一种功率模组的制作方法

本实用新型涉及功率模组领域。

背景技术：

功率模组一般由功率模块和电容模块组成，是功率电子电力器件如mosfet(中文全称：金氧半场效晶体管；英文全称：metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)、igbt(英文全称：insulatedgatebipolartransistor，中文全称：绝缘栅双极型晶体管)、frd(快恢复二极管)按一定的功能组合封装成的电力开关模块，其主要用于电动汽车，光伏发电，风力发电，工业变频等各种场合下的功率转换。

例如，图1a给出了一种基于igbt的功率模组的原理框图，其由三个igbt桥路和电容芯并联而成，上下两侧分别外接电源的正负极，中间接输出电极；图1b给出了一种基于mosfet的功率模组的原理框图，其由三个mosfet桥路和电容芯并联而成，上下两侧分别外接电源的正负极，中间接输出电极。

如图1c、图1d所示，功率模组包括功率模块1000和电容模块2000；功率模块1000主要包括底板和布置在底板上的功率单元1(其中，其功率模块根据需要控制路数的数量，可以包括多个功率单元1，比如如果用于三相电路中作为控制模块，则可以包括3个功率单元1，分别标记为1u\1v\1w)，功率单元1上布局形成有电路铜层11，并在电路铜层11上设置功率芯片13，实现桥路式的开关控制，该功率单元1通过包括上下两个mosfet管或者igbt的功率电子器件串联而成，两个mosfet管或者igbt之间的电极作为输出电极；功率单元1上连接有第一输入电极4、第二输入电极3和输出电极5；通常第一输入电极4和第二输入电极3分别作为正负电极，分别用于连接外接电源的正极和负极。

以mosfet为例，其为公众所知，其包括3个电极：栅极(g)、源极(s)和漏极(d)，其中源极和漏极接驱动电源，栅极作为输入控制极，用于输入控制信号，控制源极、漏极间的通断。通过从源极或漏极中输出。igbt同样也为公众所知，也包括三个电极：门极(g)、集电极(c)、发射极(e)；其中，门极对应mos管的栅极，集电极对应mos管的漏极；发射极对应mos管的源极；门极作为输入控制极，也作为发射极和集电极之间的通断；两者控制也基本相同。

然而随着功率模块1000中的功率开关被重复地切换，由其结构配置所产生的电感会降低功率模块的可靠性。传统的功率模块1000由于续流回路面积较大，导致功率模块1000的续流回路电感很大，使功率模块1000的开关损耗大，可靠性低。

因此作为改进，如图2a、图2b所示，现有公开了一种优化后的功率模组，其包括电容模块2000和功率模块1000，本例中功率模块1000被设置成3个分别封装的形式，其分别引出有两个输入电极和输出电极5；电容模块2000包括第一电容电极9、第二电容电极及电容芯8；第一电容电极9包括第一电容电极连接端91、第一电容电极本体92和第一电容夹持端93；第二电容电极8包括第二电容电极连接端81、第二电容电极本体82和第二电容夹持端83；电容芯7夹设在第一电容夹持端93和第二电容夹持端83之间；功率模块1000中的两个输入电极以及两个电容电极如图2a、图2b中所示设置为上下层叠布置，并分别与第一电容电极连接端91和第二电容电极连接端81电连接，以通过该种布置方式降低其电感。

然而该种层叠布置的方式会其占用空间相对较大，不利于将功率模组的体积做小。

技术实现要素：

为克服现有技术中功率模组采用层叠布置的方式虽然能降低其电感，但仍然存在占用空间相对较大，不利于将功率模组的体积做小的问题，本实用新型提供了一种功率模组，以进一步降低功率模组的体积，实现功率模组的超小型化。

