本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示屏及显示装置。
背景技术：
随着移动电子产品行业飞速发展，新产品不断更新换代，市场对移动显示电子产品存在越来越高的期许。例如，手机等产品由有边框向窄边框和无边框的方向发展。上下无边框直接影响了前置摄像头、感光器件以及产品标识的放置。传统的移动显示电子设备为实现无边框或者窄边框，可以在显示屏上开设槽体或者安装孔等来容纳相关设备，或者直接将相关设备移除。上述方案均无法真正实现全面屏显示。
技术实现要素：
基于此，有必要提供一种能够真正实现全面屏显示的显示屏及显示装置。
一种显示屏，包括：第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；
所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；
所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度。
在其中一个实施例中，在所述第一显示区中，按照第一方式共用子像素形成第一类发光单元；
在所述第二显示区中，按照第二方式共用子像素形成第二类发光单元；
在所述第三显示区中，按照第三方式排布子像素形成第三类发光单元。
在其中一个实施例中，所述第一类发光单元呈共边的一对三角形的形状分布。
在其中一个实施例中，所述第一类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和1个蓝色子像素，所述红色子像素、所述蓝色子像素位于公共边，所述绿色子像素位于另外两个顶点。
在其中一个实施例中，所述第二类发光单元呈共顶点的一对三角形的形状分布。
在其中一个实施例中，所述第二类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和2个蓝色子像素，所述红色子像素位于公共顶点，所述绿色子像素和蓝色子像素位于另外两个顶点。
在其中一个实施例中，所述第三类发光单元呈三角形的形状分布。
在其中一个实施例中，所述第三类发光单元为包括1个红色子像素、1个绿色子像素和1个蓝色子像素，所述三个子像素各自形成三角形的顶点。
本申请还提供一种显示装置，包括显示屏和屏下光敏模块；
所述显示屏包括：
第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；
所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；
所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度；
所述屏下光敏模块，其设置在所述第一显示区下方并且其能感应穿过所述显示屏的所述第一显示区和所述第二显示区照射进来的光。
在其中一个实施例中，所述屏下光敏模块为光电传感器、摄像头中至少其中之一。
本申请提供的技术方案至少具有如下有益效果：
通过调整显示屏设置摄像头处的子像素密度，既满足了摄像头正常显示的要求，又兼顾了摄像头处需保持较高透光率的要求，由于不用为前置摄像头预留位置，因此可以省去有效显示区上方的非显示区，扩大屏占比，优化使用感受，从而，可以解决非显示区的存在导致使用者的使用感受不佳的技术问题。
附图说明
图1为本申请实施例提供的有机发光显示装置的层状结构示意图。
图2为本申请提供的一种显示屏的子像素结构示意图。
图3为本申请提供的一种显示屏的子像素的另一种结构示意图。
图4为图2中第一类发光单元的子像素共用结构示意图。
图5为图2中第二类发光单元的子像素共用结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种制造有机发光显示装置的方法，可以包括以下步骤：
请参照图1，首先，准备基板11。基板11具有第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域。一组第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域可以构成一个像素区域。基板11可以具有多个像素区域。在一个实施例中，第一子像素区域可以是发射红光的子像素区域。第二子像素区域可以是发射绿光的子像素区域。第三子像素区域可以是发射蓝光的子像素区域。
基板11可以由诸如玻璃材料、金属材料或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺等的塑胶材料中合适的材料形成。薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)可以设置在基板11上。在一个实施例中，在形成TFT之前，可以在基板11上形成诸如缓冲层12的另外的层。缓冲层12可以形成在基板11的整个表面上，也可以通过被图案化来形成。
缓冲层12可以具有包括PET、PEN、聚丙烯酸酯和/或聚酰亚胺等材料中合适的材料，以单层或多层堆叠的形式形成层状结构。缓冲层12还可以由氧化硅或氮化硅形成，或者可以包括有机材料和/或无机材料的复合层。
TFT可以控制每个子像素的发射，或者可以控制每个子像素发射光时发射的量。TFT可以包括半导体层21、栅电极22、源电极23和漏电极24。
半导体层21可以由非晶硅层、氧化硅层金属氧化物或多晶硅层形成，或者可以由有机半导体材料形成。在一个实施例中，半导体层21包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区与漏区。
