专利名称：用于制造光电子器件的方法和光电子器件的制作方法
用于制造光电子器件的方法和光电子器件提出了一种用于制造光电子器件的方法。此外，提出了一种光电子器件。出版物DE 20 2006 006 610 Ul涉及一种带有电路的壳体。一个要解决的任务在于，提出一种方法，其中将光学部件有效地安装在支承体上。 另一要解决的任务在于，提出一种光电子器件，其中光学部件持久地安装在支承体上。根据所述方法的至少一个实施形式，该方法包含提供支承体的步骤。支承体设计为使得其上可以安装至少一个光电子半导体芯片。优选的是，支承体具有至少40W/(m K)、 尤其是至少110W/(m K)的高导热性。支承体可以是电路板、印刷电路板(缩写为PCB)、陶瓷或者半导体材料。支承体可以包括电印制导线，其可以安装在支承体的衬底材料中、衬底材料上或者衬底材料旁。印制导线譬如可以用于电激励所述至少一个光电子半导体芯片。根据该方法的至少一个实施形式，该方法包含将至少一个第一金属层施加在支承体上的步骤。第一金属层设计用于促进支承体和光学部件之间的机械连接。第一金属层尤其是并不用于电接触或者电连接所述至少一个光电子半导体芯片。第一金属层优选与光电子半导体芯片电绝缘。第一金属层的施加可以通过光刻工艺、气相淀积和/或电镀方法来进行。根据该方法的至少一个实施形式，该方法包含提供至少一个光学部件的步骤。光学部件可以是透镜、滤光器、散射板或者遮盖窗。光学部件对于要由半导体芯片接收或者发射的电磁辐射至少局部地是透射或者部分透射的。根据该方法的至少一个实施形式，该方法包含将至少一个第二金属层施加在所述至少一个光学部件上的步骤。也如第一金属层，第二金属层设计用于建立光学部件和支承体之间的机械连接。第二金属层的施加可以类似于第一金属层的施加地进行。第一金属层和/或第二金属层也可以构建为金属层序列。例如，第一金属层和/ 或第二金属层包括铬和金构成的子层或者镍、钯和金构成的子层。根据该方法的至少一个实施形式，该方法包含将支承体与所述至少一个光学部件机械连接的步骤。该机械连接通过所述至少一个第一金属层和所述至少一个第二金属层实现并且包含摩擦焊接。摩擦焊接尤其是通过超声波来实现。在连接时，所述至少一个第一金属层和所述至少一个第二金属层至少间接地彼此连接。换言之，例如直接在第一金属层和第二金属层之间形成摩擦焊接缝。同样可能的是，在第一金属层和第二金属层之间设置至少一个中间层，并且通过该至少一个中间层将第一金属层和第二金属层间接地彼此机械固定连接。在任何情况中，至少第一金属层或第二金属层都具有至摩擦焊接缝的直接接触。 也可能的是，金属层完全或者部分地包括摩擦焊接缝。在用于制造光电子器件的方法的至少一个实施形式中，该方法包括以下步骤-提供支承体，-在支承体上施加至少一个第一金属层，-提供至少一个光学部件，-将至少一个第二金属层施加在所述至少一个光学部件上，以及-将支承体与所述至少一个光学部件通过所述至少一个第一金属层和所述至少一个第二金属层机械连接。所述连接包含摩擦焊接。在支承体和光学部件通过金属层机械连接的情况下，在此并未出现连接装置的熔融，如在焊接情况下那样。同样较少地使用液相或者粘稠的相，例如粘合剂。由此，可以避免连接装置在液态或者粘稠状态中扩展或者延伸到支承体或者光学部件的区域上。例如在焊剂情况下(其在连接期间液化)存在的危险是，焊剂润湿印制导线并且会导致在支承体上的短路，或者沾污光学部件。在粘合剂的情况下，例如间隙移动性 (Spaltgaengigkeit)(即粘合剂蔓延到或者流到裂缝或者间隙中的可能性)或者流动特性难以可重复地保证。因此，譬如粘合剂的限制(只要其以液相或者粘稠的相存在)会与例如支承体的费事的造型相联系。这种造型可以是物理阻挡物，液态的粘合剂并不能越过该阻挡物。由于粘合剂的延伸，例如会污染印制导线或者焊接面。由此，需要在粘合过程之后对例如支承体进行费事的清洁。在摩擦焊接情况下，处于固态聚集状态中的金属层彼此连接。于是，并不出现彼此要连接的部分的完全或者大部分液化。连接部位的空间伸展由此可以明确地限定。此外， 在摩擦焊接情况下通过金属提供连接面。尤其是不同于包含有机材料的粘合剂，这种类型的连接耐受侵蚀性介质例如清洁剂或者盐水。