本发明涉及一种显示面板，且特别涉及一种触控显示面板。
背景技术
近年来，具有触控功能的显示面板广泛应用于移动装置、公共信息看板及智能家电等范围。具有触控功能的显示面板(即触控显示面板)可分为内嵌式(in-cell)、外嵌式(on-cell)及外挂式(out-cell)等种类，其中内嵌式触控显示面板通过触控电极直接整合至显示面板的结构中，而具有较薄的厚度，因此已逐渐成为市场的主流。
为精简内嵌式触控显示面板的结构，内嵌式触控显示面板可利用设置于周边区的凸起物使上板的触控电极信号得以整合(或者说，导通)至下板的显示信号回路中。然而，凸起物的设计使得触控显示面板的上、下板在组立后容易发生分离，进而造成触控信号异常或可靠度的问题。因此，如何在利用凸起物精简内嵌式触控显示面板结构的同时，提升信赖性是各面板厂所面临的一个重要的课题。
技术实现要素：
本发明提供一种触控显示面板，可靠度佳。
本发明的触控显示面板，包括第一基板、多个像素结构、凸起物、第一导电元件、第二基板、触控电极、绝缘层、第二导电元件及密封件。第一基板具有由第一基板的内部向第一基板的边缘按序排列的显示区、周边区及密封区。多个像素结构设置于第一基板的显示区。凸起物设置于第一基板的周边区。第一导电元件覆盖凸起物。第二基板设置于第一基板的对向。触控电极设置于第二基板上，且与至少一像素结构重叠。绝缘层设置于第二基板上且覆盖触控电极，其中绝缘层具有凹槽。第二导电元件设置于绝缘层上且与触控电极电性连接，其中覆盖凸起物的第一导电元件与位于第二基板上的第二导电元件互相抵顶而电性接触。密封件设置于第一基板的密封区与绝缘层的凹槽之间，以连接第一基板与第二基板，其中密封件与绝缘层的凹槽的表面接触。
基于上述，本发明的实施例的触控显示面板，通过将密封件设置于触控基板的绝缘层的凹槽，能使密封件与触控基板的接触表面积增加，进而提升密封件与触控基板的附着力，以改善触控显示面板的可靠度(reliability)。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的触控显示面板的剖面示意图。
图2为本发明一实施例的触控显示面板的俯视图。
图3a至图3e为图1的触控显示面板的触控基板的制造流程剖面示意图。
图4a至图4c为本发明一实施例的触控显示面板的组立流程剖面示意图。
符号说明
1：像素阵列基板
2：触控基板
10：触控显示面板
100：第一基板
100a：边缘
110：第一绝缘层
120：第一平坦层
120a、140a～140d、140f、150a～150d、170b、220a、220b、240a、240b、th1～th4：接触窗
130：第一转接图案
131：导电元件
135、136：连接线
140：保护层
140e、241a：表面
141、241：凹槽
150：第二平坦层
150e、241b：贯孔
151、152、153、154：凸起物
151t、185t：顶面
160、163、164：第一导电元件
161：第一电极
162：第二转接图案
165：接垫
170：像素定义层
170a：开口
180：发光图案
185：隔离结构
190：第二电极
200：第二基板
210：触控电极
211：周边电极
220：第一子绝缘层
230：屏蔽电极
230a：屏蔽部
230b：连接部
231、232：第三转接图案
240：第二子绝缘层
250、253、254：第二导电元件
300：密封件
300a：颈部
aa：显示区
ba：接合区
ch：半导体图案
d：漏极
d1：第一方向
d2：第二方向
d3：第三方向
g：栅极
h1、h2、l：距离
lr：激光
p1：第一投影
p2：第二投影
pa：周边区
px：像素结构
s：源极
sa：密封区
t：主动元件
w1、w2：线宽
a-a’、b-b’、c-c’：剖线
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明一实施例的触控显示面板10的剖面示意图。图2为本发明一实施例的触控显示面板10的俯视图。特别是，图1对应图2的剖线a-a’、b-b’及c-c’。此外，为清楚示出，图2省略图1的像素结构px、第一绝缘层110、第一转接图案130、导电元件131、连接线135、连接线136、第一导电元件160、第二转接图案162、第三转接图案231、第三转接图案232及隔离结构185的示出。
