路的性能。例如，接缝可以在填充过程之后接近场区域延伸，然后在化学机械平面化过程中打开。同样，空隙可能会导致集成和性能方面的问题。
技术实现要素：
本公开的一个方面涉及一种在远程等离子体处理室上执行调节处理的方法，所述调节处理包括：将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体；将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室，其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头，并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间，并且其中在所述调节处理期间，所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底；在执行所述调节处理之后，将制造衬底引入所述远程等离子体处理室；并将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。在一些实施方式中，所述制造衬底包括待填充的一个或多个特征。
在一些实施方式中，由n2气体产生所述远程产生的基于氮的等离子体。在一些实施方式中，所述远程产生的基于氮的等离子体由含氮化合物产生，并且调节处理进一步包括将含氮化合物引入等离子体发生器以产生不含氟化物的基于氮的调节等离子体，以及将所述不含氟化物的基于氮的调节等离子体引入到所述远程等离子体处理室。
在一些实施方式中，该方法进一步包括将一个或多个额外的制造衬底顺序地引入到所述远程等离子体处理室并且将每个附加的制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。例如，在执行另一个调节处理之前，可以将至少三个制造衬底引入到所述远程等离子体处理室。
在一些实施方式中，远程产生的基于氮的等离子体相对于特征的内部选择性地抑制特征开口附近的成核。在一些这样的实施方式中，该方法还可以包括：在特征中，相对于特征开口附近，在特征内部选择性地沉积钨或钴。在一些实施方式中，调节处理可以进一步包括在一个或多个室部件上形成含氟层。在一些实施方式中，调节处理可以进一步包括在一个或多个室部件上形成氟化铝层。
本公开的另一方面涉及一种方法，其包括执行多个调节和处理循环以在远程等离子体处理室中顺序地处理多个衬底。每个循环可以包括：a)执行调节处理，其包括：i)将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体；和ii)将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室，其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头，并且所述喷头设置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间，并且其中在所述调节处理期间在远程等离子体处理室中不存在制造衬底；b)在所述调节处理之后且在重复所述调节处理之前，执行多个氮等离子体暴露处理，其中每个氮等离子体暴露处理均包括：i)将制造衬底引入所述远程等离子体处理室；ii)将制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体；和iii)从远程等离子体处理室移除制造衬底。
在一些实施方式中，由n2气体产生远程产生的基于氮的等离子体。在一些实施方式中，远程产生的基于氮的等离子体由含氮化合物产生，并且调节处理进一步包括将含氮化合物引入等离子体发生器以产生不含氟化物的基于氮的调节等离子体，以及将所述不含氟化物的基于氮的调节等离子体引入到远程等离子体处理室。在一些实施方式中，该方法进一步包括：将一个或多个额外的制造衬底顺序地引入到远程等离子体处理室，以及将每个额外的制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。例如，在执行另一个调节处理之前，可以将至少三个制造衬底引入远程等离子体处理室。在一些实施方式中，远程产生的基于氮的等离子体相对于特征的内部选择性地抑制特征开口附近的成核。在一些这样的实施方式中，该方法还可以包括在特征中相对于特征开口附近在特征内部选择性地沉积钨或钴。在一些实施方式中，调节处理可以进一步包括在一个或多个室部件上形成含氟层。在一些实施方式中，调节处理可以进一步包括在一个或多个室部件上形成氟化铝层。
本公开的另一方面涉及通过将远程等离子体处理室暴露于原子氟来调节远程等离子体处理室的方法；在调节远程等离子体处理室之后，将具有一个或多个特征的衬底引入远程等离子体处理室，每个特征包括特征开口；将衬底暴露于氮自由基；选择性地抑制所述一个或多个特征的在所述特征开口处或特征开口附近的表面上的成核，从而形成每个特征中的差别抑制轮廓；以及根据差别抑制轮廓在特征中沉积材料。材料的例子包括钨和钴。在一些实施方式中，在远程等离子体处理室中沉积材料。在一些实施方式中，在与远程等离子体处理室分开的室中沉积材料。