本实用新型提供的功率模组包括功率模块和电容模块；

所述电容模块包括电容芯、第一电容电极和第二电容电极；所述第一电容电极包括第一电容电极连接端、第一电容电极本体和第一电容夹持端；第二电容电极包括第二电容电极连接端、第二电容电极本体和第二电容夹持端；所述电容芯夹设在所述第一电容夹持端和所述第二电容夹持端之间；所述第一电容电极连接端和所述第二电容电极连接端呈叠层布置；

所述功率模块包括底板及设置于底板上的功率单元、输出电极和两个输入电极；所述两个输入电极包括第一输入电极和第二输入电极；

所述功率单元包括基板、电路铜层和功率芯片组，所述电路铜层形成在所述基板上，所述功率芯片组布置于所述电路铜层上；所述电路铜层包括第一输入导电层、第二输入导电层和输出导电层；所述功率芯片组包括第一桥臂功率芯片组和第二桥臂功率芯片组；

所述第一输入电极包括第一主体部、第一内连部和第一外接部；所述第二输入电极包括第二主体部、第二内连部和第二外接部；所述第一输入电极和第二输入电极成叠层布置；

其中，所述第一主体部向所述电容模块方向延伸并弯折形成所述第一外接部；所述第二主体部向所述电容模块方向延伸并弯折形成所述第二外接部；

所述第一电容电极连接端进一步向所述功率模块方向延伸并弯折后形成第一电容弯折末端；所述第二电容电极连接端进一步向所述功率模块方向延伸并弯折后形成第二电容弯折末端；

所述第一电容弯折末端与所述第一输入电极的第一外接端电连接；所述第二电容弯折末端与所述第二输入电极的第二外接端电连接。

本实用新型提供的功率模组，将电容模组的电容电极的末端以及功率模组的输入电极的末端均弯折后再焊接连接，将原有在水平方向电连接的位置变换为在竖直方向电连接，如此，其既能降低功率模块的电感，又可以减小功率模组占用的面积，从而减小功率模组体积，可实现功率模组的超小型化。

进一步地，所述第一电容弯折末端向上弯折，所述第一外接端向上弯折；所述第二电容弯折末端向下弯折，所述第二外接端向下弯折。

进一步地，所述第一电容弯折末端包括若干手指状的第一电容弯折金手指；所述第二电容弯折末端包括若干手指状的第二电容弯折金手指；

所述第一外接端包括若干与所述第一电容弯折金手指对应数量的第一外接金手指；所述第二外接端包括若干与所述第二电容弯折金手指对应数量的第二外接金手指；

所述第一电容弯折金手指和所述第一外接金手指一一电连接；所述第二电容弯折金手指和所述第二外接金手指一一电连接。

进一步地，所述第一电容弯折金手指和所述第一外接金手指均向上弯折；所述第二电容弯折金手指和所述第二外接金手指均向下弯折；

或，所述第一电容弯折金手指和所述第一外接金手指均向下弯折；所述第二电容弯折金手指和所述第二外接金手指均向上弯折。

进一步地，所述第一电容弯折金手指、所述第二电容弯折金手指、所述第一外接金手指和所述第二外接金手指均向上或者向下弯折；

所述第一电容弯折金手指之间留有间隙，以容纳所述第二电容弯折金手指；所述第二电容弯折金手指之间留有间隙，以容纳所述第一电容弯折金手指；以使所述第一电容弯折金手指和所述第二电容弯折金手指错位设置；

所述第一外接金手指之间留有间隙，以容纳所述第二外接金手指；所述第二外接金手指之间留有间隙，以容纳所述第一外接金手指；以使所述第一外接金手指和所述第二外接金手指错位设置；

错位设置后的所述第一电容弯折金手指和所述第一外接金手指一一电连接；错位设置后的所述第二电容弯折金手指和所述第二外接金手指一一电连接。

进一步地，所述第一电容弯折末端与所述第一输入电极的第一外接端贴合焊接连接；所述第二电容弯折末端与所述第二输入电极的第二外接端贴合焊接连接。

进一步地，所述第一电容弯折末端与所述第一输入电极的第一外接端上均设有外接孔，通过紧固连接件与所述第一输入电极的第一外接端上的外接孔配合实现电连接；所述第二电容弯折末端与所述第二输入电极的第二外接端上均设有外接孔，通过紧固连接件与所述第二输入电极的第二外接端上的外接孔配合实现电连接。