请参照图1及图2，在本实施例中，触控显示面板10可包括像素阵列基板1、设置于像素阵列基板1的对向的触控基板2及密封件300，其中密封件300设置于像素阵列基板1与触控基板2之间，以使像素阵列基板1与触控基板2相连接。像素阵列基板1可包括第一基板100、多个像素结构px及凸起物151。请参照图2，第一基板100具有由第一基板100的内部向第一基板100的边缘100a按序排列的显示区aa、周边区pa及密封区sa。多个像素结构px设置于第一基板100的显示区aa。凸起物151设置在第一基板100的周边区pa。密封件300设置在第一基板100的密封区sa。举例而言，在本实施例中，显示区aa为圆形区域，周边区pa为环绕显示区aa的内环形区域，而密封区sa为环绕周边区pa及显示区aa的外环形区域。然而，本发明不以此为限，在其它实施例中，可视实际需求将显示区aa、周边区pa及/或密封区sa设计为其它适当形状。
请参照图1及图2，在本实施例中，像素阵列基板1还可包括数据线(未示出)及扫描线(未示出)，其中数据线在第一方向d1上延伸且沿着第二方向d2排列于第一基板100上，扫描线在第二方向d2上延伸且沿着第一方向d1排列于第一基板100上。举例而言，在本实施例中，第一方向d1与第二方向d2实质上互相垂直，但本发明不以此为限。在本实施例中，多个像素结构px可阵列排列于第一基板100的显示区aa内，其中每一像素结构px可包括设置于第一基板100上的主动元件t，且每一像素结构px通过主动元件t与对应的一条数据线及对应的一条扫描线电性连接，但本发明不以此为限。
请参照图1及图2，在本实施例中，主动元件t可包括薄膜晶体管，薄膜晶体管例如具有栅极g、半导体图案ch、源极s以及漏极d。举例而言，在本实施例中，栅极g设置在第一基板100上，且与对应的一条扫描线(未示出)电性连接。源极s设置在第一基板100上，且与对应的一条数据线(未示出)电性连接。源极s与漏极d分别与半导体图案ch的不同两区电性连接。举例而言，在本实施例中，半导体图案ch的结构可为单层或多层；半导体图案ch的材质可包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其他合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合。
在本实施例中，扫描线(未示出)与栅极g的材质可选择性地相同；也就是说，扫描线与栅极g可选择性地形成于同一膜层。另外，在本实施例中，数据线(未示出)、源极s与漏极d的材质可选择性地相同；也就是说，数据线、源极s与漏极d可选择性地形成于同一膜层。举例而言，在本实施例中，基于导电性的考量，数据线、扫描线、栅极g、源极s及漏极d的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，数据线、扫描线、栅极g、源极s及漏极d也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
请参照图1，在本实施例中，像素阵列基板1还可包括第一绝缘层110，第一绝缘层110设置于栅极g与半导体图案ch之间。此外，在本实施例中，半导体图案ch可以选择性地设置在栅极g上方，进而形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gatetft)。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，主动元件t也可是顶部栅极型薄膜晶体管(top-gatetft)或其它适当形式的薄膜晶体管。