具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：
1.一种方法，其包括：
在远程等离子体处理室上执行调节处理，所述调节处理包括：
将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体；
将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室，其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头，并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间，并且其中在所述调节处理期间，在所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底；
在执行所述调节处理之后，将制造衬底引入所述远程等离子体处理室；以及
将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。
2.根据条款1所述的方法，其中所述制造衬底包括待填充的一个或多个特征。
3.根据条款1所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体由n2气体产生。
4.根据条款1所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体由含氮化合物产生，并且所述调节处理进一步包括：将所述含氮化合物引入所述等离子体发生器以产生不含氟化物的基于氮的调节等离子体，以及将所述不含氟化物的基于氮的调节等离子体引入到所述远程等离子体处理室。
5.根据条款1至4中任一项所述的方法，其还包括：将一个或多个附加的制造衬底顺序地引入到所述远程等离子体处理室，以及将每个附加的制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。
6.根据条款5所述的方法，其中在执行另一调节处理之前将至少三个制造衬底引入到所述远程等离子体处理室。
7.根据条款1-4中任一项所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体相对于所述特征的内部选择性地抑制在特征开口附近的成核。
8.如条款6所述的方法，其还包括：在所述特征中，相对于所述特征开口附近，在所述特征的内部选择性地沉积钨或钴。
9.根据条款1-4中任一项所述的方法，其中所述调节处理包括在一个或多个室部件上形成含氟层。
10.根据条款1-4中任一项所述的方法，其中所述调节处理包括在一个或多个室部件上形成氟化铝层。
11.一种方法，其包括：
执行多个调节和处理循环以在远程等离子体处理室中顺序地处理多个衬底，其中每个循环包括：
a)执行调节处理，其包括：
i)将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体；以及
ii)将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室，其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头，并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间，并且其中在所述调节处理期间，所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底；以及
b)在所述调节处理之后且在重复所述调节处理之前，执行多个氮等离子体暴露处理，每个所述氮等离子体暴露处理包括：
i)将制造衬底引入所述远程等离子体处理室；
ii)将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体；以及
iii)从所述远程等离子体处理室移除所述制造衬底。
12.根据条款11所述的方法，其中所述制造衬底包括待填充的一个或多个特征。
13.根据条款11所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体是由n2气体产生的。
14.根据条款11-13中任一项所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体由含氮化合物产生，并且所述调节处理还包括：将所述含氮化合物引入所述等离子体发生器以产生不含氟化物的基于氮的调节等离子体，以及将所述不含氟化物的基于氮的调节等离子体引入到所述远程等离子体处理室。
15.一种方法，其包括：
通过将远程等离子体处理室暴露于原子氟来调节所述远程等离子体处理室；
在调节所述远程等离子体处理室之后，将具有一个或多个特征的衬底引入所述远程等离子体处理室，每个特征包括特征开口；
将所述衬底暴露于氮自由基；
选择性地抑制所述一个或多个特征的在所述特征开口处或所述特征开口附近的表面上的成核，从而形成每个特征中的差别抑制轮廓；以及
根据所述差别抑制轮廓在所述特征中沉积材料。
16.如条款15所述的方法，其中所述材料是钨或钴。
17.根据条款15或16所述的方法，其中在所述远程等离子体处理室中沉积所述材料。