进一步地，所述紧固连接件包括螺栓和螺帽；所述螺栓穿过所述第一电容弯折末端与所述第一外接端的外接孔，通过螺帽拧紧后将所述第一电容弯折末端与所述第一外接端电连接；所述螺栓穿过所述第二电容弯折末端与所述第二外接端的外接孔，通过螺帽拧紧后将所述第二电容弯折末端与所述第二外接端电连接。

附图说明

图1a是igbt功率模组的原理框图；

图1b是mosfet功率模组的原理框图；

图2a是现有技术中功率模组的立体结构示意图；

图2b是图2a中a处放大示意图；

图3是本实用新型具体实施方式中提供的第一种功率模组的立体示意图；

图4是本实用新型具体实施方式中提供的第一种功率模块(无绝缘框架)的立体示意图；

图5是图4中b处放大示意图；

图6是本实用新型具体实施方式中提供的第一种功率模组的剖视示意图；

图7是本实用新型具体实施方式中提供的第一种功率模组的功率模块的立体示意图；

图8是本实用新型具体实施方式中提供的第一种功率模组的功率模块(去除绝缘框架后)的立体示意图；

图9是本实用新型具体实施方式中提供的第一种功率模组的功率模块的分解示意图之一；

图10是本实用新型具体实施方式中提供的第一种功率模组的功率模块的分解示意图之二；

图11是本实用新型具体实施方式中提供的第二种功率模组的立体示意图；

图12是本实用新型具体实施方式中提供的第二种功率模组(去除绝缘框架后)的立体示意图；

图13是图12中c处放大示意图；

图14是本实用新型具体实施方式中提供的第二种功率模组的剖视示意图；

图15是本实用新型具体实施方式中提供的第二种功率模组的功率模块的立体示意图；

图16是本实用新型具体实施方式中提供的第二种功率模组的功率模块(去除绝缘框架后)的立体示意图；

图17是本实用新型具体实施方式中提供的第三种功率模组的立体示意图；

图18是本实用新型具体实施方式中提供的第三种功率模组(去除绝缘框架后)的立体示意图；

图19是图18中d处放大示意图；

图20是本实用新型具体实施方式中提供的第三种功率模组的剖视示意图；

图21是本实用新型具体实施方式中提供的第三种功率模组的功率模块的立体示意图；

图22是本实用新型具体实施方式中提供的第三种功率模组的功率模块(无绝缘框架)的立体示意图；

图23是本实用新型具体实施方式中提供的第四种功率模组的立体示意图；

图24是本实用新型具体实施方式中提供的第四种功率模组(去除绝缘框架后)的立体示意图之一；

图25是本实用新型具体实施方式中提供的第四种功率模组(去除绝缘框架后)的立体示意图之二；

图26是本实用新型具体实施方式中提供的第四种功率模组(去除绝缘框架后)的立体示意图之三；

图27是图26中的e处放大示意图；

图28是是本实用新型具体实施方式中提供的第四种功率模组的剖视示意图；

图29是本实用新型具体实施方式中提供的第四种功率模组的功率模块的立体示意图；

图30是本实用新型具体实施方式中提供的第四种功率模组的功率模块(去除绝缘框架后)的立体示意图。

现有技术及本实用新型中附图标记：

其中，1000、功率模块；2000、电容模块；

1、功率单元；1a、下功率单元；1b、上功率单元；11、电路铜层；12、基板；13、功率芯片；13a、上桥芯片；13b、下桥芯片；14、数据引脚；

10、紧固连接件；10a、螺栓；10b、螺帽；

111、输出导电层；112、第一输入导电层；113、第二输入导电层；1121、第一输入连接部；1122、连接通路；1123、连接通区；

114、源极连接桥；115、第一金属压块；116、第二金属压块；117、第三金属压块；

2、底板；21、下底板；22、上底板；

3、第二输入电极；31、第二外接端；32、第二主体部；33、第二内连部；310、第二外接孔；311、第二外接金手指；

