一种IGBT基板的制作方法

本实用新型属于铝碳化硅复合材料技术领域，具体涉及一种IGBT基板。

背景技术：

以铝碳化硅新型高导热复合材料为原料制成的基板，其热导率可高达200W/(m·K)，膨胀系数可通过碳化硅体积分数(50-80％)调整，具有密度小、重量轻，抗弯强度高等优点，是航空航天、功率器件、高铁及微波等领域首选采用的新材料。

目前市场上的制备方法大多采用焊接的方法使芯片与基板进行连接，这种方法制备出的IGBT基板结合效果较差，极少数的采用镀膜的方式在铝碳化硅基板上创建芯片，但都只是创建一个芯片，这样使得基板的利用效率大大降低，造成资源的浪费。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种IGBT基板,解决了现有的IGBT基板利用效率低,造成资源浪费的缺陷.

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型提供的一种IGBT基板，包括IGBT基板本体，IGBT基板本体上划分有若干个喷涂区域，其中，每个喷涂区域上依次设置有Al2O3-3％TiO2镀层和铜镀层。

优选地，IGBT基板本体的长度为150-200mm、宽度为100-170mm、厚度为3-10mm。

优选地，每个喷涂区域上的Al2O3-3％TiO2镀层的厚度为250-600μm；铜镀层的厚度为200-500μm。

优选地，喷涂区域呈矩阵式结构布置。

优选地，每个喷涂区域的长度为40-50mm、宽度为35-45mm。

优选地，两个相邻的喷涂区域之间的间距为5-10mm。

优选地，最外层的喷涂区域边缘与IGBT基板本体边缘之间的间距为5-10mm。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

本实用新型提供的一种IGBT基板，将IGBT基板本体划分为若干个喷涂区域，每个喷涂区域上焊接封装有一个芯片，同时，在每个喷涂区域上依次设置有Al2O3-3％TiO2镀层和铜镀层，提高芯片与基板之间的结合度，本实用新型提供的该基板结构有效的提高了使用效率，同时，使IGBT基板的结合力更高，有效的节约了生产成本，生产简便。

附图说明

图1是IGBT基板结构主视图；

图2是IGBT基板的侧视图；

其中，1、IGBT基板本体 2、Al2O3-3％TiO2镀层 3、铜镀层 101、喷涂区域。

具体实施方式

下面结合附图,对本实用新型进一步详细说明。

如图1、图2所示，本实用新型提供的一种IGBT基板，包括IGBT基板本体1，IGBT基板本体1上划分有若干个喷涂区域101，若干个喷涂区域呈矩阵式结构布置，其中，每个喷涂区域上依次设置有Al2O3-3％TiO2镀层2和铜镀层3。

具体地：IGBT基板本体1的长度为150-200mm、宽度为100-170mm、厚度为3-10mm；

每个喷涂区域的长度为40-50mm、宽度为35-45mm；两个相邻的喷涂区域之间的间距为5-10mm，同时，最外层的喷涂区域边缘与IGBT基板本体1边缘之间的间距为5-10mm。

每个喷涂区域上的Al2O3-3％TiO2镀层2的厚度为250-600μm；铜镀层的厚度为200-500μm。

以上内容仅为说明本实用新型的技术思想，不能以此限定本实用新型的保护范围，凡是按照本实用新型提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本实用新型权利要求书的保护范围之内。