18.根据条款15或16所述的方法，其中在与所述远程等离子体处理室分开的室中沉积所述材料。
参考相应附图进一步详细描述所公开的实施方式的这些和其他方面。
附图说明
图1示出了可采用远程等离子体处理的特征填充序列的示意性表示的示例。
图2和图3示出了用于远程等离子体处理的装置的示意性示例。
图4是根据某些实施方式示出了远程等离子体处理的方法的示例的流程图。
图5是示出用于远程等离子体处理室的室调节(chamberconditioning)方法的示例的流程图。
图6是显示在各种室调节处理之后在衬底上的钨(w)生长延迟的图表。
图7是说明在基于氮的处理之前进行和不进行氟调节操作的情况下晶片间(wafer-to-wafer)的均匀性的图。
图8是示出在基于氮的处理之前进行和不进行氟调节操作的情况下晶片内均匀性的图。
图9是示出了在多个晶片的基于氮的处理之前进行和不进行周期性的氟调节操作的情况下晶片间均匀性的图。
图10是根据某些实施方式示出用材料填充特征的方法的示例的流程图。
图11a示出了多站装置的示意性示例。
图11b展示多室装置的示意性示例。
具体实施方式
在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对所公开实施方式的透彻理解。可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践所公开的实施方式。在其他情况下，众所周知的处理操作没有被详细描述，以免不必要地模糊所公开的实施方式。虽然所公开的实施方式将结合具体实施方式进行描述，但是应该理解的是，这不意图限制所公开的实施方式。
本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理(特别是基于氮的远程等离子体处理)的室调节。本公开的某些实现方式涉及用于包括室调节的特征填充的远程等离子体抑制处理。然而，应当理解，本文所述的室调节方法可以用于各种其他应用。
用材料填充特征可能导致在填充特征内形成空隙和接缝。空隙是特征中的未填充的区域。例如，当沉积的材料在特征内形成夹点(pinchpoint)，从而封闭特征内的未填充空间，防止反应物进入和沉积时，可以形成空隙。接缝是特征中的细长区域，接缝的特点是细长的空隙、一系列较小的空隙或晶界。
空隙和接缝形成有多种可能的原因。一个是在特征开口的悬垂部(overhang)。可以由先前层(例如，扩散阻挡层)或在填充材料的沉积的初始阶段中形成悬垂部。空隙或接缝形成的另一个原因是特征孔的弯曲或弓形的侧壁，这也被称为弓形特征。在具有悬垂部的特征中或在弓形特征中，待在开口附近要被填充的腔的横截面尺寸小于特征内部的横截面尺寸。特征内的收缩也为填充带来了挑战。
即使实现无空隙填充，接缝也可以穿过通孔、沟槽、线或其他特征的中心轴线。这是因为生长可能在侧壁处开始，直到晶粒(grain)随着从相对的侧壁生长而接触。该接缝可以允许俘获包括含氟化合物(如氢氟酸(hf))的杂质。在化学机械平坦化(cmp)期间，晶内偏析(coring)可以从接缝传播。根据各种实施方式，本文描述的方法可以减少或消除空隙和接缝形成。
本公开的实施方式涉及优先抑制在特征的部分处的膜生长。这种也可称为选择性抑制、选择性钝化、差别抑制或差别钝化的优先抑制包括抑制在特征的一部分处的成核，而不抑制在特征的其余部分处的成核(或在较小的程度上抑制成核)。例如，在一些实施方式中，特征优先在特征开口处被抑制，而在特征内部不抑制进一步的成核。在一些实施方式中，特征优先在特征收缩处被抑制，而在特征内进一步的成核不被抑制。
下文进一步描述选择性抑制，并且可涉及例如选择性地将特征的一部分暴露于等离子体的活化物质。在某些实施方式中，例如，特征开口选择性地暴露于由分子氮气(n2)产生的等离子体。如以下进一步讨论的，可以通过适当选择抑制化学、衬底偏置功率、等离子体功率、处理压力、暴露时间和其他处理参数中的一个或多个来形成特征中的期望的抑制轮廓。
图1示出了可采用远程等离子体处理的特征填充序列的示意性表示的示例。在图1的示例中，示出了用于制造字线(wl)的钨(w)沉积。wl结构100设有衬层(linerlayer)表面102。衬层表面102可以是例如氮化钛(tin)或氮化钨(wn)。接下来，在整个结构100中，w成核层104共形地沉积在衬层102上。注意，在一些工艺中，可以省略沉积共形成核层的这个操作。接下来，将该结构暴露于抑制化学物质以选择性地抑制结构100的部分106。在该示例中，超出柱收缩部151的部分104a不被抑制。如图中所示，抑制涉及暴露于由诸如n2、形成气体(n2+h2)或nh3之类的气体产生的远程产生的等离子体。
接下来，根据抑制轮廓执行化学气相沉积(cvd)工艺以选择性地沉积钨：块状钨108优先沉积在成核层的未被抑制部分104a上使得在收缩部后面的难以填充的区域被填充，而不沉积在被抑制部分106上。特征的其余部分然后被填充块状钨110。用于选择性沉积钨的相同的cvd工艺可以被用于特征的剩余部分，使用不同化学物质或工艺条件和/或在成核层沉积之后进行的不同cvd工艺可以被使用。
