半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种半导体器件。为了减少半导体器件的大小。半导体器件包括：第一光发射元件，其发射具有第一波长的第一光以发送第一信号；第二光发射元件，其发射具有第二波长的第二光以发送第二信号；第一光接收元件，其接收第一光以接收第一信号；以及第二光接收元件，其在平面图中重叠第一光接收元件并且接收透过第一光接收元件的第二光以接收第二信号。

技术研发人员：藤井正浩
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2018.06.26
技术公布日：2019.01.15