一种显示面板及其制作方法与流程

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术：

硅基微显技术即将显示器与单晶硅集成电路结合，使用硅基微显技术的显示面板具有显示分辨率较高、视角大、响应速度快、亮度高以及功耗低等优点，这使得硅基微显技术在增加图像显示尺寸和清晰度，减少系统芯片数量以降低系统的成本和产品的空间体积方面具有广阔的应用前景，目前硅基微显技术可应用于军事、医学、航空航天以及电子消费等各个领域。

然而，现有的实现硅基微显示面板的彩色化存在难度较大和良率较低的问题，因此很难实现批量化生产。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，以实现降低显示面板彩色化的制作难度，提升显示面板的良率。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

背板以及位于所述背板上的多个第一发光器件、多个第二发光器件和多个第三发光器件，所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件的发光颜色不同；

沿垂直于所述显示面板的方向，所述第二发光器件和所述第一发光器件交叠。

进一步地，所述第一发光器件为蓝色发光器件，所述第二发光器件为绿色发光器件，所述第三发光器件为红色发光器件；

或者，所述第一发光器件为绿色发光器件，所述第二发光器件为蓝色发光器件，所述第三发光器件为红色发光器件。

实现了显示面板的彩色化。

进一步地，所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件包括层叠设置的阴极、外延层和阳极。

发光器件采用垂直结构，使得显示面板的单位面积上的电极数量大大减少，进而可以进一步减小发光器件的尺寸，实现高ppi。

进一步地，所述第一发光器件的阳极、所述第二发光器件的阳极和所述第三发光器件的阳极均位于所述发光功能层邻近所述背板的一侧，所述背板包括多个像素驱动电路，所述第一发光器件的阳极、所述第二发光器件的阳极和所述第三发光器件的阳极与对应的所述像素驱动电路电连接；

所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件共用阴极。

阴极层设置为共通层结构，可以在n型半导体层远离背板的一侧直接沉积阴极层，从而简化了阴极的制作工艺，有利于降低制作成本以及提高显示面板的良率。

进一步地，所述背板包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路为数字驱动电路。

避免了采用模拟驱动电路存在的模拟信号易受干扰以及灰阶值调节精度低的问题，有利于减小像素驱动电路所占面积，尤其针对硅基微显示面板，有利于提高显示面板的分辨率。

进一步地，所述第二发光器件的阴极位于所述第二发光器件的外延层远离所述背板的一侧，对应所述第二发光器件所在区域，所述第二发光器件的阴极与所述第二发光器件的外延层之间设置有所述第一发光器件的外延层，所述第二发光器件的外延层中的n型半导体层通过贯穿所述第一发光器件的外延层的过孔与所述第二发光器件的阴极电连接。

第一发光器件的外延层被阴极层短路，在显示面板正常显示过程中，第一发光器件对应第二发光器件所在区域的外延层不发光，从而不会影响第二发光器件的发光颜色和发光亮度。

进一步地，所述第三发光器件的阴极位于所述第三发光器件的外延层远离所述背板的一侧，对应所述第三发光器件所在区域，所述第三发光器件的阴极和所述第三发光器件的外延层之间设置有辅助键合层，所述第三发光器件的外延层中的n型半导体层通过贯穿所述辅助键合层的过孔与所述第三发光器件的阴极电连接。

有利于将第三发光器件键合到第一衬底上。

进一步地，显示面板还包括：盖板，所述盖板位于所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件远离所述背板的一侧，所述盖板包括多个凸起结构，所述凸起结构向所述盖板远离所述背板的方向凸起。

有利于避免第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件发出的光线角度较大时，发生全反射而不能射出，因此，采用凸起结构，可以避免光线全反射的现象，增加出光率；而且凸起结构可以将光线射出的角度调整的比较大，能够减小视角色偏，有利于用户从多个角度观看显示面板而不会影响显示效果。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底上外延生长所述第一发光器件和所述第二发光器件；

提供第二衬底，在所述第二衬底上外延生长所述第三发光器件；

将所述第三发光器件键合于所述第一衬底上；

去除所述第二衬底，并将所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件键合于所述背板上；其中，沿垂直于所述显示面板的方向，所述第二发光器件和所述第一发光器件交叠。