可以利用栅极绝缘层25覆盖半导体层21。栅电极22可以设置在栅极绝缘层25上。大体上，栅极绝缘层25可以覆盖基板11的整个表面。在一个实施例中，可以通过图案化来形成栅极绝缘层25。考虑到与相邻层的粘合、堆叠目标层的可成形性和表面平整性，栅极绝缘层25可以由氧化硅、氮化硅或其他绝缘有机或无机材料形成。栅电极22可以被由氧化硅、氮化硅和/或其他合适的绝缘有机或无机材料形成的层间绝缘层26覆盖。可以去除栅极绝缘层25和层间绝缘层26的一部分，在去除之后形成接触孔以暴露半导体层21的预定区域。源电极23和漏电极24可以经由接触孔接触半导体层21。考虑到导电性，源电极23和漏电极24可以由包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)或其他合适的合金中的至少一种材料的单一材料层或复合材料层形成。
由氧化硅、氮化硅和/或其他合适的绝缘有机或无机材料形成的保护层27可以覆盖TFT。保护层27覆盖基板11的全部或局部部分。由于具有复杂的层结构的TFT设置在保护层27下方。因此保护层27的顶表面可能不是足够平坦。因此有必要在保护层27上形成平坦化层28，以便形成足够平坦的顶表面。
在形成平坦化层28后，可以在保护层27和平坦化层28中形成通孔，以暴露TFT的源电极23和漏电极24。
然后，在平坦化层28上形成第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33。第一子像素电极31形成在第一像素区域。第二子像素电极32形成在第二子像素区域。第三子像素电极33形成在第三子像素区域。这里，第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33可以同时地或同步地形成。第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33中的每一个可以经过通孔电连接到TFT。这里的第一子像素电极31、第二子像素电极32、第三子像素电极33通常被称为阳极。
第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33中的每个可以形成透明电极(透反射式)或反射电极。当第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33形成透明电极(透反射式)电极时，可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)形成。
当第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33形成反射电极时，可由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、或这些材料中的任何材料混合形成的反射层，和由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等透明电极材料形成的辅助层，相叠加形成反射电极层。这里，第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33的结构和材料不限于此，并且可以变化。
在形成第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33之后，如图1所示，可以形成像素限定层41(PDL)。形成的PDL同时覆盖第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33。PDL可以通过具有对应每个子像素的开口(即暴露每个子像素的中心部分开口)来用于限定子像素。PDL可以由诸如聚丙烯酸酯和聚酰亚胺等材料中合适的有机材料或包括合适的无机材料的单一材料层或复合材料层形成。
PDL可以以下面的方式形成，即在基板11的整个表面上通过利用适于PDL的材料，形成用于PDL的层，以覆盖第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33。然后，将将PDL层图案化，以暴露第一子像素电极31、第二子像素电极32和第三子像素电极33的中心部分。
可以蒸镀发光材料形成发光层51。蒸镀材料覆盖第一子像素电极31没有被PDL层覆盖的一部分，覆盖第二子像素电极32没有被PDL层覆盖的一部分，覆盖第三子像素电极33没有被PDL层覆盖的一部分，以及PDL层的顶表面。
可以使用精密金属掩模板蒸镀发射红光、绿光和蓝光的发光材料。
然后，蒸镀形成覆盖第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域的对电极61。对电极61可以相对多个子像素一体形成，从而覆盖整个显示区域。对电极61通常被称为阴极。
对电极61接触显示区域外侧的电极供电线，从而电极供电线可以接收电信号。对电极61可以形成透明电极或反射电极。当对电极61形成透明电极时，对电极61可以包括通过沿朝着发光层方向沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或这些材料中的任何材料的混合材料而形成的层以及由包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明(透反射式)材料形成的辅助电极或汇流电极线。当对电极61形成为反射电极时，对电极61可以具有包括从Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中选择一种或多种材料的层。然而，对电极61的构造和材料不限于此，因此亦可以改变。
