一种显示面板和显示设备的制作方法

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示设备。

背景技术：

amoled(activematrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极管)，与传统的液晶面板相比，具有低驱动、低功耗、自主发光、反应速度快、对比度高，视角宽广等诸多优点，因此赢得了广泛关注。

传统技术中，amoled通常由阳极层、阴极层和夹在阳极层和阴极层中间的有机发光层构成，当在阳极层和阴极层分别施加合适的电压时，中间的有机发光层受到激发自主发光。然而，由于金属布线、阳极和阴极中的内阻存在电压损耗，使得amoled屏幕亮度均一性差。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例致力于提供一种显示面板和显示设备，以解决现有技术中显示屏幕亮度均一性差的问题。

本发明一方面提供了一种显示面板，包括：阴极层；和阴极信号走线，阴极信号走线从焊盘端和焊盘远端之间的中轴线与焊盘远端之间或焊盘端和焊盘远端之间的中轴线上或所述焊盘远端接入阴极层。

在一个实施例中，还包括：阳极和阳极信号走线，阳极信号走线与像素结构的阳极接触，阳极信号走线和像素结构一一对应。

在一个实施例中，阴极层包括阴极搭接区，阴极搭接区位于阴极层的周边区域，阴极信号走线通过阴极搭接区接入阴极层。

在一个实施例中，阴极信号走线包括第一子走线，显示面板还包括叠置在阴极搭接区上的金属线，第一子走线通过金属线搭接在阴极搭接区上。

在一个实施例中，阴极层的位于焊盘远端侧的周边区域包括第一阴极搭接区。

在一个实施例中，阴极信号走线还包括第二子走线，第二子走线位于显示面板的边框区，一端和第一子走线接触，另一端在焊盘区形成引出端子。

在一个实施例中，阴极层的以中轴线的中垂线为对称轴的两侧边包括第二阴极搭接区。

在一个实施例中，阴极信号走线还包括第二子走线，第二子走线位于显示面板的边框区，一端从第一子走线和中轴线的交点接入第一子走线，另一端在焊盘区形成引出端子。

在一个实施例中，第一子走线的宽度小于等于第二子走线的宽度。

本发明的第二方面还提供了一种显示设备，包括上述任一实施例提供的显示面板。

根据本发明提供的显示面板和显示设备，通过设置阴极信号走线从焊盘端和焊盘远端之间的中轴线与焊盘远端之间接入阴极层，使得在焊盘端到焊盘远端方向上，显示区中的像素结构的阴极电压的变化趋势包括逐渐降低的区间段。从而使得在该区间段上阴极电压和阳极电压的变化趋势相同，则在该区间段上的像素结构两端的电压差的变化量减小，进而改善了屏体均一性。

附图说明

图1所示为现有的一种显示面板的局部截面示意图。

图2所示为图1所示显示面板在s方向上的主视图。

图3所示为图2和图4所示显示面板中电压分布趋势示意图。

图4所示为本发明第一实施例提供的图1所示显示面板在s方向上的主视图。

图5所示为本发明第二实施例提供的图1所示显示面板在s方向上的主视图。

图6所示为图5所示显示面板中电压分布趋势示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1所示为现有的一种显示面板的局部截面示意图。如图1所示，该显示面板包括薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)阵列基板11，tft阵列基板11包括多个阵列排布的tft111。显示面板还包括设置在tft阵列基板11上的多个像素结构12，该多个像素结构12通过像素界定层13彼此隔离。每一个像素结构12包括依次叠置的阳极121、有机发光层122和阴极123，阳极121位于有机发光层122和tft阵列基板11之间，阳极121通过过孔与相应的tft111的源极或漏极电连接，阴极123覆盖在像素界定层13的上方。每个像素结构12对应一个阳极121，所有像素结构12的阴极123形成一个完整的阴极层。

图2所示为图1所示显示面板在s方向上的主视图。为了驱动像素结构12发光，如图1和图2所示，该显示面板10还包括信号走线层14。为了更清楚地图示出该信号走线层14，图2所示显示面板未示出图1所示显示面板10中的tft阵列基板11，结合图1和图2可以看出，显示面板10包括显示区a-a和环绕显示区a-a的边框区，边框区包括位于显示面板10一端的焊盘区b。信号走线层14包括阴极信号走线141和阳极信号走线142，阴极信号走线141设置在边框区，环绕显示区a-a的外围并在焊盘区b形成引出端子，阴极信号走线141环绕显示区a-a的部分叠加在阴极层外围的搭接区c1，该搭接区c1实际上是阴极层的一部分，专门用于与阴极信号走线叠加形成电连接关系。阳极信号走线142的一端通过像素补偿电路与像素结构12的阳极121电连接，另一端在焊盘区b形成引出端子，一个像素结构12对应一个阳极121，一个阳极121对应一条阳极信号走线142。