进一步地，在将所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件键合于所述背板上之后，还包括：

去除所述第一衬底；

将盖板设置于所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件远离所述背板的一侧；其中，所述盖板包括多个凸起结构，所述凸起结构向所述盖板远离所述背板的方向凸起。

本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法，设置显示面板包括背板以及位于背板上的多个第一发光器件、多个第二发光器件和多个第三发光器件，且沿垂直于显示面板的方向，第二发光器件和第一发光器件交叠，本发明实施例可以在显示面板发光器件尺寸极小的情况下，以较低的工艺难度、较少的工艺步骤和较高的制作良率，实现显示面板的彩色化显示。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；

图5至图11为对应图4中各步骤的剖面结构示意图；

图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图；

图13为对应图12中s260的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图1，该显示面板包括背板10以及位于背板10上的多个第一发光器件1、多个第二发光器件2和多个第三发光器件3，第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3的发光颜色不同。且沿垂直于显示面板的方向，第二发光器件2和第一发光器件1交叠。

示例性地，可以设置第一发光器件1为蓝色发光器件，第二发光器件2为绿色发光器件，第三发光器件3为红色发光器件。具体地，可以在第一衬底上外延生长出第一发光器件1，即蓝色发光器件，再在第一发光器件1远离第一衬底的一侧外延生长第二发光器件2，即绿色发光器件。其中，在第一衬底上外延生长出第一发光器件1是指，在第一衬底上外延生长n型半导体层(n-gan)、发光功能层(ingan蓝光多量子阱层)和p型半导体层(p-gan)；也可以在第一衬底上外延生长缓冲层，构成缓冲层的材料例如可以为aln(氮化铝)或gan(氮化镓)，再外延生长n型半导体层(n-gan)、发光功能层(ingan蓝光多量子阱层)和p型半导体层(p-gan)。在第一发光器件1上外延生长出第二发光器件2是指，在p型半导体层上外延生长n型半导体层(n-gan)、发光功能层(ingan绿光多量子阱层)和p型半导体层(p-gan)。

沿垂直于第一衬底的方向，第二发光器件2和第一发光器件1交叠，是指第一发光器件1中包括n型半导体层、发光功能层和p型半导体层的外延层11，与第二发光器件2中包括n型半导体层、发光功能层和p型半导体层的外延层21交叠。对第一发光器件1和第二发光器件2采用一次刻蚀工艺，对n型半导体层、发光功能层和p型半导体层进行刻蚀，即可形成第一发光器件1的外延层11和第二发光器件2的外延层21，且第一发光器件1的外延层11和第二发光器件2的外延层21交叠，例如在第二发光器件2所在区域，第一发光器件1的外延层11和第二发光器件2的外延层21交叠。在第二衬底上外延生长出第三发光器件3，即红色发光器件，再采用晶圆键合技术将第三发光器件3，键合在外延生长有第一发光器件1和第二发光器件2的第一衬底上。

示例性地，显示面板可以为硅基微显示面板，发光器件可以为microled，目前在制作硅基微显示面板时，如果硅基微显示面板包括三种颜色的发光器件，则需要一次批量转移同一种颜色的发光器件，采用三次衬底剥离和键合技术才能实现显示面板的彩色化，但是对发光器件的衬底剥离以及发光器件与背板的焊接的过程会损伤发光器件，极大地降低了显示面板的制作良率。另外，针对硅基微显示面板，发光器件的尺寸极小，使得发光器件实现高对准精度的倒装焊接技术的难度极大，即发光器件的对位难度极大，进一步降低了显示面板的制作良率。

本发明实施例通过设置显示面板包括背板10以及位于背板10上的多个第一发光器件1、多个第二发光器件2和多个第三发光器件3，沿垂直于第一衬底的方向，第二发光器件2和第一发光器件1交叠，至少包括如下有益效果：

第一方面，本发明实施例无需采用技术难度较大的批量转移技术，且无需分别采用三次衬底剥离和键合技术，仅需要一次晶圆键合技术即可实现在同一衬底上形成三种颜色的发光器件。因此，本发明实施例降低了衬底剥离工艺和键合工艺损伤发光器件的概率，提高了显示面板的制作良率。