请参见图2，为本申请提供的一种显示屏，包括：第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；
所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；
所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度。
主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)是将有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)像素淀积或集成在TFT阵列上，通过TFT阵列来控制流入每个OLED像素的电流大小，从而决定每个像素点发光强度的显示技术。
本申请提供的实施方式中显示屏可以采用AMOLED技术制备。具体地制备方法请参见前述有机发光显示装置的方法。其中，所述第一显示区100的子像素密度小于所述第二显示区200的子像素密度。具体地实现方法可以是，采用PDL层限定开口以便沉积子像素。然后，采用蒸镀工艺，对PDL层限定的开口蒸镀子像素，以使第一显示区100的子像素密度低于所述第二显示区200的子像素密度。可以理解的是，通过PDL层限定的开口数量或者开口率可以实现子像素密度的控制。当然，可以使用相同的方法使得所述第二显示区200的子像素密度小于所述第三显示区300的子像素密度。
在显示屏的一种具体应用中，例如手机显示屏。传统的手机显示屏可以包括设置摄像头的第一显示区100和主要用于显示图像的第三显示区300。在图2所示的实施例中，第三显示区300作为显示屏的主显示区，分布于显示屏的中部。第一显示区100作为显示屏的辅显示区，分布于显示屏的上侧。应当指出的是，这里第一显示区100和第三显示区300之间的位置关系可以根据实际情形来调整。例如，第一显示区100可以位于第三显示区300的左侧、右侧或下侧。或者，第一显示区100分布于第三显示区300的周缘，将第三显示区300包围于中部。只要显示屏中具有两个相对的对光照强度不同要求的区域，就应当理解为未脱离本申请实质性保护的范围。同时，在第一显示区100和第三显示区300之间设置过渡的第二显示区200。
请参照图3为本申请提供的另一种实施方式，同样，在图3所示的实施例中，第三显示区300作为显示屏的主显示区，分布于显示屏的中部。第一显示区100作为显示屏的辅显示区，分布于显示屏的上侧。应当指出的是，这里第一显示区100和第三显示区300之间的位置关系可以根据实际情形来调整。例如，第一显示区100可以位于第三显示区300的左侧、右侧或下侧。或者，第一显示区100分布于第三显示区300的周缘，将第三显示区300包围于中部。只要显示屏中具有两个相对的对光照强度不同要求的区域，就应当理解为未脱离本申请实质性保护的范围。同时，在第一显示区100和第三显示区300之间设置过渡的第二显示区200。
通过调整显示屏设置摄像头处的子像素密度，既满足了摄像头正常显示的要求，又兼顾了摄像头处需保持较高透光率的要求，由于不用为前置摄像头预留位置，因此可以省去有效显示区上方的非显示区，扩大屏占比，优化使用感受，从而，可以解决非显示区的存在导致使用者的使用感受不佳的技术问题。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，在所述第一显示区中，按照第一方式共用子像素形成第一类发光单元；
在所述第二显示区中，按照第二方式共用子像素形成第二类发光单元；
在所述第三显示区中，按照第三方式排布子像素形成第三类发光单元。
请参照图2，可以理解的是，第一类发光单元采用图4所示的方式共用子像素。第二类发光单元采用图5所示的方式共用子像素。第三类发光单元则不共用子像素。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，所述第一类发光单元呈共边的一对三角形的形状分布。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，所述第一类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和1个蓝色子像素，所述红色子像素、所述蓝色子像素位于公共边，所述绿色子像素位于另外两个顶点。需要理解的是，由于有机发光二极管OLED是依靠发光材料来自发光的。而不同颜色的发光材料的衰减速率是不同的。通常来说，红色发光材料的衰减速率为三种颜色中最慢的，其发光寿命最长。另一方面，绿光为红色、绿色和蓝色中人眼最为敏感的颜色，因此，减少绿色子像素的数量，人眼会很容易的感受到。因此，本发明将红色子像素和蓝色子像素作为公用像素，以避免像素公用后对人眼视觉感知造成影响，并平衡各个颜色子像素的发光寿命。