图1是可以使用基于氮的远程等离子体的特征填充过程的示例。其他实例可以在美国专利公开no.20130171822、no.20160056077和no.20160190008以及美国专利no.9,349,637中找到，其通过引用并入本文。具体而言，为了描述使用基于氮的远程等离子体的钨特征填充的方法，美国专利公开no.2013017182和no.20160190008通过引用并入，并且为了描述使用基于氮的远程等离子体的钴特征填充的方法，美国专利公开no.20160056077和美国专利no.9,349,637通过引用并入本文。本公开的实施方式包括使用基于氮的远程抑制处理的这些和其他材料的特征填充。
图2和图3示出了用于远程等离子体处理的装置的示意性示例。首先，在图2中，装置200包括具有基座220的室218、喷头214和远程等离子体发生器206。在一些实施方式中，该装置可以包括原位等离子体发生器(未示出)。装置200还包括用于接收输入和/或供应控制信号的系统控制器222。系统控制器在下面进一步描述。
将气体(例如基于氮的气体、含氟气体、惰性气体(诸如氩气、氦气等)等)作为来自一个或多个源202的处理气体供应到远程等离子体发生器206，一个或多个源202可以是一个或多个储罐。可以使用任何合适的远程等离子体发生器来在将处理气体引入室218之前激活处理气体。例如，可以使用远程等离子体清洁(rpc)单元，例如，全部可从马萨诸塞州安多弗的mksinstruments获得的
在某些实施方式中，处理气体通过连接线208从远程等离子体发生器206流入室218，其中混合物通过喷头214分配。在某些实施方式中，一个或多个惰性气体源212可以连接到混合碗210，然后在远程等离子体发生器206的下游与等离子体物质混合。
室218可以包括用于感测各种工艺参数(例如沉积或蚀刻的程度、浓度、压力、温度等)的传感器224。传感器224可以在处理期间向系统控制器222提供关于室条件的信息。传感器224的示例包括质量流量控制器、压力传感器、热电偶等。传感器224还可以包括红外检测器或光学检测器以监测室中气体的存在和控制措施。
各种挥发性物质可以从室218中排出。而且，在室218中以某些预定的压力水平进行处理。可以是真空泵的真空出口226可以用于根据情况控制压力并将气体排出。
远程等离子体发生器中产生的等离子体物质可以包括离子物质和中性物质(例如原子和自由基)。喷头214可以有效地阻止离子物质的流动，使得只有中性物质进入室218。喷头可以是铝(al)喷头或含铝喷头。
图3示出了根据某些公开的实施方式的用于远程等离子体处理的另一示例装置。图3示意性地示出了适于实施本文的某些实施方式的电感耦合等离子体蚀刻装置390的横截面图，其实例是由加利福尼亚州弗里蒙特的lamresearchcorp.生产的
电感耦合等离子体装置390包括由室壁391和用于点燃等离子体的圆顶392在结构上限定的整个处理室。室壁391可以由不锈钢或al制成。用于等离子体产生的元件包括线圈394，线圈394定位在圆顶392周围并且在喷头395上方。在一些实施方式中，不使用线圈。线圈394由导电材料制成并且包括至少一个完整的匝。图3所示的线圈394的示例包括三匝。线圈394的横截面用符号表示，并且具有“x”的线圈旋转地延伸到页面中，而具有“●”的线圈旋转地延伸出页面。用于等离子体生成的元件还包括被配置为向线圈394供应rf功率的rf电源341。一般而言，rf电源341通过连接345连接到匹配电路339。匹配电路339通过连接333连接到线圈394。以这种方式，rf电源341连接到线圈394。将射频电源从rf电源341供应到线圈394，以使rf电流流过线圈394。流过线圈394的rf电流在线圈494周围产生电磁场。电磁场在圆顶392内产生电感耦合等离子体，从而产生离子物质和中性物质(例如自由基)。
rf电源341可以提供任何合适频率的rf功率。在一些实施方式中，rf电源341可以被配置为彼此独立地控制高频和低频rf功率源。
喷头395朝向衬底397分配处理气体。在图3所示的实施方式中，衬底397位于喷头395的下方并且被示出为搁置在底座396上。喷头395可以具有任何合适的形状，并且可以具有用于将处理气体分配到衬底397的任何适当数量和布置的端口。如图2的示例中那样，喷头395可以用作离子过滤器，从而只允许中性物质到达衬底397。喷头可以是al喷头或含铝喷头。基座396构造成接收并保持衬底397。
气体(例如，含氮气体、惰性气体或含氟气体)可以通过位于圆顶中的一个或多个主气流入口393和/或通过一个或多个侧气流入口(未示出))流入处理室。类似地，虽然未明确示出，但是可以使用类似的气流入口将处理气体供应到电容耦合等离子体处理室。在用于电容耦合等离子体处理室的一些实施方式中，气体可以通过喷头经由喷头的中心和/或边缘注射。可使用真空泵(例如，一级或两级机械干泵和/或涡轮分子泵398a)将处理气体抽出处理室391并保持处理室391内的压力。阀控制管道可用于将真空泵流体连接到处理室391，以选择性地控制由真空泵提供的真空环境的施加。这可以在操作等离子体处理期间采用闭环控制流量限制装置(例如节流阀(未示出)或摆动阀(未示出))来完成。同样地，也可以采用真空泵和与电容耦合等离子体处理室连接的阀控制的流体连接。挥发性副产物可以通过端口398b从处理室391中去除。装置390还包括用于接收输入和/或提供控制信号的系统控制器399。系统控制器在下面进一步描述。
