技术特征：
技术总结
一种装置，比如发光装置，例如激光装置，该装置包括：多个III‑V族半导体NW，多个III‑V族半导体NW生长在石墨基底的一侧上，优选地穿过所述石墨基底上的可选的孔图案掩模的孔；第一分布式布拉格反射器或金属镜，第一分布式布拉格反射器或金属镜大致平行于所述石墨基底定位，并且定位在所述石墨基底关于所述NW的相对侧；可选地，第二分布式布拉格反射器或金属镜与所述NW的至少一部分的顶部相接触；以及其中所述NW包括n型掺杂区域和p型掺杂区域以及可选地位于n型掺杂区域与p型掺杂区域之间的本征区域。
技术研发人员：B·O·M·菲姆兰;H·韦曼;D·任
受保护的技术使用者：挪威科技大学
技术研发日：2018.02.05
技术公布日：2019.09.17