此外，例如不同于聚合物，金属耐受光作用和升高的温度(如其在要制造的光电子器件工作中会出现的那样)。根据该方法的至少一个实施形式，在连接支承体和光学部件时，将支承体加热到 0°C到200°C之间的温度，尤其是在130°C到170°C之间的温度，其中包括端值。于是，连接在比较适度的温度情况下进行，使得譬如对于光电子半导体芯片并不出现大的热负载。根据该方法的至少一个实施形式，在连接支承体和光学部件之前将所述至少一个光电子半导体芯片施加在支承体上。根据该方法的至少一个实施形式，以IN到90N、尤其是30N到50N之间(其中包括端值)的挤压力将光学部件在与支承体连接时按压到支承体上。根据该方法的至少一个实施形式，仅仅通过光学部件将超声功率馈入用于摩擦焊接。换言之，并没有超声波通过支承体引导至第一金属层和/或第二金属层。这降低了在连接期间光电子半导体芯片的机械负荷。尤其是由此可以减少微小裂缝，其会导致缩短光电子半导体芯片的寿命。根据该方法的至少一个实施形式，超声波的频率在40kHz到IOOkHz之间，尤其是在55kHz到65kHz之间，其中包括端值。根据该方法的至少一个实施形式，在将支承体和光学部件连接时馈入的超声功率在0. Iff到2. OW之间，其中包括端值，尤其是在0. 5W到0. 7W之间。根据该方法的至少一个实施形式，超声功率在0. 2秒到2. 0秒之间、尤其是在0. 5 秒到1.0秒之间(其中包括端值)的持续时间中被施加。根据该方法的至少一个实施形式，以光刻方式和/或借助线结合器将至少一个连接基座(英语formecting Bump，连接块)施加到所述至少一个第一金属层和/或所述至少一个第二金属层上。连接基座可以点状或者线状地构建。连接基座的厚度超过第一金属层和第二金属层的厚度，优选至少3倍，优选至少5倍。所述至少一个连接基座例如是间隔保持器，其限定了第一金属层和第二金属层之间的距离。尤其是，连接基座并非是在将支承体和光学部件连接时大部分或者完全熔融的焊接球或者焊接垫。根据该方法的至少一个实施形式，第一金属层和第二金属层和(如果存在)连接基座以及摩擦焊接缝没有连接装置。换言之，金属层、连接基座和摩擦焊接缝尤其是不包括焊剂和有机粘合剂。此外，提出了一种光电子器件。光电子器件可以借助该方法的前述实施形式来制造。光电子器件可以具有如结合方法所说明的至少一个特征。同样可能的是，上述方法具有结合光电子器件的实施例在下文中所描述的特征。根据光电子器件的至少一个实施形式，该光电子器件包括支承体。支承体具有主侧，在该主侧上安装有至少一个光电子半导体芯片。例如，半导体芯片是发光二极管或者激光二极管。光电子半导体芯片可以是薄膜芯片，如其在出版物WO 2005/081319 Al或者在出版物DE 10 2007 004 304 Al中所说明的那样。这些出版物的关于在那里描述的半导体芯片以及在那里描述的制造方法的公开内容通过引用结合于此。根据光电子器件的至少一个实施形式，第一金属层安装在支承体的主侧上。第一金属层在此覆盖了支承体的主侧面积的优选最多30%，尤其是最多10%。第一金属层可以点状线状和/或框架状地施加到支承体的主侧上。根据光电子器件的至少一个实施形式，在光学器件上有所述至少一个第二金属层。第二金属层于是施加到光学部件上，使得其朝向支承体的主侧。根据光电子器件的至少一个实施形式，摩擦焊接缝在第一金属层和第二金属层之间或者被第一金属层和第二金属层完全或者至少部分地包围。通过摩擦焊接缝将光学部件以机械方式与支承体连接。尤其是光学部件和支承体仅仅通过摩擦焊接缝以机械方式彼此连接。摩擦焊接缝的面积(与支承体的主侧平行地)近似与第一金属层和第二金属层的面积相同。例如，第一金属层和第二金属层以及摩擦焊接缝的面积彼此偏差小于30 %，尤其是小于10%。根据光电子器件的至少一个实施形式，摩擦焊接缝直接在所述至少一个第一金属层上和/或直接在所述至少一个第二金属层上或者被它们完全或者部分包围。换言之，摩擦焊接缝的材料至少以金属层的一种材料形成或者由金属层的该材料构成。摩擦焊接缝在此情况下是建立要连接的部分之间的机械连接的层。在摩擦焊接缝的区域中，会存在要连接的部分的材料的混合物。