图4根据某些实施方式图示了表示远程等离子体处理的方法400的一般处理流程图。首先，调节(condition)室。框401。下面进一步描述调节室的方法。上面关于图2和3描述了室的示例。在图4的实例中，室没有待处理的晶片或其它衬底。在一些实施方式中，不需要另外处理的虚设衬底(也称为测试衬底)可以被定位在室中。这里使用术语“制造衬底”来将正在经历处理以制造成器件(例如半导体逻辑和存储器件)的晶片和其他衬底与虚设衬底或测试衬底区分开来。
然后将第n个衬底定位在室中(框403)，在室调节后的第一衬底为n＝1。如下面进一步描述的，可以每隔nmax个衬底执行室调节。然后将第n个衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。(框405)。基于氮的等离子体是其中主要化学反应性物质是氮(通常以氮自由基的形式存在)的等离子体。其他等离子体物质(例如，惰性气体物质)可以存在。在一些实现方式中，除了氮自由基之外，在产生等离子体的气体中不存在非惰性组分，除了存在痕量的非惰性组分以外。在一些实施方式中，基于氮的等离子体是无卤素的。在许多实施方式中，基于氮的等离子体由n2气体形成，但是也可以使用其他氮气体，例如形成气体、nh3或n2h2。将第n个衬底从室中取出。(框407)。应该注意的是，在一些实施方式中，可以在第n个衬底在室中的同时执行各种其他处理操作。这些包括在衬底上的材料的沉积或沉积材料的蚀刻。
在判定框409，确定是否n＝nmax。如果不是，则该处理返回到框403，其中将另一衬底放置在室中。如果n＝nmax，则在判定框411，确定是否要处理更多的衬底。如果是，则该处理返回到框401以进行室调节。否则，处理完成，运行中的所有衬底都被处理。
室调节包括将室暴露于远程产生的含氟等离子体。诸如三氟化氮(nf3)、氟(f2)、六氟化硫(sf6)或四氟化碳(cf4)之类的含氟气体可以提供给远程等离子体发生器。氟物质，通常是中性物质如原子氟，调节室。在一些实施方式中，调节室的等离子体不具有离子物质。由惰性气体产生的物质可能存在。
在一些实施方式中，室调节处理包括在暴露于含氟等离子体之前和/或之后暴露于远程产生的不含氟的氮等离子体。图5是示出包括这些操作的用于远程等离子体处理室的室调节的方法500的示例的流程图。将该室暴露于由n2气体远程产生的等离子体。框501。尽管在图5中提供了n2作为示例，但是在图5的框501和505中使用了用于衬底的远程的基于氮的等离子体处理的相同气体(例如，图4中的框405)。因此在其他实施方式中，这些框中的等离子体可以如上所述由其他含氮气体产生。接下来，将室暴露于由含f气体远程产生的等离子体。框503。然后将室暴露于远程产生的n2等离子体。框505。通常，框505的持续时间比框501或503的持续时间短。方法500中的操作在下面参照图6-8进一步描述。
如以上关于图1所指示的，在一些实施方式中，使用n2等离子体来抑制钨或钴生长。图6是显示在各种室调节处理之后在衬底上的钨(w)生长延迟的图表。远程等离子体处理室在不存在衬底的情况下进行调节，随后在远程等离子体处理室中将衬底暴露于n2远程等离子体(即，由n2气体远程产生的等离子体)，随后将衬底暴露于钨沉积化学物质例如wf6/h2。测量钨生长延迟，即n2等离子体处理效率的度量。
进行了三种室调节方案：(1)n2/nf3，(2)n2/nf3/n2(短)，和(3)仅n2。仅n2处理导致非常低的增长延迟。相比之下，nf3处理显著增加了生长延迟(从不到10s到超过100s)。
不受特定理论的约束，认为氟与室中的部件反应并在室中的该部件上形成钝化层，例如氟化铝(alf3)。在没有这种钝化层的情况下，在基于氮的远程等离子体处理中使用的氮自由基(n*)可能由于与喷头相互作用以及在一些情况下与室的其他部件相互作用而丧失。回到图6，在nf3之后的短的n2等离子体降低了n2等离子体功效，如由w生长延迟所测量的。然而，在一些实施方式中，在nf3之后的短的n2等离子体可能有助于使室返回到如在n2等离子体处理期间经历的那些条件。晶片间均匀性可以得到改善。
根据各种实施方式，室调节可钝化室中的喷头、室壁和其他硬件部件中的一个或多个。这些组件的表面可能有助于氮自由基损失速率，这导致晶片间不均匀性以及晶片内不均匀性。在随后的基于氮的远程产生的等离子体处理操作中，结果是更均匀和更稳定的氮自由基通量。此外，通过控制氮自由基的损失速率，可以将调节与其他结果有效的变量(例如时间、功率和温度)一起用于在氮抑制处理中控制衬底上的抑制总量。
虽然上述室调节使用远程等离子，但在一些实施方式中，调节处理可在基于氮的远程等离子体处理操作之前采用非等离子体处理。在一些其它实施方式中，调节处理可在基于氮的远程等离子体处理操作之前采用非等离子体处理。例如，在使用氮自由基处理之前，可以使用含氟热沉积工艺在室部件上沉积钝化层。钝化层可以是限制n自由基损失的含氟层。在一些实施方式中，如果调节处理不影响晶片或者如果室调节处理可以用于处理晶片，则晶片可以在调节处理期间存在于室中。
