技术特征：
技术总结
一种纳米片晶体管的制造方法包括：在衬底上形成多个牺牲层和多个沟道层，其中所述牺牲层和所述沟道层交替布置；在最上面的沟道层上形成多个栅极，其中所述栅极彼此间隔开；在所述栅极的每一个上形成掩模；选择性地蚀刻所述栅极之间的牺牲层，其中通过所述蚀刻去除所述栅极之间的所述牺牲层；沿着所述栅极的侧壁以及在已经去除所述牺牲层的区域中沉积间隔件材料；以及蚀刻所述间隔件材料以沿着所述栅极的侧壁形成侧壁间隔件并且在所述沟道层之间形成内间隔件。
技术研发人员：姜明吉;宋炫昇;李相遇
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.01.08
技术公布日：2018.07.17