技术特征：
技术总结
在所描述的实例中，一种集成电路(100)，其包括场板式FET(110)并且通过在氧化物掩模层中形成第一开口从而暴露用于漂移区(116)的区域来形成。在第一开口下方将掺杂剂注入到衬底(102)中。随后，沿着第一开口的横向边界形成电介质侧壁。在通过电介质侧壁暴露的第一开口的区域中，通过热氧化形成场释放氧化物(122)。所注入的掺杂剂扩散到衬底(102)中以形成漂移区(116)，横向延伸超过场释放氧化物(122)层。在形成场释放氧化物(122)层之后，移除电介质侧壁和氧化物掩模层。在场板式FET(110)的本体(120)上方以及在相邻的漂移区(116)上方形成栅极(130)。在场释放氧化物(122)的上方邻近栅极(130)直接形成场板(132)。
技术研发人员：H·L·爱德华兹;B·胡;J·R·托德
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：2017.01.23
技术公布日：2018.08.31