技术总结
本发明涉及功率半导体器件、功率半导体模块和加工方法。根据本发明的功率半导体器件包括：第一负载端子结构和与其分开布置的第二负载端子结构；以及半导体结构，电耦接到第一负载端子结构和第二负载端子结构中的每个，并且承载负载电流，第一负载端子结构包括：与半导体结构接触的导电层；接合块，由至少一条接合线的端部接触，并接收来自至少一条接合线和导电层中的至少一个的负载电流的至少一部分；以及支承块，硬度大于导电层和接合块中的每个的硬度，接合块经由支承块安装在导电层上，接合块和导电层包括铜，支承块在与负载电流的流动方向平行的方向上的厚度小于接合块在与负载电流的流动方向平行的方向上的厚度的十分之一。
技术研发人员：罗曼·罗特;弗兰克·希勒;汉斯-约阿希姆·舒尔策
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2017.02.03
技术公布日：2019.09.20