阵列基板及显示装置的制作方法

文档序号:15495114发布日期:2018-09-21 21:31阅读:92来源:国知局

本实用新型涉及显示技术领域,具体地,涉及一种阵列基板及显示装置。



背景技术:

显示装置已被广泛地应用于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等的消费电子产品的显示屏幕。显示装置在制造过程或者使用过程中可能受到静电损害。

显示装置通常包括阵列基板和彩膜基板,在阵列基板的制造过程中,由于等离子体沉积、刻蚀和摩擦等的工艺容易产生静电积累,或者在使用过程中产生静电,导致在阵列基板上发生静电损伤,从而产生不良。并且,对于同层的多条信号线(例如栅线)来说,相邻的两条信号线之间会存在串扰问题。



技术实现要素:

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种阵列基板及显示装置,其能够解决在阵列基板上发生静电损伤及同层的相邻两条信号线之间会存在串扰的问题。

为实现本实用新型的目的而提供一种阵列基板,包括相互平行的多条第一信号线,以及与所述第一信号线交叉的第二信号线,且所述第二信号线与所述第一信号线异层设置,在相邻的两条所述第一信号线之间,与所述第一信号线同层设置有独立的导电衬垫。

可选的,每个所述导电衬垫通过过孔与一条所述第二信号线电连接。

可选的,所述过孔在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸;

所述过孔在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于等于2微米,且小于等于100微米;所述过孔在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于2微米,且小于等于30微米。

可选的,所述导电衬垫在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸。

可选的,所述导电衬垫在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于等于2微米,且小于等于100微米;所述导电衬垫在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于2微米,且小于等于30微米。

可选的,在所述第二信号线的与每条所述第一信号线相交叉的位置处设置有镂空部。

可选的,在所述第二信号线的与每条所述第一信号线的每个相交叉位置处,所述镂空部为多个,且多个所述镂空部沿所述第一信号线的延伸方向间隔分布。

可选的,所述阵列基板还包括衬底基板和绝缘层,其中,

所述第一信号线和所述导电衬垫设置在所述衬底基板上;

所述绝缘层设置在所述衬底基板上,且覆盖所述第一信号线和所述导电衬垫;所述第二信号线设置在所述绝缘层上。

可选的,在所述衬底基板所在平面上,所述第二信号线的正投影完全覆盖所述导电衬垫的正投影。

可选的,在所述衬底基板所在平面上,所述过孔的正投影完全覆盖所述导电衬垫的正投影,且所述过孔的正投影面积大于或者等于所述导电衬垫的正投影面积。

可选的,所述第一信号线为栅线;所述第二信号线为公共电极线。

可选的,所述第二信号线与数据线同层设置。

作为另一个技术方案,本实用新型还提供一种显示装置,其包括本实用新型提供的上述阵列基板。

本实用新型具有以下有益效果:

本实用新型提供的阵列基板,其在相邻的两条第一信号线之间,与该第一信号线同层设置有独立的导电衬垫。该导电衬垫设置在相邻的两条第一信号线之间,可以起到屏蔽作用,从而可以避免相邻的两条第一信号线之间产生串扰。同时,导电衬垫还会和与之相邻的各个第一信号线之间形成电容,该电容能够提升第一信号线的去耦能力,增强其抗干扰能力,从而达到抑制静电的效果,避免在阵列基板上发生静电损伤。

本实用新型提供的显示装置,其通过采用本实用新型提供上述阵列基板,不仅可以避免相邻的两条信号线之间产生串扰,而且还可以避免在阵列基板上发生静电损伤。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板的俯视图;

图2为本实用新型实施例中第一信号线和导电衬垫的俯视图;

图3为沿图1中A-A线的剖视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图来对本实用新型提供的阵列基板及显示装置进行详细描述。

请一并参阅图1至图3,本实用新型实施例提供的阵列基板,其包括相互平行的多条第一信号线2,以及与第一信号线2交叉的第二信号线6,且该第二信号线6与第一信号线2异层设置。

而且,在相邻的两条第一信号线2之间,且与该第一信号线2同层设置有独立的导电衬垫3。如图2所示,所谓独立的导电衬垫3,是指该导电衬垫3相对于与之相邻的两条第一信号线2独立,导电衬垫3不与相邻两条第一信号线2接触,即,导电衬垫3与相邻两条第一信号线2是绝缘的。

