静电防护电路及电子装置的制作方法

技术特征：

技术总结
本揭露提供一种静电防护电路及电子装置。静电防护电路连接至功率装置的第一端点及第二端点。所述静电防护电路经配置以允许所述功率装置之第一端点及第二端点之间的双向静电保护。所述功率装置包含横向高电子迁移率晶体管(HEMT)。

技术研发人员：管要宾;盛健健
受保护的技术使用者：英诺赛科（珠海）科技有限公司
技术研发日：2019.05.15
技术公布日：2019.08.16