专利名称：光电子器件及其制造方法
光电子器件及其制造方法本专利申请要求德国专利申请10 2008 038 750. 9的优先权，其公开内容通过引
用结合于此。提出了一种根据权利要求1所述的光电子器件及其制造方法。具有钝化层的光电子器件的一个普遍的问题是在钝化层的一部分中形成的损伤 例如裂缝会在整个钝化层上延伸。于是，当设置在共同衬底上的并且通过衬底中的分离槽 彼此分离的多个光电子器件通过例如锯割来分割时，例如会形成裂缝。这些裂缝在分离槽 中会延伸直到半导体层，并且尤其是由于侵入的湿气而导致加速老化。湿气会穿过这些裂 缝到达半导体层中并且在那里引起器件的短路。本发明的实施形式的一个任务在于，提供一种光电子器件，其钝化层在半导体层 的区域中具有改进的保护。该任务通过根据权利要求1所述的光电子器件来解决。光电子器件的其他实施形 式以及用于制造光电子器件的方法是其他权利要求的主题。本发明的一个实施形式涉及一种光电子器件，其包括支承体；设置在支承体上 的金属镜层；设置在金属镜层的区域上的第一钝化层；用于产生电运行中的有源区的半导 体层，其设置在第一钝化层上；第二钝化层，其包括两个区域，其中第一区域设置在半导体 层的上侧上，并且第二区域设置在没有半导体层的金属镜层上，其中第二钝化层的第一区 域和第二区域通过围绕第一钝化层的区域而彼此分离，所述围绕第一钝化层的区域没有第 二钝化层。由于在光电子器件中位于光电子器件的表面上的第二钝化层被分为两个部分区 域，它们彼此分离，所以没有裂缝或者其他机械缺陷可以从一个区域延伸到另一区域。结合 本发明，彼此分离尤其是理解为，第二钝化层的两个区域彼此间没有例如裂缝可通过其进 行蔓延的直接机械接触。第二钝化层的第二区域在此尤其是设置在如下区域上在该区域 中在制造方法的切割工艺中会出现强烈的机械负荷。各器件的切割例如可以通过锯割来进 行，由此在第二钝化层的第二区域中或者在位于其下的层中会出现裂缝。从位于其下的层 中，该裂缝会延伸到第二钝化层的第二区域中。而第二钝化层的第一区域位于半导体层的 表面上。由于第二钝化层的第一区域和第二区域彼此间并不具有机械接触，所以已经形成 在第二钝化层的第二区域中的裂缝现在不能延伸到第二钝化层的第一区域中。由此，尽管 相邻的区域有机械负荷，但半导体层和第二钝化层的第一区域并不受到损伤。由此，没有湿 气或者其他干扰性的环境影响可以通过第二钝化层的第一区域侵入半导体层。由此，明显 延长了器件的寿命。在光电子器件的另一实施形式中，第一钝化层和第二钝化层在空间上彼此分离。空间上的分离尤其是理解为，在第一钝化层和第二钝化层之间并不存在例如裂缝 会通过其延伸的直接的机械接触。由此，从第一钝化层的第二区域出发的裂缝传播也不可 能超出第一钝化层。由此，例如在第二钝化层的第二区域中形成的裂缝不能通过第一钝化 层延伸到第二钝化层的第一区域。这导致了不仅第二钝化层的第一区域而且第一钝化层都 不会由于在第二钝化层的第二区域中出现的裂缝或者其他机械损伤的延伸而受到损坏。由此，半导体层也从其下侧被保护免受损伤。在光电子器件的一个实施形式中，半导体层具有相对于第一钝化层外伸的边缘。这意味着，第一钝化层在半导体层的外伸的边缘的区域中在边缘之下延伸，并且 半导体层突出于第一钝化层。于是，边缘遮蔽第一钝化层。由此，例如可以避免在第二钝化 层(其第一区域在半导体层上延伸)和第一钝化层之间形成直接机械接触。此外，避免在 施加第二钝化层时在第一钝化层和第二钝化层的第二区域之间形成机械接触。从半导体层 相对于第一钝化层的外伸，对于制造方法而言得到另一优点。这样，可以通过成形有外伸边 缘来将第二钝化层大面积地施加到器件上，其中第二钝化层在外伸的边缘上自行中断，使 得无需结构化的涂覆而形成第二钝化层的第一区域和第二区域。通过第二钝化层的中断， 在第二钝化层的第一区域和第二区域之间不再有机械连接。在光电子器件的另一实施形式中，第一钝化层在外伸的边缘中中断，使得形成没 有第一钝化层的区域。在该实施形式中，并未去除通过半导体层的结构化而暴露的整个第一钝化层，而 是仅仅去除第一钝化层的一部分，使得在至少部分地位于半导体层之下的第一钝化层中形 成环绕的区域，该区域将半导体层之下的区域与其余的第一钝化层分离。