在本实施例中，像素阵列基板1还可包括第一平坦层120、第一转接图案130、导电元件131、连接线135及连接线136。第一平坦层120可覆盖主动元件t、多条数据线(未示出)及部分的第一绝缘层110。第一平坦层120具有位于显示区aa的接触窗120a。在本实施例中，接触窗120a贯穿第一平坦层120，而重叠于漏极d的部分表面。第一转接图案130及导电元件131设置于第一平坦层120上。第一转接图案130填入第一平坦层120的接触窗120a以和主动元件t的漏极d电性连接。连接线135及连接线136设置于第一基板100上。举例而言，在本实施例中，连接线135及连接线136设置在第一平坦层120上，其中第一基板100可还具有接合区ba，显示区aa、周边区pa、密封区sa及接合区ba由第一基板100的内部向第一基板100的边缘按序排列，接合区ba位于密封件300外。特别是，在本实施例中，至少一条连接线135由周边区pa延伸至接合区ba而跨越密封区sa。
在本实施例中，像素阵列基板1还可包括保护层140及第二平坦层150。保护层140设置于第一基板100的显示区aa、周边区pa、密封区sa与接合区ba，且覆盖连接线135、连接线136、第一平坦层120的部分表面、第一转接图案130及导电元件131。第二平坦层150设置在第一基板100的显示区aa及周边区pa，且覆盖保护层140。在本实施例中，保护层140具有面向第二基板200的表面140e，第二平坦层150具有重叠于表面140e的贯孔150e，保护层140的表面140e及第二平坦层150的贯孔150e的侧壁定义凹槽141。密封件300设置于凹槽141，而可与保护层140的表面140e及第二平坦层150的贯孔150e的侧壁直接接触。通过将密封件300设置于凹槽141，能使密封件300与像素阵列基板1的接触表面积增加，进而提升密封件300与像素阵列基板1的附着力，以改善触控显示面板10的可靠度。举例而言，在本实施例中，保护层140及第二平坦层150的材质可选自氮化硅、氧化硅或其组合，但本发明不以此为限。在本实施例中，密封件300可以是玻璃材质(frit，玻璃料)，密封件300的材质可选自氧化硅、硼、铋或其组合，但本发明不以此为限。
在本实施例中，凸起物151设置在位于周边区pa的第二平坦层150上。举例而言，在本实施例中，凸起物151的材质与第二平坦层150的材质可以选择性地相同，其材质包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合，但本发明不以此为限。
像素阵列基板1还包括第一导电元件160。在本实施例中，第一导电元件160覆盖凸起物151，更具体地说，第一导电元件163共形地覆盖凸起物153，第一导电元件164共形地覆盖凸起物154。此外，保护层140具有分别设置于连接线135及连接线136上的接触窗140c及接触窗140d，第二平坦层150具有分别设置于连接线135及连接线136上方的接触窗150c、150d，其中覆盖凸起物153的第一导电元件163通过保护层140的接触窗140c及第二平坦层150的接触窗150c与连接线135电性连接，覆盖凸起物154的第一导电元件164通过保护层140的接触窗140d及第二平坦层150的接触窗150d与连接线136电性连接。举例而言，在本实施例中，接触窗140c与接触窗150c切齐，接触窗140d与接触窗150d切齐，也就是说，保护层140的接触窗140c及第二平坦层150的接触窗150c可利用同一掩模于同一蚀刻工艺中形成，保护层140的接触窗140d及第二平坦层150的接触窗150d可利用同一掩模于同一蚀刻工艺中形成，但本发明不以此为限。
在本实施例中，像素阵列基板1还包括设置于接合区ba的接垫165，其中覆盖凸起物153的第一导电元件163通过连接线135电性连接至接垫165。举例而言，在本实施例中，接垫165可设置于保护层140上，且通过保护层140的接触窗140f电性连接至连接线135，但本发明不以此为限。基于导电性的考量，接垫165、连接线135、136、第一转接图案130及导电元件131的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，接垫165、连接线135、连接线136、第一转接图案130及导电元件131也可使用其他合适的导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
