1.一种空穴传输层，其特征在于：所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述P型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。
2.根据权利要求1所述的空穴传输层，其特征在于：所述钙钛矿材料的组成为AM1X，其中A包括Cs、CH3NH2、HC(NH2)2和Rb中的任意一种或两种以上的组合，M1包括Pb、Sn和Ge中的任意一种或两种以上的组合，X包括Cl、Br和I中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述低价态金属元素包括一价Cu+、Na+、Ag+、Rb+、Li+、K+和La+中的任意一种或两种以上的组合。
3.一种空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将M1X、M2X及有机溶剂混合后加热至40℃～80℃，反应得到混合反应液；
(2)对步骤(1)所获混合反应液进行成膜处理，形成薄膜层；以及
(3)对步骤(2)所获薄膜层进行一次退火处理；
(4)将经步骤(3)处理后的薄膜层置入包含AX的有机溶液，再经清洗、二次退火处理，形成空穴传输层；
其中，M1包括Pb、Sn和Ge中的任意一种或两种以上的组合；
M2为低价态金属元素，包括Cu+、Na+、Ag+、Rb+、Li+、K+和La+中的任意一种或两种以上的组合；
A包括Cs、CH3NH2、HC(NH2)2和Rb中的任意一种或两种以上的组合；
X包括Cl、Br和I中的任意一种或两种以上的组合。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)具体包括：将M1X粉末、M2X粉末与DMF混合，并加热至40℃～80℃，且持续搅拌30min～2h，得到所述混合反应液；优选的，在所述M1X粉末、M2X粉末与DMF混合形成的混合液中M1X的浓度为1mmol/ml-30mmol/ml，M2X的浓度为0.1mmol/ml-3mmol/ml；优选的，所述M2X的物质的量是M1X物质的量的1％-10％。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)具体包括：将步骤(1)所获混合反应液过滤后，至少通过旋涂、刮涂、喷涂或打印的方式形成薄膜层；优选的，过滤选用的滤纸孔径为1-3μm；和/或，所述步骤(3)中一次退火处理的退火温度为40-80℃，时间为5-10min。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)具体包括：将步骤(3)所获薄膜层于AX的异丙醇溶液中浸泡10-60min，而后用异丙醇清洗，之后进行二次退火，形成所述空穴传输层；优选的，所述二次退火的温度为80-120℃，时间为10-40min。
7.一种半导体光电器件，其特征在于：所述半导体光电器件包括空穴传输层，所述空穴传输层为权利要求1-2中任一项所述的空穴传输层；优选的，所述半导体光电器件为量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括依次设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极。
8.根据权利要求7所述的半导体光电器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质包括PEDOT：PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2和WSe2中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述电子传输层的材质包括ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述第一电极包括ITO导电玻璃；和/或，所述第二电极包括Al电极和/或Ag电极。
9.一种半导体光电器件的制备方法，包括制备空穴传输层的步骤，其特征在于：采用权利要求3-6中任一项所述的方法制备所述的空穴传输层。
10.一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制备第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤，其特征在于具体包括：采用权利要求3-6中任一项所述的方法制备所述的空穴传输层。