分离尤其是理解 为在第一钝化层的不同部分之间不存在机械连接，使得在第一钝化层的并不与半导体层接 触的区域中形成的或者在第二钝化层的第二区域中形成的裂缝不会延伸到第一钝化层的 与半导体层直接接触的区域中。在另一实施形式中，光电子器件在其中不存在半导体层的区域中不再具有第一钝 化层。在结构化半导体层之后或者在结构化半导体层时完全去除由此暴露的第一钝化层。在光电子器件的另一实施形式中，半导体层具有侧面的台式边缘。根据何种技术被应用于半导体层的结构化，台式边缘具有较强或较为不强的斜 度。台式边缘可以与半导体层的上侧一样被第二钝化层覆盖。设置在台式边缘上的第二钝 化层由此是第二钝化层的第一区域的一部分。半导体层由此在上侧以及在其侧面上被第二 钝化层的第一区域围绕并且通过其而受到保护。在光电子器件的一个实施形式中，该光电子器件构建为薄膜发光二极管(LED)芯 片。薄膜LED芯片的特色在于以下典型特征的至少之一 在产生辐射的半导体层序列(尤其是产生辐射的外延层序列)的朝向支承元 件、尤其是朝向支承衬底的主面上，施加或者构建有反射层，其将半导体层序列中产生的电 磁辐射的至少一部分向回反射到该半导体层序列中； 薄膜LED芯片具有支承元件，该支承元件不是其上外延地生长了半导体层序列 的生长衬底，而是独立的支承元件，其事后被固定在半导体层序列上；眷半导体层序列具有20 μ m或者更小的范围中的厚度，尤其是在10 μ m或者更小 范围中的厚度； 半导体层序列没有生长衬底。在此，“没有生长衬底”意味着，必要时用于生长的 生长衬底被从半导体层序列去除或者至少强烈地薄化。特别地，其被薄化为使得其本身或 者与外延层序列一同单独地并不是自支承的。被强烈薄化的生长衬底的残留的遗留物特别 是不适合作为用于生长衬底的功能的衬底；以及
半导体层序列包含至少一个如下半导体层该半导体层具有至少一个面，该面 具有混勻结构，该混勻结构在理想情况下导致光在半导体层序列中的近似各态历经的分 布，也就是说，其具有尽可能各态历经的随机散射特性。薄膜LED芯片的基本原理例如在I. Schnitzer等人所著的出版物Appl. Phys. Lett. 63 (16)，1993年10月18日，第2174-2176页中进行了描述，其公开内容通过引用结合 于此。薄膜LED芯片的例子在出版物EP 0905797 A2和WO 02/13281 Al中进行了描述，其 公开内容通过引用结合于此。优选的是，完成的器件不再具有衬底。除了光电子器件本身之外，还要求保护其制造方法。用于制造光电子器件的一个方法变形方案包括如下方法步骤提供层装置作为方 法步骤A)，所述层装置包括支承体、金属镜层、第一钝化层和半导体层；去除第一钝化层的 一部分作为方法步骤B)；将第二钝化层施加在半导体层的上侧和金属镜层上，其中在半导 体层的上侧上产生第二钝化层的第一区域，并且在镜层上产生第二钝化层的第二区域；以 及构建围绕第一钝化层的区域，该区域没有第二钝化层并且将第一区域和第二区域彼此分 离，作为方法步骤C)。第一钝化层在方法步骤B)中被去除，使得在随后的在方法步骤C)中施加第二钝 化层时构建第一区域和第二区域。通过在方法步骤B)中部分地去除第一钝化层，在第二钝 化层的第一区域和第二区域之间没有机械连接，使得在两个区域之一中形成的裂缝或者其 他机械损伤不会延伸到另一区域中。通过去除第一钝化层的一部分，围绕第一钝化层的与 半导体层直接接触的部分构建区域。该区域没有第一钝化层。通过该空出的区域，将第二 钝化层的第一区域与第二区域在空间上分离。在第二钝化层的第二区域中形成的例如裂缝 的传播由此不可能超出该空出的区域。在另一方法变形方案中，方法步骤A)包括以下子方法步骤提供衬底作为子方法 步骤Al)，在衬底上生长半导体层用于产生在电运行中的有源区作为子方法步骤A2)，将第 一钝化层施加到半导体层上，作为子方法步骤⑶，将金属镜层施加到第一钝化层上作为子 方法步骤A4)，将支承体设置到金属镜层上作为子方法步骤A5)，将衬底从半导体层剥离作 为子方法步骤A6)，以及将半导体层结构化作为子方法步骤A7)。通过子方法步骤Al至A7)，可以制成层装置，如其在方法步骤A)中所提供的那样。 