在本实施例中，每一像素结构px还包括第一电极161，且第一电极161与主动元件t电性连接。举例而言，在本实施例中，第一电极161通过第二平坦层150的接触窗150a及保护层140的接触窗140a与第一转接图案130电性连接；也就是说，第一电极161通过第一转接图案130与主动元件t的漏极d电性连接。然而，本发明不以此为限，根据其他实施例，第一电极161也可利用其它适当方式电性连接至主动元件t的漏极d，举例而言，第一电极161也可贯穿第二平坦层150、保护层140及第一平坦层120而直接与主动元件t的漏极d电性接触。
在本实施例中，第二转接图案162通过第二平坦层150的接触窗150b及保护层140的接触窗140b电性连接至导电元件131。举例而言，在本实施例中，接触窗140a与接触窗150a切齐，接触窗140b与接触窗150b切齐，也就是说，保护层140的接触窗140a及第二平坦层150的接触窗150a可利用同一遮罩于同一蚀刻工艺中形成，保护层140的接触窗140b及第二平坦层150的接触窗150b可利用同一遮罩于同一蚀刻工艺中形成，但本发明不以此为限。
在本实施例中，每一像素结构px还包括像素定义层170、发光图案180及第二电极190。像素定义层170设置于第一电极161上且具有与第一电极161重叠的开口170a。发光图案180设置于像素定义层170的开口170a。举例而言，在本实施例中，像素定义层170的材质可以选择性地是有机绝缘材料。有机绝缘材料例如是聚亚酰胺、聚酯、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，pvp)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol，pva)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，ptfe)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)、或其它适合的有机绝缘材料。举例而言，在本实施例中，发光图案180的材质包括磷光有机电激发光材料、荧光有机电激发光材料、无机电激发光材料或上述至少两种材料的组合，但本发明不以此为限。
在本实施例中，像素阵列基板10还包括隔离结构185，其中隔离结构185设置于像素定义层170上且隔离相邻的两个像素结构px的发光图案180。第二电极190设置于发光图案180上。举例而言，在本实施例中，第二电极190共形地覆盖发光图案180、隔离结构185及像素定义层170的部分表面。第二电极190通过像素定义层170的接触窗170b电性连接至第二转接图案162。第二电极190可通过第二转接图案162电性连接至导电元件131，以具有参考电位，其中所述参考电位可以是接地电位、固定电位、浮置(floating)电位或其它适当形式的电位。
在本实施例中，第一电极161、第一导电元件160及第二转接图案162可属于同一膜层；也就是说，第一电极161、第一导电元件160及第二转接图案162可利用同一遮罩于同一工艺中形成，但本发明不以此为限。举例而言，在本实施例中，第一电极161可为反射式电极，第二电极190可为穿透式电极，其中反射式电极的材料包括具有高反射率的金属材料，而穿透式电极的材料包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层。然而，本发明不以此为限，根据其他的实施例，第一电极161与第二电极190也可皆为穿透式电极。
图3a至图3e为图1的触控显示面板10的触控基板2的制造流程剖面示意图。以下配合图3a至图3e举例说明触控基板2的制造流程及其结构。
请参照图3a，首先，提供第二基板200。第二基板200也具有由第二基板200的内部向第二基板200的边缘按序排列的显示区aa、周边区pa及密封区sa。接着，在第二基板200上形成触控电极210及周边电极211。触控电极210设置在第二基板200上且位于显示区aa上。周边电极211设置在第二基板200上且位于周边区pa上。请参照图2及图3a，在本实施例中，周边电极211在第一基板100上的垂直投影可呈环状的构型，且周边电极211的垂直投影位于凸起物151的垂直投影与密封件300的垂直投影之间。举例而言，在本实施例中，周边电极211可具有参考电位，其中所述参考电位可以是接地电位(ground)、固定电位、浮置(floating)电位或其它适当形式的电位。在本实施例中，基于导电性的考量，可选择性地使用金属材料制作触控电极210及周边电极211。使用金属材料制作的触控电极210例如是金属网状(metalmesh)电极，但本发明不以此为限。
