技术特征：
技术总结
本发明公开了一种主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件。该半导体器件包括衬底；衬底上的半导体堆叠体；各自设置在半导体堆叠体上的栅极、源极和漏极，其中栅极包含镍(Ni)；覆盖半导体堆叠体的表面的Si化合物；覆盖从Si化合物中露出的栅极的氧化铝(Al2O3)膜；和覆盖Al2O3膜和从Al2O3膜中露出的Si化合物的另一Si化合物。本发明的半导体器件的特征在于：Al2O3膜至少在栅极和漏极之间露出Si化合物。
技术研发人员：菅原健太;井上和孝
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2018.09.06
技术公布日：2019.03.12