由于超声焊接，在摩擦焊接缝的区域中也会存在要连接的材料组分的微观啮合。摩擦焊接缝尤其是具有对于摩擦焊接典型的特征，其譬如为电子显微镜研究所用。也就是说，摩擦焊接缝是客观的特征，其可以借助制成的光电子部件来证明。在光电子器件的至少一个实施形式中，光电子器件包括带有至少一个光电子半导体芯片的支承体，该半导体芯片施加在支承体的主侧上。此外，光电子器件具有在支承体的主侧上的至少一个第一金属层，以及至少一个光学部件。在光学部件上存在至少一个第二金属层，其中所述至少一个第二金属层朝向支承体的主侧。此外，光电子器件包含摩擦焊接缝，其位于所述至少一个第一金属层和所述至少一个第二金属层之间，并且通过其将所述至少一个光学部件以机械方式与支承体连接。摩擦焊接缝在此情况下直接在所述至少一个第一金属层和/或所述至少一个第二金属层上。根据光电子器件的至少一个实施形式，在第一金属层和第二金属层之间存在至少一个连接基座。连接基座可以借助与金属层相同的材料构建。连接基座的面积优选最多对应于第一金属层和第二金属层的面积(在与支承体的主侧平行的平面中)。换言之，连接基座的面积(相对于平行于支承体的主侧的平面)与金属层的面积偏差最多30%，尤其是最多20%，优选最多10%。根据光电子器件的至少一个实施形式，第一金属层和第二金属层的材料以及连接基座的材料分别为金或者铝。根据光电子器件的至少一个实施形式，第一金属层和第二金属层以及连接基座以金合金或铝合金构建或者由其构成。换言之，金属层和所述至少一个连接基座的主要材料组分是金或者铝。根据光电子器件的至少一个实施形式，由第一金属层和第二金属层以及由连接基座构成的总厚度在垂直于支承体的主侧的方向上在2μπι到40μπι之间(包括端值)。如果光电子器件不具有连接基座，则第一金属层和第二金属层构成的总厚度在所说明的厚度范围中，连接基座的厚度于是为0。通过金属层和连接基座的这种比较大的总厚度，尤其是在连接支承体和光学部件期间，可以实现在支承体和光学部件之间的不同热膨胀系数的匹配。金属层和连接基座于是可以用作一种缓冲器。根据光电子器件的至少一个实施形式，第一金属层至少局部框架状地围绕所述至少一个光电子半导体芯片。换言之，光电子半导体芯片在支承体的主侧的平面中局部地或者完全地被第一金属层环绕。第一金属层在此情况下可以形成围绕半导体芯片的封闭的框架状的线，其例如具有矩形、椭圆或者圆形的形状。同样可能的是，第一金属层由多个点状的结构形成，并且这些点状的结构类似于点线地构建，其围绕光电子半导体芯片。根据光电子器件的至少一个实施形式，第一金属层涂覆在支承体上的至少四个、 尤其是恰好四个区域中。优选小面积或者点状地构建的区域尤其是仅仅在安装区域的角部，其中光电子半导体芯片与支承体连接。优选的是，安装区域被光学部件盖住。小面积或者点状可以表示其中第一金属层涂覆在支承体上的每个区域的面积为光学部件的框架的朝向支承体的总面积的最高10%，优选最高5%，尤其是最高2.5%。根据光电子器件的至少一个实施形式，支承体和光学部件包围体积，在该体积中存在所述至少一个光电子半导体芯片。在此情况下并不需要该体积完全被支承体和光学部件围绕。尤其可能的是，该体积并不气密地封闭。由此，相对于光学部件的外部环境的压力平衡是可能的。根据光电子器件的至少一个实施形式，光学部件并不与半导体芯片直接空间接触。换言之，没有光学部件的材料触碰光电子半导体芯片的材料。根据光电子器件的至少一个实施形式，光学部件并不与光电子半导体芯片直接电接触。换言之，在光电子半导体芯片和光学部件之间并不存在电短路。尤其是，光学部件可以与光电子半导体芯片电绝缘。根据光电子器件的至少一个实施形式，该体积被气密地封闭。由此，光电子部件尤其是能够针对湿气或者在侵蚀性气氛中针对腐蚀而受保护。根据光电子器件的至少一个实施形式，该体积并未气密地封闭。例如，于是摩擦焊接缝并不完全围绕光电子半导体芯片。由此，能够实现在该体积和环境之间的压力平衡。根据光电子器件的至少一个实施形式，光学部件包括框架，第二金属层在该框架上。优选的是，框架以对于光电子半导体芯片要接收或者发射的辐射不可透射的材料来构建。换言之，框架优选是不透光的。根据光电子器件的至少一个实施形式，光学部件具有光学元件。光学元件对于光电子半导体芯片要接收或者发射的辐射是透射的，尤其是透明的。光学元件尤其是透镜或