4、第一输入电极；41、第一外接端；42、第一主体部；43、第一内连部；410、第一外接孔；411、第一外接金手指；

5、输出电极；51、输出外接部；52、输出主体部；53、输出内连部；510、输出外接孔；

6、绝缘框架；

7、电容芯；

8、第二电容电极；81、第二电容电极连接端；82、第二电容电极本体；83、第二电容夹持端；80、第二电容弯折末端；801、第二电容弯折金手指；

9、第一电容电极；91、第一电容电极连接端；92、第一电容电极本体；93、第一电容夹持端；90、第一电容弯折末端；901、第一电容弯折金手指。

具体实施方式

为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本具体实施方式中，将通过多个实施例的举例说明，以对附图中所示的四种功率模组进行解释性说明。以将本实用新型想要保护的将电容模组的电容电极的末端以及功率模组的输入电极的末端均弯折后再电连接，将原有在水平方向电连接的位置变换为在竖直方向电连接的核心思想进行具体阐述。

实施例1

如图3-图10所示，本例中，以第一种功率模组为例，对本实用新型电容模块2000和功率模块1000的创新性连接方式进行解释说明。

如图3-图6中所示，本例中公开的功率模组包括功率模块1000和电容模块2000；所述电容模块2000包括电容芯7、第一电容电极9和第二电容电极8；所述第一电容电极9包括第一电容电极连接端91、第一电容电极本体92和第一电容夹持端93；第二电容电极8包括第二电容电极连接端81、第二电容电极本体82和第二电容夹持端83；所述电容芯7夹设在所述第一电容夹持端93和所述第二电容夹持端83之间；所述第一电容电极连接端91和所述第二电容电极连接端81呈叠层布置；从图6中可以清楚看出，其第一电容电极连接端91和第二电容电极连接端81之间相互平行，两者之间留有间隙。

为方便起见，以下实施例中将以mosfet为例对功率模块1000进行具体解释说明。

本例中的功率模块1000属于双面散热型功率模块1000(但并不局限于双面散热型功率模块，其他类型的功率模块1000也是可以的)，其在，每个功率模块1000包括封装于绝缘框架6中的底板2、底板2上形成的功率单元1以及从功率单元1上电连接的两个输入电极和输出电极5。两个输入电极分别包括第一输入电极4和第二输入电极3。功率单元包括一般基板12、电路铜层和功率芯片组，所述电路铜层形成在所述基板12上，所述功率芯片组布置于所述电路铜层上；所述电路铜层包括第一输入导电层112、第二输入导电层113和输出导电层111；所述功率芯片组包括第一桥臂功率芯片组和第二桥臂功率芯片组；

如图3、图4所示，本例中公开的该种双面散热型功率模块1000，其底板2包括下底板21和上底板22；其下底板21上设有下功率单元1a，上底板22上设有上功率单元1b；该上底板22和下底板21的设置，使得其可以形成双面散热的效果。所述上功率单元1b和下功率单元1a整体形成功率单元1，以实现图1中所示桥路的功能。该底板2通常为金属材料，比如铜、铜合金、铝、铝合金中的任意一种制成，其目的是将功率单元1中的热量通过该底板2散发出去。

所述第一输入电极4包括第一主体部42、第一内连部43和第一外接部；所述第二输入电极3包括第二主体部32、第二内连部33和第二外接部；其具体连接关系可进一步参见图7-图10，所述第一内连部43连接到所述第一输入导电层112，所述第二内连部33连接到所述第二输入导电层113，所述第一输入电极4和第二输入电极3成叠层布置；上述第一主体部42和第二主体部32平行布置，第一主体部42和第二主体部32之间留有间隙。

