一种使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘的制作方法

本实用新型涉及半导体湿式制程设备领域，具体涉及一种使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘。

背景技术：

晶粒在封装切割后若须再进行湿式制程处理，只能单颗单颗进行，无法自动化批量处理，不但耗时费工且品质良率不佳。因此，对于需要大量批次处理的晶粒。目前通常采用的手段是在承载盘的上部加设上盖，再将承载盘转移至特定载具进行化学微蚀刻。但是，现有的上盖只是加盖在承载盘上，缺乏对晶粒的固定结构，使得承载盘的固定不够紧密，晶粒容易发生位移，造成转移或蚀刻过程中晶粒的良率较低。而且在承载盘载台对晶粒承载盘固定后处理或上盖载台移取上盖的过程中，即晶粒承载盘的分离和结合过程中，容易使晶粒发生位移，影响化学蚀刻处理和蚀刻处理完成后的加工过程。

技术实现要素：

为了解决上述的技术问题，本实用新型的目的在于提供一种使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘，通过在上盖载台和承载盘载台上设置顶块，与内扣配合，方便承载盘和上盖的结合与分离，同时上盖与承载盘结合紧密，在承载盘转移、晶粒化学蚀刻处理过程中，晶粒不容易发生位移，提高了蚀刻处理后的晶粒良率。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：

一种使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘，包括承载盘、上盖，承载盘上矩形阵列分布有晶粒，其特征在于，所述上盖的顶部设有用于分离上盖与承载盘的上盖载台，所述承载盘的底部设有用于结合承载盘的承载盘载台；

所述上盖包括：上盖本体、盖合边，盖合边设于上盖本体的四个边的端部，盖合边的内侧设有平行的滑轨，上盖本体与盖合边之间形成有上盖内扣；

所述承载盘包括：承载盘本体、被盖合边，被盖合边设于承载盘本体的四个边的端部，被盖合边的长度与滑轨的长度一致，承载盘本体与被盖合边之间形成有承载盘内扣；

所述上盖载台的四个角设有与上盖内扣过盈配合的上盖顶块，所述承载盘载台的四个角设有与承载盘内扣过盈配合的承载盘顶块。

作为本实用新型进一步的方案，所述被盖合边上设有若干条平行的凸出部，滑轨的表面设有与凸出部配合的若干条平行的凹槽。

作为本实用新型进一步的方案，所述上盖本体的底面设有圆形凹槽，圆形凹槽内固定安装有真空吸盘。

作为本实用新型进一步的方案，所述上盖内扣、承载盘内扣呈长方体凹槽状，所述上盖顶块、承载盘顶块呈长方体状。

本实用新型的有益效果：

1、本实用新型使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘，通过在上盖载台和承载盘载台上分别设置上盖顶块、承载盘顶块，与上盖内扣、承载盘内扣过盈配合，方便上盖载台、承载盘载台对承载盘和上盖的结合与分离，同时上盖与承载盘在晶粒处理过程中结合紧密，在承载盘转移、晶粒化学蚀刻处理过程中，晶粒不容易发生位移，提高了蚀刻处理后的晶粒良率。

2、被盖合边能够在盖合边内的滑轨内上下滑动，方便上盖与承载盘的结合与分离，同时凹槽和凸出部配合，能够增大被盖合边与盖合边之间的摩擦力，真空吸盘有利于上盖底部对承载盘本体表面的吸取，使得上盖对承载盘的盖合紧密，提高了晶粒转移和处理过程中的稳定性。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

图1是使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘的分解结构示意图。

图2是承载盘的结构示意图。

图3是上盖的主视图。

图4是上盖的后视图。

图中：100、承载盘，110、承载盘本体，120、被盖合边，121、凸出部，130、承载盘内扣，200、上盖，210、上盖本体，211、真空吸盘，220、盖合边，221、滑轨，222、凹槽，230、上盖内扣，300、晶粒，400、上盖载台，410、上盖顶块，500、承载盘载台，510、承载盘顶块。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1所示，本实施例提供了一种使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘，包括承载盘100、上盖200，承载盘100上矩形阵列分布有晶粒300。上盖200的顶部设有用于分离上盖与承载盘的上盖载台400，承载盘100的底部设有用于结合承载盘的承载盘载台500。

参阅图2所示，承载盘100包括：承载盘本体110、被盖合边120，被盖合边120设于承载盘本体110的四个边的端部，被盖合边120的长度与滑轨221的长度一致，承载盘本体110与被盖合边120之间形成有承载盘内扣130，被盖合边120上设有若干条平行的凸出部121。上盖本体210的底面设有圆形凹槽，圆形凹槽内固定安装有真空吸盘211。作为优选，承载盘内扣130呈长方体凹槽状，也可成正方体状或具有曲线的凹槽形状。

参阅图3-4所示，上盖200包括：上盖本体210、盖合边220，盖合边220设于上盖本体210的四个边的端部，盖合边220的内侧设有平行的滑轨221，上盖本体210与盖合边220之间形成有上盖内扣230。滑轨221的表面设有与凸出部121配合的若干条平行的凹槽222。作为优选，上盖内扣230呈长方体凹槽状，也可呈正方体状或具有曲面的凹槽形状。

参阅图1所示，上盖载台400的四个角设有与上盖内扣230过盈配合的上盖顶块410，承载盘载台500的四个角设有与承载盘内扣130过盈配合的承载盘顶块510。作为优选，上盖顶块410、承载盘顶块510呈长方体状，也可呈正方体状或具有曲面的形状，但需要分别与上盖顶块、承载盘顶块过盈配合。

本实施例的使用顶块加盖与取盖的晶粒承载盘，工作过程如下：

1)将晶粒300矩形阵列放置在承载盘本体110上，放置完成后，承载盘载台500带动承载盘顶块510上顶，承载盘顶块510过盈配合地卡合在承载盘内扣130外，使得承载盘内扣130上顶并卡合在上盖内扣230内，同时真空吸盘211吸取承载盘本体110的上表面，被盖合边120的凸出部121卡合在盖合边220的凹槽222内，使得上盖200与承载盘100紧密结合，晶粒不易位移，进行晶粒的化学蚀刻处理；

2)晶粒蚀刻处理完毕后，上盖载台400带动上盖顶块410下顶，使得上盖顶块410过盈配合地卡合在上盖内扣230外，上盖载台400向上移动，取消真空吸盘211的吸取，上盖载台400带动上盖200脱离承载盘100，使得上盖200与承载盘100分离。

以上内容仅仅是对本实用新型结构所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离实用新型的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。