请参照图3b，接着，形成第一子绝缘层220，以覆盖触控电极210、周边电极211及第二基板200的部分表面。在本实施例中，第一子绝缘层220具有位于显示区aa上的接触窗220a及位于周边区pa上的接触窗220b，接触窗220a及接触窗220b分别暴露出触控电极210的部分表面及周边电极211的部分表面。在本实施例中，第一子绝缘层220的材料例如是氧化硅，但本发明不以此为限。
请参照图3c及图2，接着，在第一子绝缘层220上形成屏蔽电极230及第三转接图案231、232。屏蔽电极230包括遮蔽触控电极210的屏蔽部230a以及由屏蔽部230a向外延伸的连接部230b(示出于图2)。屏蔽电极230的连接部230b通过位于周边区pa的多个接触窗th1～th4与周边电极211电性连接。第三转接图案231设置于显示区aa上，且填入第一子绝缘层220的接触窗220a与触控电极210电性连接。第三转接图案232设置于周边区pa上，且填入第一子绝缘层220的接触窗220b与周边电极211电性连接。在本实施例中，屏蔽电极230、第三转接图案231及第三转接图案232例如是属于第一透明导电层，其包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层，但本发明不以此为限。
请参照图3d，接着，在第一子绝缘层220上形成第二子绝缘层240，以覆盖屏蔽电极230及第一子绝缘层220的部分表面。在本实施例中，第二子绝缘层240具有位于周边区pa上的接触窗240b、位于密封区sa上的贯孔241b以及位于显示区aa的接触窗240a。接触窗240a及接触窗240b分别暴露出第三转接图案231的部分表面及第三转接图案232的部分表面。贯孔241b暴露出第一子绝缘层220的部分表面241a。在本实施例中，第二子绝缘层240的贯孔241b的侧壁及第一子绝缘层220面向第一基板100的表面241a定义出凹槽241。值得一提的是，凹槽241与接触窗240a及接触窗240b可于同一道蚀刻工艺中形成，因此凹槽241的设计不会增加额外工艺及生产成本。在本实施例中，第二子绝缘层240的材料例如是氧化硅，但本发明不以此为限。
请参照图3e，接着，在第二子绝缘层240上形成第二导电元件250。详言之，在本实施例中，第二导电元件253通过第二子绝缘层240的接触窗240a及第三转接图案231电性连接至触控电极210，第二导电元件254通过第二子绝缘层240的接触窗240b及第三转接图案232电性连接至周边电极211。于此，便完成本实施例的触控基板2。
图4a至图4c为本发明一实施例的触控显示面板10的组立流程剖面示意图。利用图4a至图4c所示的流程能组立像素阵列基板1与图3e的触控基板2，而形成图1所示的触控显示面板10，以下配合图4a至图4c举例说明。
请参照图4a，首先，提供触控基板2。接着，在触控基板2的凹槽241中涂布密封件300，使密封件300与第二子绝缘层240的凹槽241的表面241a及贯孔241b的侧壁接触。请参照图4b，接着，将像素阵列基板1设置于触控基板2的对向，以使密封件300设置于像素阵列基板1的凹槽141与第二子绝缘层240的凹槽241之间，使触控基板2的触控电极210及屏蔽电极230与像素阵列基板1的像素结构px在第三方向d3上重叠，且使触控基板2的第二导电元件250与像素阵列基板1的凸起物151重叠，其中第三方向d3垂直于第二方向d2。屏蔽电极230位于触控电极210与像素结构px之间。