图3所示为图2和图4所示显示面板中电压分布趋势示意图。如图3所示，在图1和图2所示的显示面板10中，对于显示区a-a中像素结构12的阳极电压而言，参阅曲线a，每一条阳极信号走线142在焊盘区b的电压是相等的，例如为5v，由于阳极信号走线142内阻上的电压损耗，使得距离焊盘区b越远的像素结构12的阳极121的电压越小，例如在焊盘区b对侧的像素结构12的阳极121的电压为3v。可见，显示区a-a中沿焊盘端到焊盘远端方向上排布的像素结构12的阳极电压呈现出逐渐降低的趋势。对于像素结构12的阴极电压而言，参阅曲线b，阴极信号走线141在焊盘区b的电压是最小的，例如为-5v，由于阴极信号走线141和阴极层中内阻上的电压损耗，距离焊盘区b越远的像素结构12的阴极电压越大，例如在焊盘区b对侧的像素结构12的阴极121电压为-3v。可见，显示区a-a中沿焊盘端到焊盘远端方向上排布的像素结构12的阴极电压呈现出逐渐升高的趋势。

这种情况下，显示区a-a中沿焊盘端到焊盘远端方向上排布的像素结构12两端的电压差越来越小，如曲线a-b所示，从而导致屏体亮度由焊盘端到焊盘远端逐渐下降，造成屏体亮度分布不均。

在一个实施例中，沿焊盘端到焊盘远端方向上的多个像素结构12对应一个阳极121，一个阳极121对应一条阳极信号走线142。例如，图2所示的一列像素结构12对应一个阳极121，该一个阳极121对应一条阳极信号走线142。这种情况下，由于阳极121中的内阻上的电压损耗，使得显示区a-a中沿焊盘端到焊盘远端方向上排布的像素结构12的阳极电压也会呈现出逐渐降低的趋势，从而造成屏体亮度分布不均。

基于此，本发明实施例提供了一种显示面板。如图4所示为本发明第一实施例提供的图1所示显示面板在s方向上的主视图。如图4所示，该显示面板20和图2所示显示面板10的区别仅在于阴极信号走线的布线方式不同。具体而言，该显示面板20包括阴极层(图中未示出)和阴极信号走线21，阴极信号走线21从显示区a-a的焊盘端和焊盘远端之间的中轴线l1-l2与焊盘远端之间接入阴极层，该中轴线l1-l2与焊盘远端之间的范围为一个闭区间，即阴极信号走线21可以从焊盘远端接入阴极层，也可以从中轴线l1-l2上接入阴极层，还可以从中轴线l1-l2与焊盘远端之间除了中轴线l1-l2和焊盘远端之外的任意位置接入阴极层。

在一个实施例中，如图4所示，阴极层包括阴极搭接区c2，阴极搭接区c2位于阴极层的周边区域，阴极信号走线21通过阴极搭接区c2接入阴极层。将阴极搭接区c2设置在阴极层的周边区域易于工艺实现，实际生产中，也可以根据需要将阴极搭接区c2设置在阴极层上位于显示区a-a的区域。

在一个实施例中，阴极信号走线21包括第一子走线211，显示面板20还包括叠置在阴极搭接区c2上的金属线，第一子走线211通过金属线(图中未示出)搭接在阴极搭接区c2上，即第一子走线211、金属线、阴极搭接区c2依次叠置，从而实现了阴极信号走线21和阴极层的电连接。该金属线的材料可以和阳极的材料相同，但不限于此。通过设置金属线可以补偿阴极信号走线21所在膜层和阴极层之间的高度差，从而确保阴极信号走线处于同一膜层。

在一个实施例中，第一子走线211的正投影和阴极搭接区c2重合，这样可以减少边框区占用的面积。

进一步地，阴极信号走线21还包括第二子走线212，第二子走线212位于显示面板20的边框区，第二子走线212的一端和第一子走线211接触，第二子走线212的另一端在焊盘区b形成引出端子。

以图4所示显示面板20为例，阴极信号走线21从显示区a-a的两侧接入阴极层。这种情况下，阴极搭接区c2是环绕显示区a-a的除了焊盘端之外的周边部分，即阴极搭接区c2包括位于焊盘远端侧的第一阴极搭接区和位于显示区a-a两侧边的第二阴极搭接区。阴极信号走线21包括第一子走线211和第二子走线212，第一子走线211和阴极搭接区c2对应，第一子走线211通过位于其下方的金属线和阴极搭接区c2搭接；第二子走线212位于显示面板的边框区，一端从第一子走线211和中轴线l1-l2的交点接入第一子走线211，另一端在焊盘区b形成引出端子。

具体而言，如图4所示，第二子走线212包括关于显示区a-a对称的两条分支子走线，该两条分支子走线的一端分别从第一子走线211和中轴线l1-l2的交点m1和m2接入第一子走线211，该两条分支子走线的另一端分别在焊盘区b形成引脚。

