一种平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框的制作方法

本实用新型涉及硅片镀膜技术领域，尤其是涉及一种平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框。

背景技术：

为了提高晶体硅太阳能电池的转换效率，需要减少太阳光在电池表面的反射，并对晶体硅表面进行钝化处理，需要在硅片表面镀一层SIN_X薄膜。

镀膜工艺直接法中的平板式PECVD生产线中会用到编织的碳碳框，该碳碳框在长时间使用后盛放硅片的台阶处会起毛刺，造成硅片扎片，影响产品合格率，且降低了碳碳框的使用寿命。

因此，如何提高平板式PECVD生产线硅片镀膜的碳碳框的使用寿命，提高硅片成品的合格率是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框，生产过程中使用该碳碳框，能够提高硅片成品的合格率，且该碳碳框具有较高的使用寿命。

为解决上述的技术问题，本实用新型提供的技术方案为：

一种平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框，包括碳碳框以及石墨框；

所述碳碳框包括若干个平面矩形状的网格框，每个所述网格框的内上四边开设有一圈环形的用于嵌置所述石墨框的一级台阶槽；

所述石墨框为平面矩形框，所述石墨框的长宽向截面与所述一级台阶槽的长宽向截面完全一致；

所述一级台阶槽的槽深与所述石墨框的厚度的关系满足当所述石墨框嵌置在所述一级台阶槽中后所述一级台阶槽的剩余槽深满足嵌置硅片。

优选的，所述网格框为平面正方形框，所述石墨框为平面正方形框。

优选的，所述一级台阶槽的槽深为1.2mm，所述石墨框的厚度为0.4mm。

本实用新型提供了一种平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框，包括碳碳框以及石墨框，所述碳碳框包括若干个平面矩形状的网格框，每个所述网格框的内上四边开设有一圈环形的用于嵌置所述石墨框的一级台阶槽，所述石墨框为平面矩形框，所述石墨框的长宽向截面与所述一级台阶槽的长宽向截面完全一致，所述一级台阶槽的槽深与所述石墨框的厚度的关系满足当所述石墨框嵌置在所述一级台阶槽中后所述一级台阶槽的剩余槽深满足嵌置硅片；本申请中由于硅片直接与石墨框接触，硅片不再与碳碳框直接接触，从而解决了原碳碳框台阶处使用一段时间起毛刺造成硅片报废的问题，使得硅片成品合格率提高了0.2％，碳碳框的使用寿命提升了10％以上。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框中的碳碳框的结构示意图；

图2为图1中的单个网格框的剖视结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框中的石墨框的结构示意图。

图中：1碳碳框，101网格框，102一级台阶槽，2石墨框。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“轴向”、“径向”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

参照图1～图3，图1为本实用新型实施例提供的平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框中的碳碳框的结构示意图；图2为图1中的单个网格框的剖视结构示意图；图3为本实用新型实施例提供的平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框中的石墨框的结构示意图。

本申请提供了一种平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框，包括碳碳框1以及石墨框2；

所述碳碳框1包括若干个平面矩形状的网格框101，每个所述网格框101的内上四边开设有一圈环形的用于嵌置所述石墨框的一级台阶槽102；

所述石墨框2为平面矩形框，所述石墨框2的长宽向截面与所述一级台阶槽102的长宽向截面完全一致；

所述一级台阶槽102的槽深与所述石墨框2的厚度的关系满足当所述石墨框2嵌置在所述一级台阶槽102中后所述一级台阶槽102的剩余槽深满足嵌置硅片。

在本申请的一个实施例中，所述网格框101为平面正方形框，所述石墨框2为平面正方形框。

在本申请的一个实施例中，所述一级台阶槽102的槽深为1.2mm，所述石墨框2的厚度为0.4mm。

本实用新型提供了一种平板式PECVD生产线硅片镀膜用的组合式碳碳框，包括碳碳框1以及石墨框2，所述碳碳框1包括若干个平面矩形状的网格框101，每个所述网格框101的内上四边开设有一圈环形的用于嵌置所述石墨框2的一级台阶槽102，所述石墨框2为平面矩形框，所述石墨框2的长宽向截面与所述一级台阶槽102的长宽向截面完全一致，所述一级台阶槽102的槽深与所述石墨框2的厚度的关系满足当所述石墨框2嵌置在所述一级台阶槽102中后所述一级台阶槽102的剩余槽深满足嵌置硅片；本申请中由于硅片直接与石墨框2接触，硅片不再与碳碳框1直接接触，从而解决了原碳碳框台阶处使用一段时间起毛刺造成硅片报废的问题，使得硅片成品合格率提高了0.2％，碳碳框的使用寿命提升了10％以上。

本实用新型未详尽描述的方法和装置均为现有技术，不再赘述。

本文中应用了具体实施例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。