该层装置包括支承体、设置在支承体上的金属镜层、设置在金属镜层上的第一钝化层和设 置在第一钝化层上的结构化的半导体层。在另一方法变形方案中，通过在子方法步骤A7)中的结构化在半导体层中构建台 状物，其中半导体层在结构化之后具有侧面的台式边缘。在子方法步骤A7)中的半导体层的结构化例如可以通过刻蚀步骤来进行。在半导 体层中，刻蚀台状沟，使得半导体层现在具有侧面的台式边缘。根据用于将半导体层结构化 的技术，台式边缘具有较大或不怎么大的斜度。在该方法变形方案中，在方法步骤C)中将 第二钝化层施加到台式边缘上。在半导体层的表面上的第二钝化层以及在半导体层的台式 边缘上的第二钝化层一同形成第二钝化层的第一区域。在另一方法变形方案中，在方法步骤C)中施加第二钝化层，使得第一钝化层和第 二钝化层在空间上彼此分离。
在该方法变形方案中，在方法步骤B)中至少将第一钝化层的不与半导体层直接 接触的整个部分去除。由于在第一钝化层和第二钝化层之间并不存在机械连接，所以在第 一钝化层的第二区域中形成的损伤例如裂缝不会延伸到第一钝化层中。在另一方法变形方案中，在方法步骤B)中将第一钝化层去除，使得在半导体层中 产生相对于第一钝化层外伸的边缘。在该方法变形方案中，也去除第一钝化层的设置在结构化后的半导体层之下的部 分。这例如可以通过刻蚀工艺来进行。在此，半导体层由此部分地被掏蚀。通过半导体层的外伸的边缘，可以在方法步骤C)中将第二钝化层大面积地涂覆 到整个器件上，其中第二钝化层在外伸的边缘上中断，并且由此形成第二钝化层的空间上 分离的区域。构建第一区域，其设置在半导体层的表面上以及设置在半导体层的台式边缘 上，以及构建第二区域，其设置在金属镜层上，该金属镜层没有第一半导体层。此外，外伸的 边缘能够实现大面积地涂覆第二钝化层而并不形成与第一钝化层的空间接触。在此，无需 使用掩膜或者模板。在一个方法变形方案中，在方法步骤B)中使用湿化学方法。在湿化学方法中，例如可以使用酸或者碱。湿化学方法能够实现也将第一钝化层 的并未暴露或者不能直接到达并且位于已经结构化的半导体层之下的部分去除。通过湿化 学方法也可以去除第一钝化层的例如通过离子束不能到达的部分。在另一变形方案中，使用湿化学方法来去除第一钝化层的设置在结构化的半导体 层之下的部分。半导体层于是被掏蚀。通过使用湿化学方法，可以将半导体层比借助物理方法明 显更多地掏蚀。在物理刻蚀方法中，该半导体层根本不能或者只能非常轻微地被掏蚀。半 导体层被掏蚀到何种程度例如可以通过所使用的刻蚀溶液的作用时间来控制。可以控制掏 蚀程度的另一因素是所使用的刻蚀溶液的浓度。通过大面积地施加刻蚀溶液，除了半导体 层的掏蚀之外还去除第一钝化层的在半导体层结构化之后不与半导体层直接接触的区域。 通过有针对性地局部施加刻蚀溶液，也可以仅仅去除第一钝化层的如下区域，该区域环绕 第一钝化层的与半导体层直接接触的部分。该环绕部分在此至少部分地在半导体层之下延 伸。对于第一钝化层包括SiO2的情况，例如缓冲的氢氟酸(Flusssaeure)适合作为刻蚀溶 液。刻蚀溶液优选选择为使得金属镜层和半导体层都不受其侵蚀。在另一方法变形方案中，在方法步骤B)中去除在半导体层结构化之后暴露的整 个第一钝化层。这例如可以通过湿化学方法来进行，其中大面积地涂覆刻蚀溶液。在另一方法变形方案中，在方法步骤C)中大面积地施加第二钝化层，其中大面积 的膜在外伸的边缘上中断，由此形成第二钝化层的第一区域和第二区域。第二钝化层的材料于是未被局部地涂覆。在施加时，既不使用掩膜也不使用模板。在该方法的一个变形方案中，在子方法步骤A3)中使用选自Si02、SiN、Al2O3的材 料用于第一钝化层。在此，SiO2是优选的。S^2尤其是由于其对于辐射的良好稳定性而特别良好地适 于将光电子器件钝化。下面要借助附图和实施例详细地阐述本发明的变形方案。
其中
