技术总结
本实用新型提供一种晶体管结构，包括设于半导体衬底上的复数个栅极导电层；形成于栅极导电层侧壁及上表面的隔离结构；设置在半导体衬底上、且形成于相邻隔离结构之间的栓导电层，隔离结构隔离栓导电层的第一侧面，栓导电层在半导体衬底上形成隔离槽，隔离槽隔离栓导电层的第二侧面；形成于栓导电层第二侧面的牺牲层；形成于隔离槽内的栓导电隔离层，其中，牺牲层隔离栓导电隔离层和栓导电层；栓导电层的顶面高度小于厚度修正后隔离结构的顶面高度，且小于厚度修正后栓导电隔离层的顶面高度，以形成凹穴；填充形成于凹穴中的金属垫层。通过本实用新型解决了因多晶硅中存在缝隙，导致金属垫层不均匀，使金属间层电阻值偏高，影响导电性能的问题。 1
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.11.27
技术公布日：2018.06.15