技术总结
本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，由下至上依次包括：衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAsySb1‑y晶格应变缓冲层、AlGaSb缓冲层、InGaSb沟道层、AlSb隔离层、P型AlGaSb势垒层、分别位于P型AlGaSb势垒层两端侧的第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层，还包括形成于第一P型GaSb帽层上的源极和形成于第二P型GaSb帽层上的漏极，以及形成于第一P型GaSb帽层与第二P型GaSb帽层之间且位于P型AlGaSb势垒层上的栅极，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。
技术研发人员：黎明;陈汝钦
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
文档号码：201720289445
技术研发日：2017.03.22
技术公布日：2017.10.31