第二方面，相对于采用三次对极小尺寸发光器件的键合对位，本发明实施例仅需在转移第三发光器件3时进行晶圆键合，可以在将第三发光器件3键合至第一衬底后再进行制作电极等工艺步骤，晶圆键合技术的对位要求较低，容易实现，尤其针对高分辨率的显示面板，例如硅基微显示面板，大大降低了巨量转移时的键合对位难度，进一步提高了显示面板的制作良率。

第三方面，通过设置沿垂直于第一衬底的方向，第二发光器件2和第一发光器件1交叠，可以在生长第一发光器件1和第二发光器件2后再对第一衬底上的第一发光器1件和第二发光器件2进行整片的图案化工艺，从而有利于减少工艺步骤。

第四方面，本发明实施例中显示面板的制作工艺技术均可以基于现有的比较成熟的加工工艺完成，因此能够获得半导体工艺的技术支撑和设备保障，从而有利于提高良率，降低显示面板的制作成本。

第五方面，显示面板实现彩色化显示的传统技术是量子点色转换技术，即在膜层中掺杂有不同颜色的量子点，进而实现彩色显示，但是针对高分辨率的显示面板，例如硅基微显示面板，发光器件的尺寸极小，很难利用传统的量子点色转换技术实现彩色化显示。本发明实施例可以在第一衬底上外延生长第一发光器件1和第二发光器件2，在第二衬底上外延生长第三发光器件3，因此可以利用不同颜色的多量子阱层使得不同发光器件发出不同颜色的光线，进而实现显示面板，例如硅基微显示面板的彩色化显示。

综上，本发明实施例可以在显示面板发光器件尺寸极小的情况下，以较低的工艺难度、较少的工艺步骤和较高的制作良率实现显示面板的彩色化显示。

图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。参见图2，在上述实施例的基础上，可选地，第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3的包括层叠设置的阴极、外延层和阳极。

具体地，结合图1和图2，第一发光器件1的外延层11包括p型半导体层111、发光功能层112和n型半导体层113，第二发光器件2的外延层21包括p型半导体层211、发光功能层212和n型半导体层213，第三发光器件3的外延层31包括p型半导体层311、发光功能层312和n型半导体层313。第一发光器件1的阴极15和阳极12分别位于发光功能层112的两侧，即第一发光器件1为垂直结构，第二发光器件2的阴极25和阳极22分别位于发光功能层212的两侧，即第二发光器件2为垂直结构，第三发光器件3的阴极35和阳极32分别位于发光功能层312的两侧，即第三发光器件3为垂直结构。这样，相比于阴极和阳极设置在发光功能层的同侧，有利于避免各发光器件的阴极和阳极的电极短路，进而可以进一步减小发光器件的尺寸，实现高ppi。

继续参见图2，在上述实施例的基础上，可选地，背板10包括多个像素驱动电路4，像素驱动电路4为数字驱动电路。数字驱动电路采用数字信号驱动发光器件发光，通过控制发光器件的发光时间来调节发光器件的发光亮度，避免了采用模拟驱动电路存在的模拟信号易受干扰以及灰阶值调节精度低的问题，且数字驱动电路不包括电容结构，有利于减小像素驱动电路所占面积，尤其针对硅基微显示面板，有利于提高显示面板的分辨率，数字驱动电路例如可以采用sram(staticrandomaccessmemory，静态随机存取存储器)电路以实现显示面板的有源驱动。

继续参见图2，在上述实施例的基础上，可选地，第二发光器件2的阴极25位于第二发光器件2的外延层21远离背板10的一侧，对应第二发光器件2所在区域，第二发光器件2的阴极25和第二发光器件2的外延层21之间设置有第一发光器件1的外延层11；第二发光器件2的外延层21中的n型半导体层213通过贯穿第一发光器件1的外延层11的过孔与第二发光器件2的阴极25电连接。