请参照图4c，接着，组立像素阵列基板1与触控基板2，以使位于触控基板2的凹槽241的密封件300接触像素阵列基板1的凹槽141的表面(亦即，表面140e与贯孔150e的侧壁)。特别是，在本实施例中，覆盖凸起物151的第一导电元件160与位于第二基板200上的第二导电元件250互相抵顶而电性接触。详言之，覆盖凸起物153的第一导电元件163与位于第二基板200上的第二导电元件253互相抵顶而电性接触，因此，触控基板2的触控电极210可通过第三转接图案231、第二导电元件253、第一导电元件163及连接线135电性连接至像素阵列基板1的接垫165，而使触控电极210上的触控信号能传递至接垫165；类似地，覆盖凸起物154的第一导电元件164与位于第二基板200上的第二导电元件254互相抵顶而电性接触，因此，触控基板2的周边电极211可通过第三转接图案232、第二导电元件254及第一导电元件164电性连接至连接线136，以使触控基板2的周边电极211通过连接线136而具有上述的参考电位。
接着，再利用激光lr照射密封件300，因此，能使密封件300烧结(sintering)固化，进而固接触控基板2与像素阵列基板1。于此，便完成本实施例的触控显示面板10，其中图4c的触控显示面板10即图1的触控显示面板10。在本实施例中，由于触控基板2的密封区sa的遮光线路较少，因此，优选的是，激光lr由第二基板200的密封区sa的外侧向触控显示面板10内部传递以照射密封件300，但本发明不以此为限。
请参照图1，值得注意的是，通过将密封件300设置触控基板2的凹槽241，能使密封件300与触控基板2的接触表面积增加，进而提升密封件300与触控基板2的附着力，以增加触控显示面板10的可靠度。特别是，在本实施例中，密封件300与凹槽241表面(亦即，表面241a与贯孔241b的侧壁)接触，又定义凹槽241的第一子绝缘层220的表面241a及贯孔241b的侧壁的性质与密封件300的材料的性质相近，因此，密封件300与凹槽241表面(亦即，表面241a与贯孔241b的侧壁)的附着力更强，其超过密封件300与第二基板200(例如：玻璃)表面的附着力，有助于改善触控显示面板10的可靠度。
在本实施例中，凸起物151具有远离第一基板100的顶面151t，且顶面151t在第一基板100上的投影面积为a，而1μm2≤a≤10000μm2，如此可兼顾设置于凸起物151的顶面151t上的第一导电元件160与触控基板2的第二导电元件250之间的接触阻抗且使凸起物151的尺寸不致于过大而撑开像素阵列基板1与触控基板2。此外，凸起物151的顶面151t与第一基板100的距离为h1，隔离结构185的顶面185t与第一基板100的距离为h2，而h2≤h1。举例而言，在本实施例中，凸起物151的顶面151t与第一基板100的距离h1大于隔离结构185的顶面185t与第一基板100的距离h2。也就是说，相较于凸起物151，具有较小高度的隔离结构185可避免第二基板200上的第二导电元件250脱离凸起物151上的第一导电元件160，如此可提升第一导电元件160与第二导电元件250的接触成功率。
请参照图1及图2，在本实施例中，在平行第一基板100的投影平面上，密封件300具有颈部300a，颈部300a的线宽w1较密封件300的其它部位的线宽w2小。颈部300a为封装激光的烧结路径的起点与终点；也就是说，密封件300的颈部300a被烧结至少两次，因而具有较窄的线宽w1。在平行第一基板100的投影平面上，颈部300a具有第一投影p1，凸起物152具有第二投影p2，且第一投影p1与第二投影p2在平行于第一基板100的投影平面上的最短距离为l，而l≥1mm。由于密封件300的颈部300a被烧结至少两次，因此颈部300a的附着力比密封件300的其它部位的附着力差，通过将颈部300a与凸起物152维持适当的距离l，能避免像素阵列基板1与触控基板2因密封件300于颈部300a的附着力下降而被凸起物152撑开。
综上所述，本发明的实施例的触控显示面板，通过将密封件设置于触控基板的绝缘层的凹槽，能使密封件与触控基板的接触表面积增加，进而提升密封件与触控基板的附着力，以改善触控显示面板的可靠度。特别是，于一实施例中，密封件与触控基板的凹槽的表面接触，又定义所述凹槽的第一子绝缘层的表面及贯孔的侧壁的性质与密封件的材料的性质相近，因此，密封件与所述凹槽表面的附着力更强，其超过密封件与第二基板(例如：玻璃)表面的附着力，有助于更进一步地改善触控显示面板的可靠度。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。