本文所述的工艺提供了改善的晶片间均匀性和改进的晶片内(中心到边缘)均匀性。图7是说明在基于氮的处理之前进行和不进行氟调节操作的情况下的晶片间均匀性的图。处理五个晶片(远程产生的n2等离子体+随后的钨沉积)以产生曲线701和703中的每一个曲线。曲线701表示在不进行含氟(nf3)调节的情况下处理的五个晶片的钨生长延迟。曲线703代表在进行含氟(nf3)调节后处理的五个晶片的钨生长延迟。未经nf3调节的晶片的晶片间不均匀性(wtwnu％)为18％，而在nf3调节后处理的晶片的晶片间不均匀性仅为2％。
图8是示出在基于氮的处理之前进行和不进行氟调节操作的情况下的晶片内均匀性的图。曲线801表示在不进行含氟(nf3)调节的情况下处理的300mm晶片的钨厚度。曲线803表示在进行含氟(nf3)调节之后加工的300mm晶片上的钨厚度。晶片内不均匀性(wiwnu％)对于在不进行nf3调节的情况下处理的晶片而言是6％，对于在nf3调节之后处理的晶片而言仅为3％。
返回参照图4，可以每隔nmax个晶片调节室一次。适当的nmax将取决于室、特定的调节处理、特定的处理过程，以及取决于晶片间不均匀性和晶片内不均匀性的容差。在一些实施方式中，可以在每个晶片之后(使得nmax是1)调节室。更通常地，室可以在多个晶片(例如，每3、4、5、7、10、15个晶片等)的远程等离子体处理之后仅被调节一次。图9是示出了在多个晶片的基于氮的处理之前进行和不进行周期性的氟调节操作的情况下晶片间均匀性的图。处理25个晶片(远程产生的n2等离子体+随后的钨沉积)以产生曲线901和903中的每一个。曲线901表示在单个含氟(nf3)调节之后处理的二十五个晶片的钨生长延迟。曲线903表示在每五片晶片进行含氟(nf3)调节的情况下处理的二十五个晶片的钨生长延迟。对于在没有进行周期性nf3调节的情况下处理的晶片，晶片间不均匀性(wtwnu％)为36.5％，对于进行周期性nf3调节的情况下处理的晶片，晶片间不均匀性仅为5.7％。
图9的曲线901还提供了证据，即在一些实施方式中，不结束用含氟的远程产生的等离子体进行的调节处理是有用的。这是因为从晶片1到晶片7的钨生长延迟有一个急剧的下降，这表明在室部件上存在的一定量的氟化物会消耗n*自由基，从而引起该处理中的漂移(drift)。通过用短的n2等离子体终止室调节，可以减轻这种漂移效应。
以上参考图2和3描述了可以根据本文所述的方法进行调节的室的实例。如上文关于图1所述，可使用远程产生的基于氮的等离子体来选择性地抑制特征中的钨、钴或其他材料的生长。图10是示出根据某些实施方式的用材料填充特征的方法的示例的流程图。本文描述的方法可以用于填充诸如钨通孔之类的竖直特征以及诸如竖直nand(vnand)字线之类的水平特征。这些方法可以用于保形填充和自下而上填充/自内向外填充。应用实例包括逻辑和存储器接触填充、dram掩埋字线填充、竖直集成存储器栅极和字线填充、以及使用硅通孔的3-d集成。
首先，在被调节的室中执行远程等离子体处理以选择性地抑制特征中的沉积。(框1001)。在如上所述用含氟化合物调节的室中进行框1001。在一些实施方式中，室部件包括其表面上的含氟钝化层(例如，alf3)。该操作在该特征中创建“抑制轮廓”，其中在特征的一个或多个位置处相对于一个或多个其他位置优先地抑制沉积。
接下来，根据抑制轮廓进行材料的选择性沉积。框1003。框1003可以包括一个或多个化学气相沉积(cvd)和/或原子层沉积(ald)工艺，包括热cvd工艺、等离子体增强cvd工艺和/或ald工艺。沉积是选择性的，因为材料优先在特征的较小部分和非抑制部分上生长。在一些实施方式中，框1003涉及选择性地将材料沉积在特征的底部或内部部分中，直到达到或经过收缩部。在根据抑制轮廓进行选择性沉积之后，该方法可以在框1005处用填充特征的其余部分来继续。在一些实施方式中，框1005可以涉及继续在框1003处开始的cvd沉积工艺。这样的cvd工艺可以导致沉积在特征的被抑制部分上，其中在被抑制部分上的成核比在特征的非抑制部分上的成核更慢地发生。在一些实施方式中，框1005可涉及在特征的至少被抑制部分上沉积成核层。
对于钨沉积，可以使用钨前体和还原剂。前体的实例包括六氟化钨(wf6)、六氯化钨(wcl6)、五氯化钨(wcl5)、有机金属前体和不含氟的前体(例如，mdnow(甲基环戊二烯基-二羰基亚硝酰基-钨)和ednow(乙基环戊二烯基-二羰基亚硝酰基-钨))。另外，虽然氢可以用作沉积中的还原剂，但是除了氢之外或代替氢，也可以使用包括硅烷的其他还原剂。在另一个实施方式中，在有还原剂或没有还原剂的情况下，可以使用六羰基钨(w(co)6)。在cvd技术中，将wf6和h2或其他反应物同时引入到反应室中。这会产生混合反应物气体的连续化学反应，从而在衬底表面上连续形成钨膜。在美国专利申请no.12/202,126、no.12/755,248和no.12/755,259中描述了使用cvd沉积钨膜的方法，为了描述钨沉积工艺，这些专利申请全部内容通过引用并入本文。根据各种实施方式，本文描述的方法不限于填充特征的特定方法，而是可以包括任何适当的沉积技术。在某些实施方式中，使用pnl技术沉积成核层。在pnl技术中，还原剂、任选的净化气体和含钨前体的脉冲可以顺序地注入反应室以及从其中清除。该处理以循环方式重复，直到达到所需的厚度。pnl广泛地体现了连续添加用于在半导体衬底上反应的反应物的任何循环过程，包括ald技术。用于沉积钨成核层的pnl技术在美国专利6,635,965、7,589,017、7,141,494、7,772,114、8,058,170和8,623,733以及美国专利公开no.20100267230中描述，为了描述钨沉积工艺的目的，这些专利文献全部内容通过引用并入本文
