技术特征：
技术总结
本发明提供了碳化硅结势垒肖特基二极管，包括层叠设置的第一导电类型碳化硅衬底，第一导电类型碳化硅外延层；所述第一导电类型碳化硅外延层的上表面由中心向外依次设置有有源区、保护环和终端区；所述有源区包括间隔设置的多个第二导电类型结势垒区；所述保护环分为浅结和深结；所述浅结的结深和浓度与第二导电类型终端场限环相同；所述深结的结深和浓度与第二导电类型结势垒区相同。上述的结势垒二极管，使得终端效率与终端面积同时达到最优，同时，也可以提高浪涌能力和雪崩耐量。
技术研发人员：高秀秀;陶永洪;蔡文必
受保护的技术使用者：厦门市三安集成电路有限公司
技术研发日：2018.10.29
技术公布日：2019.04.02