通过在相邻的两条第一信号线2之间设置导电衬垫3,可以起到屏蔽相邻两条第一信号线2的作用,从而可以避免相邻的两条第一信号线2之间产生串扰。同时,导电衬垫3还会和与之相邻的各个第一信号线2之间形成电容。该电容提升第一信号线2的去耦能力,增强其抗干扰能力,从而达到抑制静电的效果,避免在阵列基板上发生静电损伤。

同时,通过使导电衬垫3与第一信号线2同层设置,可以采用一次光刻工艺同时形成导电衬垫3与第一信号线2,具体地,通过同一次薄膜沉积工艺和同一次光刻工艺,在衬底基板上同时形成导电衬垫3与第一信号线2,从而可以节省工序,提高工艺效率。在实际应用中,导电衬垫3与第一信号线2可以采用相同厚度,相同材料制作。

具体地,上述电容达到抑制静电效果的原理为:静电是一种宽频信号,上述电容能够为该宽频信号提供一条更好的释放路径,而不会耦合到敏感电路,从而达到抑制静电的效果,避免在阵列基板上发生静电损伤。

可选的,该导电衬垫3通过过孔5与一条第二信号线6电连接,从而导电衬垫3能够和与之相邻的各个第一信号线2之间形成电容。

在本实施例中,第二信号线6位于第一信号线2的上方。具体地,如图3所示,阵列基板还包括衬底基板1和绝缘层4,其中,第一信号线2和导电衬垫3设置在衬底基板1上。绝缘层4设置在衬底基板1上,且覆盖第一信号线2和导电衬垫3。第二信号线6设置在绝缘层4上。

可选的,在衬底基板1所在平面上,第二信号线6的正投影完全覆盖导电衬垫3的正投影,从而可以最大程度地增加二者的接触面积。

可选的,导电衬垫3在第一信号线2的延伸方向上的尺寸大于在垂直于第一信号线2的延伸方向上的尺寸。这样,可以增大导电衬垫3与第一信号线2的相对面积,从而可以增强屏蔽效果。

在实际应用中,导电衬垫3在第一信号线2的延伸方向上的尺寸大于等于2微米,且小于等于100微米;导电衬垫3在垂直于第一信号线2的延伸方向上的尺寸大于2微米,且小于等于30微米。

可选的,过孔5在第一信号线2的延伸方向上的尺寸大于在垂直于第一信号线2的延伸方向上的尺寸。过孔5在第一信号线2的延伸方向上的尺寸大于等于2微米,且小于等于100微米;过孔5在垂直于第一信号线2的延伸方向上的尺寸大于2微米,且小于等于30微米。

可选的,如图1所示,在第二信号线6所在平面上,过孔5的正投影完全覆盖导电衬垫3的正投影,且过孔5的正投影面积大于导电衬垫3的正投影面积。这样,可以最大程度地增大过孔5分别与导电衬垫3和第二信号线6的接触面积,从而可以保证电导通良好。

可选的,在第二信号线6的与每条第一信号线2相交叉的位置处设置有镂空部7。借助镂空部7,可以减少第二信号线6与第一信号线2的相对面积,从而可以减小在第二信号线6与第一信号线2之间产生的寄生电容。

在本实施例中,在第二信号线6的与每条第一信号线2的每个相交叉位置处,镂空部7为多个,且多个镂空部7沿第一信号线2的延伸方向间隔分布。这样可以进一步减少第二信号线6与第一信号线2的相对面积。

可选的,第一信号线2可以为栅线;第二信号线6可以为公共电极线。进一步的,第二信号线6为公共电极线与数据线同层设置。

综上所述,本实用新型提供的阵列基板,其在相邻的两条第一信号线之间,与该第一信号线同层设置有独立的导电衬垫。该导电衬垫设置在相邻的两条第一信号线之间,可以起到屏蔽作用,从而可以避免相邻的两条第一信号线之间产生串扰。同时,导电衬垫还会和与之相邻的各个第一信号线之间形成电容,该电容能够提升第一信号线的去耦能力,增强其抗干扰能力,从而达到抑制静电的效果,避免在阵列基板上发生静电损伤。

作为另一个技术方案,本实用新型还提供一种显示装置,其包括本实用新型提供的上述阵列基板。

本实用新型提供的显示装置,其通过采用本实用新型提供上述阵列基板,不仅可以避免相邻的两条信号线之间产生串扰,而且还可以避免在阵列基板上发生静电损伤。

可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

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