请参见图5所示放大示意图，所述第一主体部42向所述电容模块方向延伸并弯折形成所述第一外接部；所述第二主体部32向所述电容模块2000方向延伸并弯折形成所述第二外接部；

所述第一电容电极连接端91进一步向所述功率模块1000方向延伸并弯折后形成第一电容弯折末端90；所述第二电容电极连接端81进一步向所述功率模块1000方向延伸并弯折后形成第二电容弯折末端80；

所述第一电容弯折末端90与所述第一输入电极4的第一外接端41电连接；所述第二电容弯折末端80与所述第二输入电极3的第二外接端31电连接。

本例中，所述第一电容弯折末端90向上弯折，所述第一外接端41向上弯折；所述第二电容弯折末端80向下弯折，所述第二外接端31向下弯折。

关于上述电连接的方式，其可以采用直接的接触贴合焊接连接，本例中的方式即为贴合焊接连接的方式，但也可以采用技术领域中已知的其他电连接方式，比如，在下述实施例4中将要介绍电连接方式。

其中，如图9所示，所述下功率单元1a包括下基板及布置于所述下基板上的电路铜层11，所述电路铜层11包括第二输入导电层113和输出导电层111；其中，作为公众所知的，还包括控制导电层(图中未标记)，该控制导电层通过绑定线与各功率芯片的门极进行电连接。

其中，该第二输入导电层113与第二输入电极3电连接；该第二输入导电层113上布置有若干组上桥芯片13a；该输出导电层111上布置有对应组数的若干组下桥芯片13b。

上述上桥芯片13a和下桥芯片13b分别形成并联的两组；分别称为第一桥臂功率芯片组和第二桥臂功率芯片组，简称第一功率芯片组和第二功率芯片组，或者称为上桥功率芯片组和下桥功率芯片组(比如，第二桥臂功率芯片组作为上桥功率芯片组，第一桥臂功率芯片组作为下桥功率芯片组)；实现桥路式的开关控制，该功率单元1通过包括上下两组mos管或者igbt的功率电子器件串联而成，分别接在两个输入电极之间，并在两组mos管或者igbt之间的引出电极作为输出电极5。

输入电极和输出电极5通常统称为功率电极。除上述功率电极(或功率引脚)外，功率单元1上还设有进行采样或者进行控制的数据引脚14。

本例中，如图3-图10所示，第一输入电极4为正极，第二输入电极3为负极。其中，第一输入电极4包括第一外接部41、第一主体部42和第一内连部43；所述第一内连部43与第一输入导电层112电连接；第二输入电极3包括第二外接部31、第二主体部32和第二内连部33；所述第二内连部33与所述第二输入导电层113电连接。输出电极5包括输出外接部51、输出主体部52和输出内连部53。本例中，第一输入导电层112作为正导电层，则第二输入导电层113作为负导电层。

如图10所示，所述上功率单元1b包括第一输入导电层112，且第一输入导电层112上形成若干挖空区域，该挖空区域内布置源极连接桥114，该源极连接桥114不与第一输入导电层112电连接。该第一输入导电层112上包括有用来与第一输入电极4电连接的多路第一输入连接部1121，与该第一输入电极4进行多路电连接。如图10中所示，该第一输入导电层112的左侧分成多个支路，也即多路第一输入连接部1121，用来与第一输入电极4进行电连接。其右侧为一大块铜箔形成的与下桥芯片13b进行电连接的连接通区1123，该连接通区1123和多路第一输入连接部1121之间通过多个连接通路1122进行连接，多路连接通路1122和多个第一输入连接部1121和连接通区1123之间围成多个挖空区域。

优选的，如图9所示，可以将第二输入电极3的第二内连部33做成类似的多路手指状，分别与多路第二输入连接部1121电连接，将第二输入电极3与该第二输入连接部1121做成手指状可以释放应力(因电路铜层11和基板12膨胀系数差别大)。同时通过调整电流通路铜皮1122及第二内连部33的宽窄，调整下桥芯片组各功率芯片的电流分布。该种方式可以进一步提高模块工作的稳定性和过载能力。

