1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
衬底；
堆叠结构，形成于所述衬底之上，包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的栅极和层间绝缘层，并具有位于端部的若干层台阶；
所述栅极具有沿自所述衬底指向所述堆叠结构的方向突出的增厚部，所述增厚部位于所述台阶的顶面；
绝缘的原子层沉积层，与所述台阶的侧壁接触以用于电性隔离相邻两层台阶中的所述栅极。
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极具有厚度均匀的栅极本体部，所述增厚部位于所述栅极本体部之上；
所述增厚部的边缘沿水平方向突出于所述栅极本体部的边缘。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极本体部的厚度为5nm～25nm，所述增厚部的厚度为15nm～35nm。
4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，位于台阶区域的所述栅极与插塞的一端连接，所述插塞的另一端与互连结构连接；
若干层所述栅极沿垂直于所述衬底的方向依次排列；
相邻的两个第奇数层所述栅极中，较靠近所述衬底的所述栅极的边缘沿水平方向突出于另一层所述栅极的边缘，与所述第奇数层的所述栅极连接的插塞沿第一方向排列。
5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，相邻的两个第偶数层所述栅极中，较靠近所述衬底的所述栅极的边缘沿水平方向突出于所述另一层所述栅极的边缘，与所述第偶数层的所述栅极连接的插塞沿第二方向排列；
所述第一方向与所述第二方向呈设定角。
6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述原子层沉积层的材料为二氧化硅。
7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述原子层沉积层的厚度为5nm～20nm。
8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为3D NAND存储器。
9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述层间绝缘层为化学气相沉积层。
10.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：至少覆盖所述若干层台阶的介电层，所述介电层为HDP层或FSG层；
所述介电层至少与所述原子层沉积层、增厚部接触。