本发明实施例设置第一发光器件1的外延层11位于第二发光器件2的阴极25和第二发光器件2的n型半导体层213之间的原因在于，在第一衬底上外延生长出第一发光器件1，再在第一发光器件1远离第一衬底的一侧外延生长第二发光器件2，且沿垂直于第一衬底的方向，第二发光器件2和第一发光器件1交叠，然后对第一发光器件1和第二发光器件2采用一次刻蚀工艺，以减少工艺步骤。那么形成第一发光器件1的外延层11和第二发光器件2的外延层21，由于第一发光器件1的外延层11位于第二发光器件2的外延层21和第一衬底之间，因此第一发光器件1的外延层11没有被刻蚀掉，形成第一发光器件1的外延层11和第二发光器件2的外延层21交叠的情况。

第二发光器件2的n型半导体层213通过贯穿第一发光器件1的外延层11的过孔与阴极25电连接，即阴极25贯穿第一发光器件1的外延层11，因此，第一发光器件1的外延层11中的n型半导体层和p型半导体层被阴极25短路，在显示面板正常显示过程中，第一发光器件1对应第二发光器件2所在区域的外延层11不发光，从而不会影响第二发光器件2的发光颜色和发光亮度。

继续参见图2，在上述实施例的基础上，可选地，第三发光器件3的阴极5位于第三发光器件3的外延层31远离背板10的一侧，对应第三发光器件3所在区域，第三发光器件3的阴极35和第三发光器件3的外延层31之间设置有辅助键合层6；第三发光器件3的外延层31中的n型半导体层313通过贯穿辅助键合层6的过孔与第三发光器件3的阴极35电连接。

示例性地，辅助键合层6例如可以是键合电介质，如钛酸钡等，辅助键合层6有利于利用晶圆绑定技术将第三发光器件3键合到第一衬底上。第三发光器件3的外延层31中的n型半导体层313通过第三发光器件3的阴极35接收到阴极信号，像素驱动电路4向第三发光器件3提供阳极信号，有利于实现对第三发光器件3的有源驱动。

结合图1和图2，在上述实施例的基础上，可选地，第一发光器件1的阳极12、第二发光器件2的阳极22和第三发光器件3的阳极32均位于发光功能层邻近背板10的一侧。背板10包括多个像素驱动电路4，第一发光器件1的阳极、第二发光器件2的阳极和第三发光器件3阳极与对应的像素驱动电路4电连接。第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3共用阴极5。

具体地，结合图1和图2，第一发光器件1的阳极12位于发光功能层112邻近背板10的一侧，第二发光器件2的阳极22位于发光功能层212邻近背板10的一侧，第三发光器件3的阳极32位于发光功能层312邻近背板10的一侧。第一发光器件1的阳极12、第二发光器件2的阳极22和第三发光器件3的阳极32分别与对应的像素驱动电路4电连接。像素驱动电路4向第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3提供阳极信号，有利于实现对第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3的有源驱动。

第一发光器件1的n型半导体层113、第二发光器件2的n型半导体层213和第三发光器件3的n型半导体层313共用阴极5，第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3的n型半导体层通过共用阴极5接收到共用阴极信号。本发明实施例通过将共用阴极5设置为共通层结构，且位于n型半导体层远离背板10的一侧，从而可以在n型半导体层远离背板10的一侧直接沉积共用阴极5，从而简化了共用阴极的制作工艺，有利于降低制作成本。因此，本发明实施例在确保低制作成本和高良率的基础上，实现了发光器件的有源驱动。

需要说明的是，在上述各实施例中示例性地示出了第一发光器件1为蓝色发光器件，第二发光器件2为绿色发光器件，第三发光器件3为红色发光器件，并非对本发明的限定。在其他实施例中，还可以设置第一发光器件1为绿色发光器件，第二发光器件2为蓝色发光器件，第三发光器件3为红色发光器件，或者其他情况，在实际应用中可以根据需要进行设定。具体地，能够在同一衬底上生长的发光器件为与该衬底晶格匹配的发光器件，而与该衬底失配的发光器件选择晶圆键合工艺形成在该衬底上。正如本发明实施例所提供的蓝色发光器件和绿色发光器件，其均可以在晶向(111)的硅基衬底或者蓝宝石衬底上外延生长，而对于红色发光器件需要在砷化镓(gaas)衬底上外延生长，因此，选择蓝色发光器件和绿色发光器件在第一衬底上外延生长，红色发光器件采用晶圆键合工艺形成在第一衬底上。