在一些实施方式中，框1005包括重复框1001和1003一次或多次。此外，在一些实施方式中，框1005可以包括非保形蚀刻，如美国专利公开no.20130302980中所描述的，为了描述填充工艺中的非共形蚀刻的目的，其通过引用全部并入本文。
美国专利no.9,349,637中描述了可用于钴沉积的前体，为了描述钴特征填充的目的，其全部内容通过引用并入本文。
其他材料的cvd和ald沉积可以包括使用任何适当的前体。例如，氮化钨的cvd和ald沉积可以包括使用下面进一步描述的含卤素化合物和不含卤素的含钨化合物和含氮化合物。含钛层的cvd和ald沉积可以包括使用包含钛的前体，其示例包括四(二甲基氨基)钛(tdmat)和氯化钛(ticl4)以及合适的话一种或多种共反应物。含钽层的cvd和ald沉积可以包括使用诸如五(二甲基氨基钽)(pdmat)和taf5以及如果合适的话一种或多种共反应物之类的前体。含钴层的cvd和ald沉积可以包括使用前体，该前体例如三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)钴(tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)cobalt)、双(环戊二烯基)钴和二钴六羰基丁基乙炔以及一种或多种共反应物。含镍层的cvd和ald沉积可以包括使用诸如环戊二烯基烯丙基镍(cpallylni)和mecp2ni之类的前体。共反应物的实例可以包括n2,nh3、n2h4、n2h6、sih4、si3h6、b2h6、h2和alcl3。
返回到图10，根据各种实施方式，框1003中的沉积可以与框1001的远程等离子体处理发生在相同或不同的室中。在后者的情况下，晶片或其他衬底在框1003之前被转移到另一室。此外，在一些实施方式中，可以在多站室的相同站或不同站中执行框1001和1003。
图11a示出了多站装置1100的示例。装置1100包括处理室1101和用于保持待处理的衬底和已经完成处理的衬底的一个或多个盒1103(例如正面开口标准箱)。室1101可具有多个站，例如两个站、三个站、四个站、五个站、六个站、七个站、八个站、十个站或任何其他数目的站。通常由处理操作的复杂性和可以在共享环境中执行的这些操作的数量来确定站的数量。图11a示出了具有标记为1111至1116的六个站的处理室1101。具有单个处理室1103的多站装置1100中的所有站暴露于相同的压力环境。然而，每个站可以具有指定的反应物分配系统以及由专用的等离子体发生器和基座(例如如图2和3所示的等离子体发生器和基座)实现的本地等离子体和加热条件。
待处理的衬底从盒1103中的一个通过装载锁装置1105装载到站1111中。外部机械手1107可以用于将衬底从盒1103转移到装载锁1105中。在所描绘的实施方式中，存在两个单独的装载锁1105。这些通常配备有衬底传送装置以(一旦压力平衡到对应于处理室1103的内部环境的水平)将衬底从装载锁1105移动到站1111以及从站1116移动返回到装载锁1105中以从处理室1103移除。内部机械手1109用于在处理站1111-1116之间传送衬底并且在处理期间支撑衬底中的一些，如下面所描述的。
在某些实施方式中，可以保留一个或多个站来加热衬底。这样的站可以具有位于衬底上方的加热灯(未示出)和/或支撑衬底的加热基座(类似于图2和3所示的)。例如，站1111可以从装载锁接收衬底并且用于在被进一步处理之前预热衬底。其他站可用于填充高深宽比特征，包括远程等离子体处理、沉积或选择性去除操作。
在衬底被加热或以其他方式在站1111处理之后，衬底被连续地移动到处理站1112、1113、1114、1115和1116，处理站1112、1113、1114、1115和1116可以顺序地布置或可以不顺序地布置。多站装置1100被配置为使得所有站暴露于相同的压力环境。这样，衬底从站1111传送到室1101中的其它站而不需要诸如装载锁之类的传送口。
内部机械手1109被用于在站1111-1116之间传送衬底。在图11的示例中，机械手1109包括具有用于每个处理站的至少一个臂的鳍(示出为在站之间延伸)。可以使用任何合适的传送机构。
在某些实施方式中，可以使用一个或多个站来用含钨材料填充特征。例如，站1112可以用于初始沉积操作，站1113可以用于选择性抑制操作，并且站1114用于选择性沉积操作。在使用沉积-去除循环的实施方式中，站1114可以用于另一个沉积操作，并且站1115可以用于选择性去除操作。站1116可以用于最后的填充操作。应该理解的是，可以使用针对具体处理(例如，加热、抑制、沉积和去除)的站指定的任何配置。