具体地，请参见图4，第一类发光单元包括1个红色子像素、2个绿色子像素和1个蓝色子像素，所述红色子像素、所述蓝色子像素位于公共边，所述绿色子像素位于另外两个顶点，呈共边的一对三角形的形状分布。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，所述第二类发光单元呈共顶点的一对三角形的形状分布。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，所述第二类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和2个蓝色子像素，所述红色子像素位于公共顶点，所述绿色子像素和蓝色子像素位于另外两个顶点。在本实施例中，只将红色子像素作为公用像素，可以在减小像素密度的同时，平衡各颜色子像素的发光寿命。
具体地，请参见图5，第二类发光单元为包括1个红色子像素、2个绿色子像素和2个蓝色子像素，所述红色子像素位于公共顶点，所述绿色子像素和蓝色子像素位于另外两个顶点，呈共顶点的一对三角形的形状分布。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，所述第三类发光单元呈三角形的形状分布。
从图2中可以看出，在第三显示区300第三类发光单元可以认为三个子像素交替，呈三角形的形状分布。
在本申请提供的又一实施例中，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素分别为红色、绿色和蓝色。
第一子像素、第二子像素、第三子像素可以发出不同颜色的色光，例如可以是红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)三色。三个子像素发出的色光颜色互不相同。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，在所述第一显示区中，按照第一方式保留空白区素形成第一类发光单元；
在所述第二显示区中，按照第二方式保留空白区形成第二类发光单元；
在所述第三显示区中，按照第三方式排布子像素形成第三类发光单元。
请参照图3，在本申请提供的又一实施例中，所述第一显示区100的最小重复单元由一个像素单元和一个第一空白区组成，所述第一空白区能承载的像素单元的数量为一个。
这里的一个像素单元可以由第一子像素、第二子像素和第三子像素构成。具体地，所述第一显示区100的像素单元由两个红色子像素、两个绿色子像素和两个蓝色子像素六个子像素组成。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的任意一个可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一个。当然，第一子像素、第二子像素和第三子像素还可以是其他颜色的子像素。这里的第一空白区能承载的像素单元的数量为一个。
第二显示区200的最小重复单元由两个像素单元和一个第二空白区组成，所述第二空白区能承载的像素单元的数量为两个。
这里的一个像素单元可以由第一子像素、第二子像素和第三子像素构成。具体地，所述第二显示区200的像素单元由一个红色子像素、一个绿色子像素和一个蓝色子像素三个子像素组成。第一显示区100的最小重复单元由两个像素单元和一个第二空白区。第二空白区能承载的像素单元的数量为两个。
进一步地，在本申请提供的又一实施例中，所述相邻两行或两列分布的所述最小重复单元错位排列。
为了显示均匀，最小重复单元错位排列，以改善显示效果。具体地，可以是相邻两行或相邻两列的最小重复单元错位排列。由于最小重复单元错位排列，从而子像素或者空白区均匀分布。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，还提供一种显示装置，该显示装置包括显示屏和屏下光敏模块；
所述显示屏包括：
第一显示区、与所述第一显示区邻接的第二显示区、与所述第二显示区邻接并且位于所述第二显视区邻接所述第一显示区一侧的相对侧的第三显示区；
所述第一显示区的子像素密度小于所述第二显示区的子像素密度；
所述第二显示区的子像素密度小于所述第三显示区的子像素密度；
所述屏下光敏模块，其设置在所述第一显示区下方并且其能感应穿过所述显示屏的所述第一显示区和所述第二显示区照射进来的光。
对于显示屏、第一显示区100、第二显示区200、第三显示区300，前面部分已经做了详细说明，此处不再赘述。
本申请提供的一种具体应用中，屏下光敏模块可以是摄像头、光电传感器。光电传感器具体的可以是用于测量人面部是否靠近显示屏的红外传感器。
可以理解的是，这里的显示装置可以理解为一种独立的产品，例如手机、平板电脑等。显示装置还可以包括直流电源、直流电源或交流电源接口、存储器、处理器等。
这里的直流电源在具体的应用中可以为锂电池。直流电源或交流电源接口在具体的应用中可以为mirco-USB插接口。存储器可以为闪存芯片。处理器可以为具有运算功能的CPU、单片机等。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，所述屏下光敏模块为光电传感器、摄像头中至少其中之一。
当然，可以根据需要设置屏下光敏模块。该屏下光敏模块具体的可以为光电传感器、摄像头至少其中之一。
进一步地，在本申请提供的一种实施例中，所述屏下光敏模块嵌入所述显示屏下4mm-6mm。
可以理解的是，在显示屏内，随着光传播的深度逐渐变大，光照强度在衰减，当屏下光敏模块嵌入显示屏下4mm-6mm的深度时，既可以保证屏下光敏模块稳定的组装，又可以保证光照强度在需要的范围之内。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。