图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参见图3，在上述实施例的基础上，可选地，显示面板还包括盖板7。盖板7位于第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3远离背板10的一侧；盖板7包括多个凸起结构71，凸起结构71向远离背板10的方向凸起。其中，盖板7例如可以为透镜盖板，凸起结构71为凸透镜。本发明实施例设置盖板7包括凸起结构71，有利于避免第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3发出的光线角度较大时，发生全反射而不能射出，因此，采用凸起结构71，可以避免光线全反射的现象，增加出光率；而且凸起结构71可以将光线射出的角度调整的比较大，能够减小视角色偏，有利于用户从多个角度观看显示面板而不会影响显示效果。

本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图，该制作方法用于制作上述实施例的显示面板，如图4所示，显示面板的制作方法包括：

s110、提供第一衬底，在第一衬底上外延生长第一发光器件和第二发光器件；其中，沿垂直于第一衬底的方向，第二发光器件和第一发光器件交叠。

结合图1-图3、图5，提供第一衬底20，第一衬底20可以硅基晶向(111)的硅基衬底，也可以是蓝宝石衬底。示例性地，在第一衬底20上外延生长第一发光器件1和第二发光器件2包括，采用金属有机化合物化学气相沉淀(mocvd)工艺在第一衬底20上外延生长第一发光器件1，在mocvd中，可以采用掩膜版预留出第三发光器件1的键合位置；采用同一掩膜版在第一发光器件1上外延生长第二发光器件2。

其中，外延生长第一发光器件1具体可以是，依次在第一衬底20上外延生长缓冲层(aln或gan)，n型半导体层(n-gan)、发光功能层(ingan蓝光多量子阱层)和p型半导体层(p-gan)。外延生长第二发光器件2具体可以是，依次在第一发光器件1上外延生长n型半导体层(n-gan)、发光功能层(ingan绿光多量子阱层)和p型半导体层(p-gan)。缓冲层可以改善n型半导体层与第一衬底20的晶格失配，而第二发光器件2的n型半导体层与第一发光器件1的p型半导体层晶格匹配，因此，无需在第二发光器件2的n型半导体层与第一发光器件1的p型半导体层之间设置缓冲层。

s120、提供第二衬底，在第二衬底上外延生长第三发光器件。

结合图1-图3、图6，提供第二衬底30，第二衬底30可以是砷化镓(gaas)。示例性地，采用金属有机化合物化学气相沉淀(mocvd)工艺在第二衬底30上外延生长第三发光器件3，在mocvd中，可以采用掩膜版预留出第一发光器件1和第二发光器件2的位置。也可以在第二衬底30上整面沉积第三发光器件3，然后采用光刻加蚀刻工艺预留第一发光器件1和第二发光器件2的位置。外延生长第三发光器件3具体可以是，依次在第二衬底30上外延生长缓冲层(gali)，n型半导体层(n-gali)、发光功能层(红光多量子阱层)和p型半导体层(p-gali)。

s130、将第三发光器件键合于第一衬底上。

结合图1-图3、图7，将第三发光器件3键合于第一衬底20上。示例性地，采用晶圆键合(waferbonding)工艺将外延生长有第三发光器件3的第二衬底30与第一衬底20键合。可选地，可以采用辅助键合层6将第三发光器件3与第一衬底20稳定键合。可选地，辅助键合层6例如可以是键合电介质，如钛酸钡等。然后采用湿法腐蚀工艺去第二衬底30。

结合图1-图3、图7和图8，在第二发光器件2和第三发光器件3远离第一衬底20的一侧涂覆光刻胶；采用光刻工艺图案化光刻胶；采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺图案化第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3。

具体地，第一发光器件1包括对应第二发光器件2的区域的部分膜层14，以及对应第一发光器件1的区域的部分膜层15，膜层14和膜层15之间被刻蚀，且刻蚀停止在第一衬底20，以断开第一发光器件1和第二发光器件2的电连接。本发明实施例在将第三发光器件3键合至第一衬底后再进行刻蚀的工艺步骤，因此，可以采用对位要求低的晶圆键合工艺将第一衬底20和第二衬底30键合，使得本发明实施例的工艺要求低，容易实现。

