1.一种集成LDMOS的JFET器件，其特征在于，LDMOS的漂移区和JFET的漂移区共用，LDMOS的漏区和JFET的漏区共用，所述器件包括：
P型衬底，所述P型衬底上开设有接触孔；
N型深阱，所述N型深阱形成于所述P型衬底中，JFET的漂移区形成于所述N型深阱中，所述N型深阱包括JFET沟道浅结和LDMOS沟道深结并形成阶梯型结构；
第一P型阱区，所述第一P型阱区形成于所述N型深阱中，LDMOS的沟道区形成于所述第一P型阱区中，所述LDMOS的沟道区表面形成有多晶硅栅；
第二P型阱区，所述第二P型阱区形成于所述P型衬底中，所述第二P型阱区位于所述N型深阱的JFET沟道浅结的外侧，JFET的沟道区形成于所述第二P型阱区中；
LDMOS的源区由形成于所述第一P型阱区表面的N型重掺杂区形成，LDMOS的体区由形成于所述第一P型阱区表面的P型重掺杂区形成，LDMOS的源区与所述多晶硅栅的第一侧自对准，LDMOS的源区通过所述P型衬底上的接触孔引出为LDMOS的源极，LDMOS的体区通过所述P型衬底上的接触孔引出为LDMOS的体区；LDMOS的漏区由形成于所述N型深阱的LDMOS沟道深结表面的N型重掺杂区形成，所述LDMOS的漏区位于所述多晶硅栅的第二侧的外部，所述LDMOS的漏区通过所述P型衬底上的接触孔引出为LDMOS的漏极；所述第一P型阱区和所述LDMOS的漏区之间的所述N型深阱的表面形成有第一场氧化层，所述第一场氧化层和所述LDMOS的漏区自对准，所述第一场氧化层和所述第一P型阱区间隔预定距离；所述多晶硅栅的第二侧延伸到所述第一场氧化层的表面，所述多晶硅栅的第二侧通过所述P型衬底上的接触孔引出为LDMOS的栅极；所述N型深阱的LDMOS沟道深结还形成有第一P型TOP层；
JFET的源区由形成于所述N型深阱的JFET沟道浅结表面的N型重掺杂区形成，所述JFET的源区位于所述多晶硅栅的第一侧的外部，所述JFET的源区通过所述P型衬底上的接触孔引出为JFET的源极；所述JFET的源区和所述第一P型阱区之间的所述N型深阱的表面形成有第二场氧化层，所述第二场氧化层分别与所述JFET的源区和所述第一P型阱区自对准；所述第二场氧化层的表面形成有多晶硅场板，所述多晶硅场板通过所述P型衬底上的接触孔引出为JFET的栅极；JFET的体区由形成于所述第二P型阱区表面的P型重掺杂区形成，所述JFET的体区通过所述P型衬底上的接触孔引出为JFET的体区；所述N型深阱的JFET沟道浅结还形成有第二P型TOP层，所述第二P型TOP层向所述第二P型阱区延伸并与所述第二P型阱区短接。
2.根据权利要求1所述的集成LDMOS的JFET器件，其特征在于，
所述N型深阱的JFET沟道浅结的长度为10～20μm。