1.一种半导体制造方法，其特征在于，该半导体制造方法包含：
利用一闪光灯与一第一光罩，照射一半导体层，使该半导体层的一第一部分变为一半熔融态，并且该半导体层的一第二部分变为一熔融态，其中该第一光罩包含一部分透光区域与一透光区域，该部分透光区域对应于该第一部分，该透光区域对应于该第二部分，该第一部分邻近该第二部分；
由该第一部分与该第二部分的一接面开始结晶化该第二部分，以形成一第二结晶部分；以及
该第一部分的晶格重新排列以形成一第一结晶部分。
2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，该第一结晶部分包含一微结晶部分。
3.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，该第二结晶部分包含一侧向结晶部分。
4.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，该第一光罩还包含一不透光区域，在利用该闪光灯与该第一光罩照射该半导体层之后，该不透光区域对应于该半导体层的一非结晶部分。
5.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，还包含：
利用该闪光灯与一第二光罩，照射该半导体层以改变该半导体层的一结晶状况。
6.一种半导体层，其特征在于，该半导体层包含：
一第一结晶部分，由一半熔融态的一第一部分结晶形成；以及
一第二结晶部分，由一熔融态的一第二部分结晶形成，
其中该半熔融态的该第一部分与该熔融态的该第二部分是由一闪光灯透过一第一光罩照射该第一部分与该第二部分而形成，该第一光罩包含一部分透光区域与一透光区域，该部分透光区域对应于该第一部分，该透光区域对应于该第二部分，该第一部分邻近该第二部分；该第二结晶部分是由该第一部分与该第二部分的一接面开始结晶化该第二部分而形成，该第一结晶部分是该第一部分的晶格重新排列而形成。
7.根据权利要求6所述的半导体层，其特征在于，该第一结晶部分包含一微结晶部分。
8.根据权利要求6所述的半导体层，其特征在于，该第二结晶部分包含一侧向结晶部分。
9.根据权利要求6所述的半导体层，其特征在于，还包含：
一非结晶部分，是由该闪光灯透过该第一光罩照射该半导体层而形成，其中该第一光罩还包含一不透光区域，该不透光区域对应于该非结晶部分。
10.根据权利要求6所述的半导体层，其特征在于，该闪光灯透过一第二光罩照射该半导体层以改变该半导体层的一结晶状况。