1.一种硅衬底上外延inp半导体的方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤1：在硅衬底上依次沉积sio2和al2o3介质层；
步骤2：在所述sio2和al2o3介质层上刻蚀出介质槽；
步骤3：以所述sio2和al2o3介质层为掩模，干法刻蚀所述硅衬底，形成硅的v型槽；
步骤4：腐蚀去掉所述al2o3介质层；
步骤5：在所述硅的v型槽上采用选区外延的方法低温生长gaas层；
步骤6：在所述gaas层上低温生长inxgayp层，x＝0.4～0.5，y＝0.5～0.6；
步骤7：在所述inxgayp层上低温生长inp层；
步骤8：在所述低温生长的inp层上高温生长inp层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1的sio2和al2o3介质层的厚度分别为为25～35nm、15～25nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2的介质槽的宽度为100nm～10μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤3的硅的v型槽的宽度为100nm～10μm，深度为500nm～5μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4的腐蚀方法为：采用碱为腐蚀液进行腐蚀。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤5的低温生长gaas的厚度为50nm-1μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤6的低温生长inxgayp层的厚度为50nm-1μm，inxgayp优选为in0.45ga0.55p。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤7的低温生长inp的厚度为50nm-1μm。
9.根据权利要求1、6、7或8所述的方法，其特征在于，所述步骤8的高温生长inp的厚度为50nm-1μm。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的方法制得。