同样的，如图10所示，也可以将第一输入电极4的第一内连部43做成类似的多路手指状，分别与第一输入导电层112电连接。同样的，如图9所示，也可以将输出电极5的输出内连部53做成类似的多路手指状，分别与输出导电层111电连接。

如图9所示，在其上桥芯片13a上设置若干第一金属压块115，并使上述第一金属压块115与上述源极连接桥114电连接，使其上桥芯片13a的源极通过该第一金属压块115与上述源极连接桥114电连接(比如通过压紧焊接的方式实现电连接)，然后将所述源极连接桥114通过第二金属压块116与输出导电层111电连接。

下桥芯片13b上设有若干第三金属压块117，并使上述第三金属压块117与所述第一输入导电层112电连接，使下桥芯片13b的源极通过第三金属压块117与所述第一输入导电层112电连接。

如图6所示，本例公开的双面散热型功率模块1000，其可以形成两个电流回路，第一个回路从第二输入电极3流入第二输入导电层113，然后通过上桥芯片13a的漏极进入上桥芯片13a，从上桥芯片13a的源极经第一金属压块115进入源极连接桥114，从源极连接桥114经第二金属压块116进入输出导电层111，从输出导电层111经输出电极5输出。第二个回路从第一输入电极4流入的续流电流进入第一输入导电层112，然后经第三金属压块117从下桥芯片13b的源极进入下桥芯片13b，然后从下桥芯片13b的漏极进入输出导电层111，从输出导电层111经输出电极5输出。

本例提供的功率模组，将电容模块的电容电极的末端以及功率模组的输入电极的末端均弯折后再焊接连接，将原有在水平方向电连接的位置变换为在竖直方向电连接，如此，其既能降低功率模块1000的电感，又可以减小功率模组占用的面积，从而减小功率模组体积，可实现功率模组的超小型化。

实施例2

如图11-图16所示，本例中，以第二种功率模组为例，对本实用新型电容模块2000和功率模块1000的创新性连接方式进行解释说明。

本例与实施例1的技术方案大部分相同，其区别点仅在于电容模块2000的电容电极以及功率模块1000上输入电极的差异，因此，不再对电容模块2000和功率模块1000的其他内部结构进行具体说明，而仅对差异点进行解释说明。

本例中，具体参见图13所示放大示意图，所述第一电容弯折末端90包括若干手指状的第一电容弯折金手指901；所述第二电容弯折末端80包括若干手指状的第二电容弯折金手指801；

所述第一外接端41包括若干与所述第一电容弯折金手指901对应数量的第一外接金手指411；所述第二外接端31包括若干与所述第二电容弯折金手指801对应数量的第二外接金手指311；

所述第一电容弯折金手指901和所述第一外接金手指411一一电连接；所述第二电容弯折金手指801和所述第二外接金手指311一一电连接。

本例中，所述第一电容弯折金手指901和所述第一外接金手指411均向上弯折；所述第二电容弯折金手指801和所述第二外接金手指311均向下弯折；

本例中，通过将第一电容弯折末端90设置成若干手指状的第一电容弯折金手指901，第二电容弯折末端80设置成若干手指状的第二电容弯折金手指801，将第一外接端41设置成包括与所述第一电容弯折金手指901对应数量的第一外接金手指411，将第二外接端31设置成包括与所述第二电容弯折金手指801对应数量的第二外接金手指311。

如图14所示，其工作原理同样与实施例1中的相同，其可以形成两个电流回路，第一个回路从第二输入电极3的流入第二输入导电层113，然后通过上桥芯片13a的漏极进入上桥芯片13a，从上桥芯片13a的源极经第一金属压块115进入源极连接桥114，从源极连接桥114经第二金属压块116进入输出导电层111，从输出导电层111经输出电极5输出。第二个回路从第一输入电极4流入的续流电流进入第一输入导电层112，然后经第三金属压块117从下桥芯片13b的源极进入下桥芯片13b，然后从下桥芯片13b的漏极进入输出导电层111，从输出导电层111经输出电极5输出。

