技术总结
本发明涉及一种双极晶体管及其制作方法。所述制作方法在形成发射极多晶硅前包括以下步骤：在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成绝缘保护层；在所述第一开口处的绝缘保护层上形成光刻胶，所述光刻胶包括位于所述第一开口中央的第一部分及位于所述第一部分两侧的多个间隔排列的第二部分；利用所述光刻胶对所述绝缘保护层进行湿法腐蚀，使得所述绝缘保护层形成位于所述第一开口中央的第一保护部及位于所述第一保护部两侧的多个间隔设置的第二保护部；在所述氧化层及所述第二保护部及邻近所述第二保护部的部分所述第一保护部上形成基极多晶硅及位于所述基极多晶硅上的氧化硅。所述绝缘保护层作为发射区保护材料，避免发射极‑基极短路。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市晶特智造科技有限公司
技术研发日：2017.12.21
技术公布日：2018.06.12