一种夹取晶圆的镊子的制作方法

本实用新型属于半导体封装的技术领域，特别涉及一种夹取晶圆的镊子。

背景技术：

目前半导体封装所用到的晶圆材料大都是钽酸锂（LT: Lithium Tantalate）或铌酸锂（LN: Lithium Niobate）晶圆。这些新材料晶圆比起传统的硅基材的晶圆更脆弱，更容易在晶圆传输的过程中破裂而导致增加成本。

一方面，在工程研发阶段，晶圆数量不多，而全自动的晶圆传输设备投资额度又太大，在制程中通常会用手动的方式来传输晶圆，手动传送无疑又增加了晶圆破裂的几率。另一方面，在晶圆表面布满凸点，不可触碰，用传统的镊子去夹取晶圆很容易造成晶圆滑落破裂或触碰晶圆表面凸点导致凸点损伤或掉落，这样会造成产品质量问题或良率损失。而且，因为凸点的存在，也无法使用真空吸笔来传输晶圆。

为了减少手动传输晶圆的破裂率，特设计了一种用于晶圆手动传输的镊子，能够较安全的用于封装制程中的晶圆传输。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种夹取晶圆的镊子，以便在封装制程中较为安全的进行晶圆传输，具有晶圆不破裂，凸点不损伤的优点。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术解决方案是：

一种夹取晶圆的镊子，包括上夹持臂和下夹持臂，上夹持臂的末端和下夹持臂的末端相互连接；还包括保护层、L型限位块、一型限位块和固定销；保护层呈L型并通过固定销活动连接在上夹持臂的前端，上夹持臂具有台阶，下夹持臂具有台面，台阶和台面形成夹持晶圆的空腔；一型限位块固定在台面的侧边，L型限位块固定在上夹持臂台阶的下方并延伸至一型限位块的下方。

进一步，上夹持臂的前端呈弧形，保护层沿着弧形的上夹持臂设置。

进一步，在下夹持臂的前端也设有保护层，保护层沿台面延伸覆盖至一型限位块处。

进一步，在上夹持臂的台阶处也设有保护层。

进一步，保护层为防静电材料制得。

进一步，L型限位块与台阶一体成型，一型限位块与台面一体成型。

本实用新型充分考虑了晶圆的特点和表面结构，针对性的做了特别的机械结构设计来迎合晶圆夹取的要求，做到晶圆不破裂，凸点不损伤。此特殊镊子比较适用于工程研发阶段或小量生产阶段，减少晶圆在传输过程中的破裂率和凸点损伤率。本实用新型具有以下优点：

1、上夹持臂采用台阶设置，避免镊子进入晶圆太里面而触碰到凸点；

2、保护层通过固定销活动连接在上夹持臂的前端，这种单边单点固定设计，使得使用本镊子夹取晶圆的时候，可以自动调整角度来夹取晶圆；

3、通过L型限位块和一型限位块形成机械互锁结构，防止镊子在夹取晶圆时，开口过大导致晶圆进入台阶处，避免了晶圆边缘被台阶夹住破裂。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是图1中A部的局部放大图；

图3是本实用新型的示意图；

图4是本实用新型夹取晶圆时的示意图一；

图5是本实用新型夹取晶圆时的示意图二。

标号说明

上夹持臂1 台阶13 下夹持臂2 台面23

侧边231 保护层3 L型限位块4 一型限位块5

固定销6 晶圆9 凸点91。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详述。本实用新型所揭示的是一种夹取晶圆的镊子，如图1和图2所示，为本实用新型的较佳实施例，包括上夹持臂1和下夹持臂2，还包括保护层3、L型限位块4、一型限位块5和固定销6。上夹持臂1的末端和下夹持臂2的末端相互连接形成镊子。

如图3和图5所示，保护层3呈L型并通过固定销6活动连接在上夹持臂1的前端，在本实施例中，固定销6穿过保护层3固定在上夹持臂1的前端上，这样保护层3在夹取晶圆9的时候，可以自动调整角度来契合晶圆9的外形，即单点固定设计。保护层3具有软性、防静电及防撞的特性，能够在晶圆9夹取时，防止静电产生和防止互相撞击，避免导致晶圆9损伤甚至破裂。

上夹持臂1具有台阶13，台阶13避免了镊子夹取晶圆9时，晶圆9进入镊子太深而触碰到晶圆9上的凸点91。

下夹持臂1具有台面23，台阶13和台面23形成夹持晶圆9的空腔，方便夹取晶圆9。

如图2所示，一型限位块5固定在台面23的侧边231，L型限位块4固定在上夹持臂1台阶13的下方，L型限位块4延伸至一型限位块5的下方，即一型限位块5叠设于L型限位块4的上方，可相互抵靠也可不抵靠，形成机械互锁机构。以一型限位块5与 L型限位块4不相互抵靠为例进行说明，当镊子张开时，下夹持臂2带动一型限位块5向下运动，上夹持臂1带动L型限位块4向上运动，会导致一型限位块5和 L型限位块4相互靠近，直至抵靠在一起，继而相互作用形成反作用力，这样就可以避免镊子开口过大造成晶圆9边缘被台阶13夹住破裂。

如图4所示，上夹持臂1的前端是和晶圆9接触的位置，上夹持臂1的前端呈弧形，其能够契合晶圆9边缘形状，使得镊子可以有效夹取晶圆9。同时，保护层3呈弧形，也是为了更好的保护晶圆9边缘。

为了进一步保护晶圆9边缘，在下夹持臂1的前端也设有保护层3，保护层3沿台面23延伸覆盖至一型限位块5处。

为了进一步保护晶圆9边缘，在上夹持臂1的台阶13处也设有保护层3，保护层3延伸覆盖至上夹持臂1的台阶13处。

进一步，保护层3为防静电材料制得。在本实施例中，保护层3为防静电橡胶或防静电特氟龙涂层。

为了生产方便和需要，L型限位块4可以与台阶13一体成型，也可不一体成型。同理，一型限位块5可以与台面23一体成型，也可不一体成型。

本实用新型主要用于半导体封装工程研发阶段或小量生产阶段，特别用于晶圆（特别是比较脆弱的材料）的传输，其能够减少晶圆在传输过程中的破裂率和凸点损伤率，不但结构简单，而且使用方便快捷。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故但凡依本实用新型的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本实用新型专利涵盖的范围之内。