结合图1-图3图9，在第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3上沉积阳极，形成第一发光器件1的阳极12、第二发光器件2的阳极22和第三发光器件3的阳极32。具体地，沉积阳极的工艺可以是物理气相沉积、热蒸发或者磁控溅射等工艺。阳极的材料例如可以是铬铂金等金属材料。

可选地，还可以在积阳极之前制作绝缘层。参见图10，示例性地，在第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3上沉积绝缘层8，沉积绝缘层8的工艺例如可以是mocvd。绝缘层8的材料例如可以是二氧化硅。绝缘层8的设置可以起到保护发光器件不受水氧侵蚀的作用，以及有助于降低发光器件的漏电流。

s140、提供背板；其中，背板包括多个像素驱动电路。

结合图1-图3、图11，提供背板10，背板10包括多个像素驱动电路4。像素驱动电路4可以是无电容的数字驱动电路，例如sram驱动电路，像素驱动电路4可以在硅基背板有限的空间上完成。

s150、去除第二衬底，并将第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件键合于背板上；其中，沿垂直于显示面板的方向，第二发光器件和第一发光器件交叠。

结合图1-图3、图11，将形成于第一衬底20上的第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3键合于背板10上。第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3的阳极均位于发光功能层邻近背板10的一侧，阳极与对应的像素驱动电路4电连接。示例性地，键合工艺采用倒装键合焊接工艺，将第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3的阳极与对应的像素驱动电路4对位键合。然后去除第一衬底20。若第一衬底20为蓝宝石衬底，则可以采用激光剥离将蓝宝石衬底去除。若第一衬底20为硅基衬底，则可以采用湿法腐蚀将硅基衬底去除。可选地，在去除第一衬底20之前，还可以填充并固化底填胶9，以加强键合的强度。

本发明实施例中所采用的制作工艺技术均可以基于现有的比较成熟的加工工艺完成，因此能够获得半导体工艺的技术支撑和设备保障，从而有利于提高良率、降低成本。

图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图，参见图12，在上述实施例的基础上，可选地，显示面板的制作方法包括：

s210、提供第一衬底，在第一衬底上外延生长第一发光器件和第二发光器件。

s220、提供第二衬底，在第二衬底上外延生长第三发光器件。

s230、将第三发光器件键合于第一衬底上。

s240、提供背板，背板包括多个像素驱动电路。

s250、去除第二衬底，并将第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件键合于背板上；其中，沿垂直于显示面板的方向，第二发光器件和第一发光器件交叠。

s260、去除第一衬底。

参见图13，去除第一衬底20。

s270、将盖板设置于第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件远离背板的一侧；其中，盖板包括多个凸起结构，凸起结构向盖板远离背板的方向凸起。

参见图3，将盖板7设置于第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3远离背板10的一侧；盖板7包括多个凸起结构71，凸起结构71向远离背板10的方向凸起。其中，盖板7例如可以为透镜盖板，凸起结构71为凸透镜。

本发明实施例设置盖板7包括凸起结构71，有利于避免第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3发出的光线角度较大时，发生全反射而不能射出，因此，采用凸起结构71，可以避免光线全反射的现象，增加出光率；而且凸起结构71可以将光线射出的角度调整的比较大，能够减小视角色偏，有利于用户从多个角度观看显示面板而不会影响显示效果。

在上述各实施例的基础上，可选地，结合图1-图3，在第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3的n型半导体层远离背板的一侧形成共用阴极5，n型半导体层均连接至共用阴极5。

示例性地，在第一发光器件1、第二发光器件2和第三发光器件3上刻蚀过孔，刻蚀停止到n型半导体层，然后在n型半导体层远离基底10的一侧整面沉积共用阴极5，共用阴极5的材料可以为金属。

本发明实施例中的发光器件为垂直结构，相比于阴极和阳极设置在发光功能层的同侧，发光器件设置为垂直结构，从而有利于避免阴极和阳极的电极短路，进而可以进一步减小发光器件的尺寸，实现高ppi。以及，本发明实施例通过将共用阴极5设置为共通层结构，且位于n型半导体层远离背板10的一侧，从而可以在n型半导体层远离背板10的一侧直接沉积共用阴极5，从而简化了阴极的制作工艺，有利于降低制作成本。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。