一种集成电路金属互连结构的制作方法

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种集成电路金属互连结构。

背景技术：

随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度增加，而体积逐渐减小，因此，已经没有足够的面积来制作所需的金属内连线。为了增加内连线结构而节省体积，目前集成电路结构大都采用多层金属内连线结构。

目前的金属连接线大多只通过单通道传输电子，不仅传输效率低，且在通道出现异常损坏时整个结构就不能使用，影响了使用寿命。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中的金属连接线大多只通过单通道传输电子，不仅传输效率低，且在通道出现异常损坏时整个结构就不能使用，影响了使用寿命的问题，而提出的一种集成电路金属互连结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种集成电路金属互连结构，包括第一金属层、第二金属层和连接金属层，所述第一金属层、第二金属层和连接金属层之间填设有介质层，所述连接金属层与第一金属层和第二金属层相邻处的介质层均开设有与多个第一连通孔，所述第一连通孔内填设有第一连接金属棒，多个所述第一连通孔之间贯通开设有多个第二连通孔，所述第二连通孔内填设有第二连接金属棒，所述介质层对应第一金属层的右侧侧壁均匀开设有多个应力分散槽。

优选的，所述应力分散槽的一端与第一金属层的侧壁连通。

优选的，所述应力分散槽由多个弯折部组成。

优选的，所述第一金属层位于连接金属层的下方，所述第二金属层位于连接金属层的右方。

优选的，所述第一金属层、第二金属层和连接金属层均为矩形结构。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种集成电路金属互连结构，具备以下有益效果：

1、该集成电路金属互连结构，通过设有的第一金属层、第二金属层和连接金属层，连接金属层作为连接中转站使得电子传输更加快速稳定，多个第一连通孔内设置的第一连接金属棒能够保证电子传输速度，多个第二连通孔内设置的第二连接金属棒能够使得多个第一连接金属棒的电子传输分散均匀，保证了集成电路的金属连接性。

2、该集成电路金属互连结构，通过设有的多个应力分散槽，能够对第一金属层中的应力梯度进行快速分散，能够有效的降低应力迁移，保证了集成电路金属互连结构的有效使用。

而且该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型使得电子传输更加快速稳定，使得电子传输分散均匀，保证了集成电路的金属连接性。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种集成电路金属互连结构的结构示意图。

图中：1第一金属层、2第二金属层、3连接金属层、4介质层、5第一连通孔、6第一连接金属棒、7第二连通孔、8第二连接金属棒、9应力分散槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

参照图1，一种集成电路金属互连结构，包括第一金属层1、第二金属层2和连接金属层3，第一金属层1、第二金属层2和连接金属层3之间填设有介质层4，连接金属层3与第一金属层1和第二金属层2相邻处的介质层4均开设有与多个第一连通孔5，第一连通孔5内填设有第一连接金属棒6，多个第一连通孔5之间贯通开设有多个第二连通孔7，第二连通孔7内填设有第二连接金属棒8，介质层4对应第一金属层1的右侧侧壁均匀开设有多个应力分散槽9。

应力分散槽9的一端与第一金属层1的侧壁连通，能够对第一金属层1中的应力梯度进行快速分散，能够有效的降低应力迁移，保证了集成电路金属互连结构的有效使用。

应力分散槽9由多个弯折部组成，能够在有效的面积尽量的增大应力分散槽9的面积，保证应力分散的能力。

第一金属层1位于连接金属层3的下方，第二金属层2位于连接金属层3的右方。

第一金属层1、第二金属层2和连接金属层3均为矩形结构。

本实用新型中，使用时，通过设有的第一金属层1、第二金属层2和连接金属层3，连接金属层3作为连接中转站使得电子传输更加快速稳定，多个第一连通孔5内设置的第一连接金属棒6能够保证电子传输速度，多个第二连通孔7内设置的第二连接金属棒8能够使得多个第一连接金属棒6的电子传输分散均匀，保证了集成电路的金属连接性，通过设有的多个应力分散槽9，能够对第一金属层1中的应力梯度进行快速分散，能够有效的降低应力迁移，保证了集成电路金属互连结构的有效使用。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。