图1示出了光电子器件的一个实施形式的示意性侧视图，图2示出了光电子器件的一个实施形式的示意性俯视图，图3示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图，图4示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图，其附加地包括阻挡层，图5示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图，其附加地还包括附着 层，图6示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图，其附加地还包括接触 部，图7a至几分别示出了光电子器件的一个实施形式的制造方法的不同方法步骤的 示意性侧视图，图8示出了三个器件的示意性侧视图，它们尚未被分割。图1示出了光电子器件的一个实施形式的示意性侧视图。该实施形式包括支承体 1。在支承体1上设置有金属镜层2。在金属镜层2的中间区域中设置有结构化的第一钝化 层3。在第一钝化层3上设置有结构化的半导体层4，其具有台式边缘。半导体层4具有相 对于位于其下的第一钝化层3外伸的边缘。在半导体层4的上侧和半导体层的台式边缘上 设置有第二钝化层的第一区域如。没有第二钝化层5的区域11围绕第一钝化层3。围绕 的区域11部分地在半导体层4之下延伸并且包围半导体层4。在金属镜层2上的边缘，第 二钝化层的第二区域恥跟随围绕的区域11。如在图1中可以看到的那样，在第二钝化层的 第一区域如和第二区域恥之间没有机械接触。此外，在图1中可以看到的那样，第二钝化 层的第一区域fe和第二区域恥都不与第一钝化层3机械接触。机械缺陷(例如裂缝)会 在第二钝化层的第二区域恥中例如在借助将第二钝化层的第二区域恥和位于其下的镜层 和支承体的分离而将设置在共同支承体上的多个器件分割时出现。该裂缝由于缺少机械接 触而既不能延伸到第一钝化层3也不能延伸到第二钝化层的第一区域fe中。于是即使出 现第二钝化层的第二区域恥的损伤时，第二钝化层的第一区域fe由此也保持未受损伤。图2示出了图1中在横截面中示出的光电子器件的实施形式的示意性俯视图。在 图2中，在环绕的区域11的区域中可以看到金属镜层2，其位于第二钝化层的第二区域恥 的一侧。在金属镜层2上在结构化的、这里出于清楚的原因而未示出的半导体层4之下设 置有第一钝化层3。通过围绕第一钝化层3的虚线表明了在其他方面在此未示出的半导体 层4的外伸边缘的位置，该半导体层位于第一钝化层3上并且具有相对于第一钝化层3外 伸的边缘。在半导体层4上还设置有第二钝化层的第一区域fe。在图2中可以看到，在第 二钝化层的第一区域5a(其通过虚线形成边界)和第二钝化层的外部延伸的第二区域恥 之间并不存在机械接触。第二钝化层的两个区域5&/恥在空间上彼此分离。图3示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图。该结构在很大程度上对 应于图1中所示的实施形式。然而，该实施形式在第二钝化层的第二区域恥和金属镜层2 之间还具有第一钝化层3。环绕的区域11由此在该实施形式中朝着两侧由第一钝化层3形 成边界。在该实施形式中，延伸的区域11由此像环绕的槽那样成形在第一钝化层3中。这 种实施形式例如可以通过局部去除第一钝化层3来得到。图4示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图。该实施形式在很大程度上对应于图1中所示的实施形式。然而，其附加地在支承体1和金属镜层2之间包括阻挡 层6。该阻挡层6例如可以防止离子从金属镜层2朝着支承体1迁移。例如TiWN适于阻挡层6。图5示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图。该实施形式在很大程度 上对应于图4中所示的实施形式。然而在图5中所示的实施形式附加地包含附着层7，其设 置在支承体1和阻挡层6之间。该附着层7用于将支承体1更好地附着在阻挡层6上。图6示出了光电子器件的另一实施形式的示意性侧视图。该实施形式在很大程度 上对应于图1中所示的实施形式。然而在图6中所示的实施形式附加地包含电接触部8，其 位于半导体层4的上侧上。在电接触部8上例如可以通过接合线来实现器件的电接触。另 一电接触部例如可以通过支承体1来实现。图7a至几分别在示意性侧视图中示出了针对光电子器件的一个实施形式的制造 方法的不同方法阶段。