者窗口。根据光电子器件的至少一个实施形式，光学元件具有至少两个、尤其是恰好两个彼此对置的主面。优选的是，主面之一朝向支承体和/或光电子半导体芯片，而第二主面背离光电子半导体芯片以及支承体。在两个彼此对置的主面上对由光电子半导体芯片要接收或者发射的辐射进行光折射。换言之，穿过光学元件的光束除了垂直射到主面上的光束之外在主面上经历射束方向的偏转或者改变。根据光电子器件的至少一个实施形式，支承体包括陶瓷或者由陶瓷构成。根据光电子器件的至少一个实施形式，光学部件包括硅和玻璃。尤其是，框架以硅构建而光学元件以玻璃构建。根据光电子器件的至少一个实施形式，第二金属层施加在硅上，即尤其是施加在光学部件的框架上。光学部件的框架或者硅优选框架状地围绕光电子半导体芯片。尤其是， 通过光学部件的硅将光电子半导体芯片在平行于支承体的主侧的方向上完全围绕。其中可以使用这里所描述的光电子器件的一些应用领域譬如是显示器或者显示设备的背光照明装置。此外，这里所描述的光电子器件也可以在照明设备中用于投影目的，在大灯中或者光发射器或者在一般照明中使用。下面将参照附图借助实施例进一步阐述这里所描述的器件以及这里所描述的方法。各附图中相同的附图标记在此说明了相同的元件。然而在此并未示出合乎比例的关系， 更确切地说，为了更好的理解而可以夸大地示出一些元件。其中
图1示出了这里所描述的用于制造这里所描述的光电子器件的一个实施例的方法的示意图，图2示出了这里描述的光电子器件的另一实施例的示意性截面图，以及图3示出了这里所描述的光学部件的实施例的示意性三维视图。在图1中借助截面图示意性示出了用于制造光电子器件1的方法。根据图1A，尤其是彼此独立地提供支承体2和光学部件3。在将光学部件3与支承体2连接之前，于是可以将光学部件3和支承体2完全制成或者装备。在支承体2的主侧20上安装有光电子半导体芯片4，例如发光二极管。在横向方向上，平行于主侧20地，半导体芯片4在两个第一金属层11之间，这些金属层平面地施加到主侧20上。第一金属层11由金或者金合金构成。支承体2例如是印刷电路板(缩写为 PCB)或者陶瓷。光学部件3包括框架31，其尤其是以硅构建，以及包括光学元件32。光学元件32 在该实施例中是玻璃板，其对于半导体芯片14要接收或者发射的辐射是透明的。在框架31 的朝向支承体2的侧上平面地施加有两个第二金属层12。第二金属层12的面积关于平行于支承体2的主侧20的伸展方面在制造容差的范围中对应于第一金属层11的面积。在图1 Bl和1 B2中可以看到的那样，连接基座13施加到第二金属层12或者第一金属层11上。用作间隔保持器的连接基座13可以通过光刻工艺或者借助用于线接合的机器来施加。连接基座13在平行于主侧20的方向上具有比金属层11、12略微小的伸展。在图IC中示出了根据图1 Bl构建的支承体2和光学部件3的连接。支承体2和光学部件3以力F(通过双箭头线表示)压向彼此。力F为大约40N。通过支承体2进行第一金属层11的加热。温度T的输入通过单箭头线表明。温度T为大约150°C。对于摩擦焊接所需的超声波U以在大约0. 7秒的持续时间上大约0. 6W的功率以及以大约60kHz的频率仅仅通过光学部件3的框架31引入到光电子器件1中。注入框架 31中的超声波U通过未被填充的箭头表示。通过力F、温度T和超声波U的组合，在第一金属层11和连接基座13之间的界面上通过摩擦焊接缝10实现机械上稳固的并且持久的连接。在此情况下，摩擦焊接缝10通过连接基座10的材料以及第一金属层11的材料来形成。 摩擦焊接缝10耐抗化学试剂和光损伤，使得通过金属层11、12和连接基座13在光学部件 3和带有半导体芯片4的支承体2之间提供了机械上稳定的、持久的连接。为了平衡尤其是在连接期间以及在光电子器件1的工作期间的热负载，由金属层 11、12和连接基座13构成的总厚度D在垂直于支承体2的主侧20的方向上为大约15 μ m。 总厚度D取决于光电子器件1的横向伸展L。