在一个实施例中，第二阴极搭接区的长度小于等于显示区a-a的长度。

在一个实施例中，参考图4，显示面板20也可以不包括位于焊盘远端侧的第一阴极搭接区，而只包括位于显示区a-a两侧边的第二阴极搭接区。

根据本实施例提供的显示面板20，第二子走线212接入第一子走线211处的电压最低，即位于显示区a-a的中轴线l1-l2上的像素结构12的阴极电压最低，如图3中曲线d在q1点处的电压最低。由于第一子走线211中内阻上的电压损耗，使得显示区a-a中的阴极电压从中轴线l1-l2向焊盘端和焊盘远端分别依次升高，即显示区a-a中沿焊盘端到焊盘远端方向上排布的像素结构12的阴极电压呈现出先下降再上升的趋势。这种情况下，在像素结构12的阳极电压的变化趋势不变的情况下，如曲线a所示，使得在焊盘端到q1点区间上，阳极电压和阴极电压的变化趋势相同，从而使得焊盘端到q1点方向上的像素结构12两端的电压差的变化量减小，从而改善了屏体均一性。

表1为图2和图4显示面板亮度均一性仿真结果

如表1所示，在图4中第二子走线212的线宽为300um，该第二子走线212的线宽为第一子走线211的线宽的2倍，其它条件均相同的情况下，对图2和图4所示显示面板进行仿真实验。仿真结果显示，图4所示显示面板20中接入显示区a-a的阴极电压(即m1点和m2点的电压)较图2所示显示面板10中接入显示区a-a的阴极电压(即n1点和n2点的电压)低1v，屏体均一性上升了11.36(89.78-78.42)％。

在一个实施例中，阴极信号走线21接入阴极层的位置和焊盘端之间的距离与屏体亮度均一性呈正比，即阴极信号走线21接入阴极层的位置越靠近焊盘远端，屏体亮度均一性越好。

具体而言，结合图3和图4可以看出，第二子走线212接入第一子走线211的位置距离焊盘端越远，即曲线d上的最低点越靠近“1”的位置，像素结构12两端电压变化趋势相同的占比越大，焊盘端到焊盘远端方向上的像素结构12两端的电压差的变化量减小，屏体均一性越好。

在一个实施例中，第一子走线211的线宽小于等于第二子走线212的线宽。例如第二子走线212的线宽是的第一子走线211线宽的2倍。第二子走线212的线宽越大，内阻上的电压损耗越小，电能利用率越高。

图5所示为本发明第二实施例提供的图1所示显示面板在s方向上的主视图。对比图5和图4可以看出，图5所示显示面板30和图4所示显示面板20的区别在于阴极信号走线接入阴极层的位置不同，进而导致阴极布线不同。具体而言，显示面板30中的阴极信号走线31从焊盘远端接入阴极层。

如图5所示，显示面板30中的阴极搭接区c3位于阴极层的焊盘远端。阴极信号走线31包括第一子走线311和第二子走线312，第一子走线311和阴极搭接区c3对应，即第一子走线311通过位于其下方的金属层搭接在阴极搭接区c3上；第二子走线312位于边框区，一端和第一子走线311接触，另一端在焊盘区b形成引出端子。

具体而言，第二子走线312包括两条分支子走线，该两条分支子走线分别沿着显示区a-a的两侧延伸，该两条分支子走线的一端分别与第一子走线的两端接触，该两条分支子走线的另一端分别在焊盘区b形成引脚。

应当理解，第二子走线312可以第一子走线311的任意位置接入，而不限于第一子走线311的两端。

图6所示为图5所示显示面板中电压分布趋势示意图。如图6所示，根据本实施例提供的显示面板30，相当于阴极信号走线从焊盘远端接入显示区a-a，即焊盘远端的像素结构12的阴极电压最小，参阅曲线e，例如-5v，由于阴极层中内阻上的电压损耗，越靠近焊盘区b的像素结构12的阴极电压越大，例如-3v，可见，显示区a-a中沿焊盘端到焊盘远端方向上排布的像素结构12的阴极电压呈现下降的趋势。在像素结构12的阳极电压由焊盘端到焊盘远端也呈现下降趋势的情况下，阳极电压和阴极电压的变化趋势相同，从而使得焊盘端到焊盘远端方向上的像素结构12两端的电压差的变化量减小，从而改善了屏体均一性。

表2为图2和图5显示面板亮度均一性仿真结果

如表2所示，在外界条件相同的条件下，对图2和图5所示显示面板进行仿真实验。仿真结果显示，图5所示显示面板30的屏体均一性相比于图2所示显示面板10上升了5.06％。

本发明还提供了一种显示设备，包括上述任一实施例提供的显示面板。该显示设备具有较好的屏体亮度均一性。

应当理解，本发明实施例描述中所用到的限定词“第一”、“第二”、“第三”仅用于更清楚的阐述技术方案，并不能用于限制本发明的保护范围。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。