1.全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于,包括相互配合的emitter掩模版和BSF掩模版,所述emitter掩模版上设有emitter开口,所述BSF掩模版设有与emitter开口配合的BSF开口。
2.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述emitter掩模版上等距设有若干列宽长条状结构的emitter开口，每列emitter开口数量为一个，每两列相邻的所述emitter开口中间的间隔距离大于或等于0.5mm，所述BSF掩模版上等距设有细长条状结构的BSF开口，所述BSF开口宽度小于两个相邻emitter开口中间的间隔距离。
3.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述的emitter掩模版上等距设有若干列emitter开口，每列所述emitter开口为若干个，其为长块状结构，每列中上下两个相邻的emitter开口中间的间隔距离为0.1mm-0.3mm，每相邻两列emitter开口中间的间隔距离小于0.5mm，所述BSF掩模版上等距设有若干细长条状结构的所述BSF开口，所述BSF开口宽度小于两个相邻emitter开口中间的间隔距离。
4.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版，其特征在于，所述emitter掩模版为全面开口掩模版或局部开口掩模版，所述BSF掩模版为与所述emitter掩模版相对应的局部开口掩模版或全面开口掩模版。
5.根据权利要求4所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述emitter掩模版为全面开口掩模版，其为方框型结构，所述BSF掩模版为局部开口掩模版，所述BSF掩模版上等距均匀设有若干点状圆形结构或点状方形结构的所述BSF开口。
6.根据权利要求4所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述BSF掩模版为全面开口掩模版，其为方框型结构，所述emitter掩模版为局部开口掩模版，所述emitter掩模版上等距均匀设有若干短块状方形结构的emitter开口。