横向伸展L越大(其尤其是在大约3mm到 50mm的范围中)，则总厚度D要选择得越大。金属层11、12的厚度例如分别在2 μ m到5 μ m 之间，其中包括端值。连接基座13的厚度例如在IOym到25 μ m之间，其中包括端值，优选为大约15 μ m。半导体芯片4的辐射穿通面41朝向光学元件32。光学元件32具有两个彼此对置的主面33a、33b。主面33a背离半导体芯片4，主面3 朝向半导体芯片4和支承体2。光学部件3与半导体芯片3电绝缘。体积5基本上被支承体2和光学部件3包围。根据图2A的器件1的实施例基本上对应于图ID中所示的实施例。然而在支承体 2上有两个在垂直于主侧20的方向上相叠安装的第一金属层lla、llb。第一金属层Ila例如以铬形成，以便保证第一金属层IlaUlb在支承体2上的高附着。金属层lib优选由金构成并且设计用于借助摩擦焊接来连接。相应地，金属层1 在框架31上同样例如借助铬来构建。金属层12b例如以金或者以其他材料构建，其表现出对连接基座13的材料的良好附着性。连接基座13也可以以金构建。可替选地可能的是，金属层12b、llb以及连接基座13以铝或者铝合金或者其他适于摩擦焊接的材料构建或者由这种材料构成。构建为平板的光学元件32可以是滤光器、散射板或者透明板。同样可能的是，光学元件32设置有反射的、防反射的或者有针对性地在确定光谱范围中吸收的或者反射的、 在图2A中并未示出的涂层。同样可能的是，在光学元件上安装转换装置，其将光电子半导体芯片4发射的辐射的至少一部分转换为具有其他频率的辐射。这种转换装置也可以添加到光学元件32本身的材料中。光电子半导体芯片4可以是LED，尤其是透明的薄膜LED。不同于图2A中所示，器件1也可以具有多于一个的半导体芯片4。在支承体2的主侧20上同样可以涂覆有关于半导体芯片4要产生的或者要接收的辐射反射性的、在图2A中未示出的涂层。在根据图2B的实施例中，光学元件32成型为平凸的会聚透镜。尤其是由半导体芯片4产生的辐射在两个主侧33a、3!3b上进行光折射。不同于图2B所示，光学元件32也可以具有其他形状，例如将光分布的、凹透镜形式的构型。作为菲涅耳透镜或者分区透镜也是可能的。此外，在根据图2B的实施例中，在没有使用连接基座13的情况下金属层llb、12b 直接彼此附按。摩擦焊接缝10因此仅仅通过金属层llb、12b的材料形成。在图3中示出了光学部件3的另外的实施形式，其如何可以譬如与根据图1和图2 的实施例结合地使用。在根据图3A的实施例中，在矩形框架31的朝向图3中并未示出的支承体的侧上在角上施加有四个圆形的第二金属化物12和圆柱形的连接基座13。在并未示出的支承体2上的光学部件3之间的机械连接于是通过在框架31的角上的四个比较小的、点状的区域来进行。根据图3B，在框架31的朝着未示出的支承体2的侧上形成了环绕的闭合轨的第二金属化物12。由此可能的是，体积5由支承体2和光学部件3气密地封闭并且半导体芯片4被封装。任选地同样可能的是，在第二金属层12上施加连接基座13的连续的、封闭的轨。这里所描述的发明并未通过借助实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括任何新的特征以及特征的任意组合，尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中予以说明。本专利申请要求德国专利申请10 2009 004 724. 7的优先权，其公开内容通过引
用结合于此。
权利要求
1.一种用于制造光电子器件(1)的方法，包括以下步骤-提供支承体(2)，-在支承体(1)上施加至少一个第一金属层(11)，-提供至少一个光学部件(3)，-将至少一个第二金属层(1 施加在所述至少一个光学部件C3)上，以及-将支承体( 与所述至少一个光学部件C3)通过所述至少一个第一金属层(11)和所述至少一个第二金属层(1 以机械方式连接，其中所述连接包含摩擦焊接或者是摩擦焊接。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在连接时，将支承体(2)加热到130°C到170°C之间的温度，其中包括端值。