图7a示出了衬底9，其上设置有半导体层4。半导体层4例如可以如在子方法步 骤A2)中所描述的那样通过生长在衬底上而得到。例如GaN适于半导体层4。图7b示出了层序列，其与图7a中所示的层序列相比附加地包括第一钝化层3，该 第一钝化层3设置在半导体层4上。对于第一钝化层例如可以使用Si02、SiN或者Al2O3，其 中SiO2是优选的。根据子方法步骤A3)来施加第一钝化层3例如可以借助PECVD (等离子 体增强化学气相沉积)到半导体层4上来进行。第一钝化层3的层厚度例如可以为450nm。图7c在横截面中示出了根据子方法步骤A4)(施加金属镜层2)的层装置。金属 镜层2设置在第一钝化层3上。例如Al适于金属镜层2。金属镜层2例如可以通过气相淀 积到第一钝化层3上来施加。图7d示出了层序列，其与图7c所示的层序列相比附加地包括支承体1。支承体1 例如可以包括Ge。在子方法步骤A5)中设置支承体1例如可以通过焊接方法来进行。但， 支承体1也可以通过附着层7与金属镜层2相连。支承体1用于使层序列稳定。此外，支 承体1可以用于电接触完成的器件。图7e示出了层序列，如其可以例如从图7d所示的层序列中产生的那样。为 此，衬底9被从半导体层4去除。根据子方法步骤A6)的剥离例如可以借助激光剥离 (Laser-Lift-Off)来进行。图7f示出了层序列，如其可以例如从图7e所示的层序列中产生的那样。为此，在 另一方法步骤中根据子方法步骤A7)将半导体层4结构化。半导体层4现在具有侧面的台 式边缘。半导体层4的结构化例如可以通过刻蚀步骤来进行。对于刻蚀步骤例如可以使用 干化学刻蚀如RIE (反应离子刻蚀)。图7g示出了层序列，如其可以例如从图7f所示的层序列中产生的那样。为此，在 方法步骤B)中去除第一钝化层3的一部分。在此情况下，第一钝化层3的曾经并不与半导 体层4直接接触的所有部分被去除。此外，附加地去除第一钝化层3的之前与半导体层4直 接接触的部分，使得半导体层4相对于第一钝化层3现在具有外伸的边缘。外伸例如可以 为1 μ m。第一钝化层3的部分去除例如可以借助刻蚀方法来进行。对于第一钝化层3包括 SiO2W情况，缓冲的氢氟酸适于作为刻蚀溶液。金属镜层2在刻蚀过程中并不被侵蚀。刻 蚀溶液可以在作用时间到期之后借助例如去离子化的水来冲洗而简单地被去除。
图示出了光电子器件的层序列，其对应于图1中所示的光电子器件的层序列。 在图中示出的器件例如可以从图7g所示的器件中产生。为此，在方法步骤C)中在光电 子器件的表面上涂覆第二钝化层5。通过半导体层4相对于第一钝化层3的外伸的边缘，第 二钝化层5在此在半导体层4的外伸的边缘上中断，使得形成两个区域。第二钝化层的第 一区域5a(其设置在半导体层4的表面以及半导体层的台式边缘上)以及第二钝化层的第 二区域恥(其设置在金属镜层2上)。第二钝化层5的施加在此例如可以通过PECVD (等离 子体增强化学气相沉积)来进行。例如Si02、SiN或者Al2O3适于第二钝化层。SiO2对于第 一钝化层以及对于第二钝化层是优选的材料。图8在示意性侧视图中示出了三个器件的示意性侧视图，它们尚未被分割。这些 器件在分割之后对应于图几中所示的器件。出于清楚的原因，仅仅示例性地示出了三个相 连接的器件。在分割之前相连地存在的器件的数目可以明显超过3个。通过在图8中的两 条虚线表明在哪里进行器件的分割。第一钝化层3也可以在制造方法的另一实施形式中被结构化，使得金属镜层2和 半导体层4彼此直接导电接触。本发明并未通过借助实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括任意新 的特征以及特征的任意组合，尤其是权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组 合本身并未明确地在权利要求或者实施例中予以说明。
权利要求