图11b是根据某些实施方式的可使用的多室装置1120的示意图。如图所示，装置1120具有三个单独的室1121、1123和1125。这些室中的每一个都示出为具有两个基座。应当理解的是，装置可以具有任何数量(例如，一个、两个、三个、四个、五个、六个等)的室，并且每个室可以具有任何数量(例如，一个、两个、三个、四个、五个、六个等)的站。每个室1121-1125具有其自身的压力环境，该压力环境不在室之间共享。每个室可以具有一个或多个相应的传输端口(例如装载锁)。该装置还可以具有用于在一个或多个盒1129的传送端口之间传送衬底的共享的衬底搬运机械手1127。
如上所述，单独的室可以用于远程等离子体处理和沉积含钨材料和/或在随后的操作中选择性去除这些沉积材料。将操作分离到不同的室中可以通过在每个室中保持相同的环境条件来帮助显著提高处理速度。换句话说，室不需要将其环境从用于远程等离子体处理的条件改变为用于沉积或选择性去除的条件以及改变回来，这可能涉及不同的反应物、不同的温度、压力和其他工艺参数。在某些实施方式中，在两个或两个以上不同的室之间传输部分制造的半导体衬底比改变这些室的环境条件更快。
回到图2，在某些实施方式中，采用系统控制器222来控制工艺参数。类似地，在图3中，可以使用系统控制器399来控制工艺参数。
在一些实施方式中，系统控制器(例如，系统控制器222或系统控制器399，其可包括一个或多个物理或逻辑控制器)控制处理室的一些或全部操作。系统控制器可以包括一个或多个存储器设备和一个或多个处理器。在一些实施方式中，当执行所公开的实施方式时，装置(例如，装置200或装置390)包括用于控制流速和持续时间的开关系统(switchingsystem)。在一些实施方式中，该装置可具有高达约500ms或高达约750ms的开关时间。开关时间可能取决于流动化学物质、选择的配方、反应器架构和其他因素。
在一些实现方式中，系统控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)发生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、进出工具和其他输送工具和/或连接到特定系统或与特定系统接口的装载锁的晶片输送。
概括地说，系统控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用终点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式输送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方式中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方式中，系统控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或在晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分中，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、从多个制造操作研究趋势或性能度量，以改变当前处理的参数、设置要跟随当前处理的处理步骤、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机输送到系统。在一些示例中，系统控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，系统控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个离散控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)定位的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、cvd室或模块、ald室或模块、ale室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。
上文所述的装置/处理可结合光刻图案化工具或工艺使用，例如用于制备或制造半导体器件、显示器、led、光伏板等。典型地，虽然不一定，但是这样的工具/处理将在共同的制造设施中执行或使用。对膜进行光刻图案化通常包括以下步骤中的一些或全部步骤，每个步骤使用许多可能的工具实现：(1)使用旋涂或喷涂工具在工件(即衬底)上涂覆光致抗蚀剂；(2)使用热板或炉或uv固化工具固化光致抗蚀剂；(3)用诸如晶片步进机之类的工具将光致抗蚀剂暴露于可见光或uv光或x射线光；(4)使抗蚀剂显影以选择性地去除抗蚀剂，从而使用诸如湿台之类的工具使其图案化；(5)通过使用干式蚀刻工具或等离子体辅助蚀刻工具将抗蚀剂图案转移到底层膜或工件中；和(6)使用诸如rf或微波等离子体抗蚀剂剥离器之类的工具去除抗蚀剂。
结论
虽然为了清楚理解的目的，前述实施方式已经在一些细节进行了描述，但明显的是，某些变化和修改可在所附权利要求的范围内实施。应该注意的是，实现所公开的实施方式的工艺、系统和装置的许多替代方式。因此，本发明的实施方式应被认为是说明性的而不是限制性的，并且所公开的实施方式并不限于本文所给出的细节。