3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在连接时以30N到50N之间的挤压力将所述光学部件C3)按压到支承体( 上，其中包括端值。
4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在连接时仅仅将超声功率馈入到所述光学部件⑶中。
5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在连接时馈入的超声功率在0.Iff到2. Off 之间，其中包括端值，并且在0. 2秒到2. O秒之间的持续时间上被施加，其中包括端值。
6.根据上述权利要求之一所述的方法，其中以光刻方式或借助线结合器将至少一个连接基座(1 施加到所述第一金属层(11)和/或所述第二金属层(1 上。
7.一种光电子器件(1)，包括-带有至少一个光电子半导体芯片(4)的支承体O)，所述半导体芯片在支承体(2)的主侧(20)上，-在支承体O)的主侧OO)上的至少一个第一金属层(11)，-至少一个光学部件(3)，其带有至少一个第二金属层(12)，其中所述至少一个第二金属层(12)朝向支承体(2)的主侧00)，以及-至少一个摩擦焊接缝(10)，其位于所述至少一个第一金属层(11)和所述至少一个第二金属层(1 之间，并且通过所述至少一个摩擦焊接缝将所述至少一个光学部件C3)与支承体( 以机械方式连接，其中所述摩擦焊接缝(10)直接在所述至少一个第一金属层(11) 和/或所述至少一个第二金属层(1 上。
8.根据上一权利要求所述的光电子器件(1)，其中在所述第一金属层(11)和所述第二金属层(1 之间存在至少一个连接基座(13)。
9.根据权利要求7或8所述的光电子器件(1)，其中所述第一金属层(11)和所述第二金属层(1 的材料以及连接基座(1 的材料分别为金或者铝。
10.根据权利要求7至9之一所述的光电子器件(1)，其中由所述第一金属层(11)和所述第二金属层(1 以及由连接基座(π)构成的总厚度(D)在垂直于支承体O)的主侧 (20)的方向上在2 μ m到40 μ m之间，其中包括端值。
11.根据权利要求7至10之一所述的光电子器件(1)，其中所述第一金属层(11)局部地或者完全框架状地围绕所述光电子半导体芯片G)。
12.根据权利要求7至11之一所述的光电子器件(1)，其中支承体( 和所述光学部件C3)包围体积(5)，在该体积中存在所述光电子半导体芯片G)，并且其中所述光学部件(3)并不与所述光电子半导体芯片(4)直接空间接触和直接电接触。
13.根据上一权利要求所述的光电子器件(1)，其中所述体积( 被气密地封闭。
14.根据权利要求7至13之一所述的光电子器件(1)，其中所述光学部件C3)包括不透射辐射的框架(31)，在该框架上存在第二金属层(12)，其中在框架(31)的背离支承体 (2)的侧上安装有透射辐射的光学元件(32)，并且光学元件(3 具有两个彼此对置的主面 (33)，在所述主面上进行光折射。
15.根据权利要求7至14之一所述的光电子器件(1)，其中 -所述支承体( 包括陶瓷，-所述光学部件C3)包括硅和玻璃，-所述第二金属层(1 施加在所述光学部件(3)的硅上，以及 -所述光学部件(3)的硅框架状地围绕所述光电子半导体芯片G)。
全文摘要
在用于制造光电子器件(1)的方法的至少一个实施形式中，包括以下步骤提供支承体(2)，在支承体(2)上施加至少一个第一金属层(11)，提供至少一个光学部件(3)，将至少一个第二金属层(12)施加在所述至少一个光学部件(3)上，以及将支承体(2)与所述至少一个光学部件(3)通过所述至少一个第一金属层(11)和所述至少一个第二金属层(12)以机械方式连接，其中所述连接包含摩擦焊接或者是摩擦焊接。
文档编号H01L33/58GK102282686SQ200980154617
公开日2011年12月14日 申请日期2009年11月2日 优先权日2009年1月15日
发明者帕特里克·宁斯, 赫贝特·布伦纳 申请人:欧司朗光电半导体有限公司