1.一种光电子器件，包括 -支承体(1)；-设置在支承体(1)上的金属镜层(2)； -设置在金属镜层(2)的区域上的第一钝化层(3)；-用于产生在电运行中的有源区的半导体层(4)，其设置在第一钝化层(3)上； -第二钝化层(5)，其包括两个区域，其中第一区域(5a)设置在半导体层(4)的上侧 上，并且第二区域(5b)设置在没有半导体层(4)的金属镜层(2)上，其中第二钝化层(5)的第一区域(5a)和第二区域(5b)通过围绕第一钝化层(3)的区 域(11)而彼此分离，所述围绕第一钝化层的区域没有第二钝化层(5)。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中第一钝化层(3)和第二钝化层(5)在空间 上彼此分离地设置。
3.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中半导体层(4)具有相对于第一钝化 层⑶外伸的边缘。
4.根据权利要求3所述的光电子器件，其中第一钝化层(3)在外伸的边缘的区域中中 断，使得构建没有第一钝化层(3)的区域(11)。
5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中半导体层(4)具有侧面的台式边缘 (10)。
6.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中该光电子器件构建为薄膜发光二极 管芯片。
7.一种用于制造光电子器件的方法，包括如下方法步骤A)提供层装置，所述层装置包括支承体(1)、金属镜层(2)、第一钝化层(3)和半导体层⑷；B)去除第一钝化层(3)的一部分；C)将第二钝化层(5)施加在半导体层(4)的上侧和金属镜层(2)上，其中在半导体层 的上侧上产生第二钝化层(5)的第一区域(5a)，并且在镜层上产生第二钝化层(5)的第二 区域(5b)；以及构建围绕第一钝化层(3)的区域(11)，该区域没有第二钝化层(5)并且将 第一区域(5a)和第二区域(5b)彼此分离。
8.根据权利要求7所述的方法，其中方法步骤A)包括以下子方法步骤 Al)提供衬底(9)，A2)在衬底(9)上生长半导体层(4)，用于产生在电工作中的有源区，A3)将第一钝化层(3)施加到半导体层(4)上，A4)将金属镜层(2)施加到第一钝化层(3)上，A5)将支承体(1)设置到金属镜层(2)上，A6)将衬底(9)从半导体层⑷剥离，以及A7)将半导体层(4)结构化。
9.根据权利要求8所述的方法，其中通过在方法步骤A7)中结构化在半导体层(4)中 构建台状物，并且半导体层(4)在结构化之后具有侧面的台式边缘(10)。
10.根据权利要求7至9之一所述的方法，其中在方法步骤C)中施加第二钝化层(5)， 使得第一钝化层(3)和第二钝化层(5)在空间上彼此分离。
11.根据权利要求7至10之一所述的方法，其中在方法步骤B)中将第一钝化层(3)去 除，使得在半导体层(4)中产生相对于第一钝化层(3)外伸的边缘。
12.根据权利要求7至11之一所述的方法，其中在方法步骤B)中使用湿化学方法。
13.根据权利要求12所述的方法，其中使用湿化学方法来去除第一钝化层(3)的设置 在结构化的半导体层(4)之下的部分。
14.根据权利要求8至13之一所述的方法，其中在方法步骤B)中去除在方法步骤A7) 中半导体层(4)的结构化的情况下暴露的整个第一钝化层(3)。
15.根据权利要求11所述的方法，其中在方法步骤C)中大面积地施加第二钝化层 (5)，其中大面积的膜在外伸的边缘处中断，由此构建第二钝化层的第一区域(5a)和第二 区域(5b)。
全文摘要
一种光电子器件包括支承体(1)；设置在支承体上的金属镜层(2)；设置在金属镜层的区域上的第一钝化层(3)；用于产生电运行中的有源区的半导体层(4)，其设置在第一钝化层上；第二钝化层(5)，其包括两个区域(5a，5b)，其中第一区域(5a)设置在半导体层的上侧上，并且第二区域(5b)设置在没有半导体层的金属镜层上，其中第二钝化层的第一区域和第二区域通过围绕第一钝化层的区域而彼此分离，所述围绕第一钝化层的区域没有第二钝化层。
文档编号H01L33/44GK102124580SQ200980131502
公开日2011年7月13日 申请日期2009年8月6日 优先权日2008年8月12日
发明者安德烈亚斯·魏玛 申请人:欧司朗光电半导体有限公司