通过该种方式，可以保证其电连接的可靠性，既能降低功率模块1000的电感，又可以减小功率模组占用的面积，从而减小功率模组体积，可实现功率模组的超小型化，还有利于降低焊接应力。

实施例3

如图17-图22所示，本例中，以第三种功率模组为例，对本实用新型电容模块2000和功率模块1000的创新性连接方式进行解释说明。

本例与实施例1的技术方案大部分相同，其区别点仅在于电容模块2000的电容电极以及功率模块1000上输入电极电连接方式的差异，因此，不再对电容模块2000和功率模块1000的其他内部结构进行具体说明，而仅对差异点进行解释说明。

本例中，第一输入电极4为正极，第二输入电极3为负极。其中，第一输入电极4包括第一外接部41、第一主体部42和第一内连部43，第一外接部41上的设有第一外接孔410；所述第一内连部43与第一输入导电层112电连接；第二输入电极3包括第二外接部31、第二主体部32和第二内连部33；所述第二内连部33与所述第二输入导电层113电连接；第二外接部31上设有第二外接孔310。输出电极5包括输出外接部51、输出主体部52和输出内连部53；其输出外接部51上设有输出外接孔510。本例中，第一输入导电层112作为正导电层，则第二输入导电层113作为负导电层。

请进一步参见图19所示放大示意图；所述第一电容弯折末端90与所述第一输入电极4的第一外接端41上均设有外接孔，通过紧固连接件10与所述第一输入电极4的第一外接端41上的外接孔配合实现电连接；所述第二电容弯折末端80与所述第二输入电极3的第二外接端31上均设有外接孔，通过紧固连接件10与所述第二输入电极3的第二外接端31上的外接孔配合实现电连接(本例中上述所述第一电容弯折末端90和所述第二电容弯折末端80上的外接孔未标记)。

本例中，所述紧固连接件10包括螺栓10a和螺帽10b；所述螺栓10a穿过所述第一电容弯折末端90与所述第一外接端41的外接孔，通过螺帽10b拧紧后将所述第一电容弯折末端90与所述第一外接端41电连接；所述螺栓10a穿过所述第二电容弯折末端80与所述第二外接端31的外接孔，通过螺帽10b拧紧后将所述第二电容弯折末端80与所述第二外接端31电连接。当然，该紧固连接件10并非只能为螺栓10a和螺帽10b的配合方式，其他的类似铆钉实现铆接的方式也是可以的。

如图20所示，其工作原理同样与上述实施例1、2相同，不再赘述。

通过该种方式，既能降低功率模块1000的电感，又可以减小功率模组占用的面积，从而减小功率模组体积，可实现功率模组的超小型化。且能提供电容模块2000与功率模块1000的电连接可靠性。

实施例4

如图23-图30所示，本例中，以第四种功率模组为例，对本实用新型电容模块2000和功率模块1000的创新性连接方式进行解释说明。

本例与实施例2的技术方案大部分相同，其区别点仅在于电容模块2000的电容电极以及功率模块1000上输入电极的差异，因此，不再对电容模块2000和功率模块1000的其他内部结构进行具体说明，而仅对差异点进行解释说明。

参见图23-图27，本例中所述第一电容弯折金手指901、所述第二电容弯折金手指801、所述第一外接金手指411和所述第二外接金手指311均向上弯折；因均向上弯折，因此，其需要进行错位设计，以免部件之间干涉。当然，也可将所述第一电容弯折金手指901、所述第二电容弯折金手指801、所述第一外接金手指411和所述第二外接金手指311均向下弯折，本质是一样的。

所述第一电容弯折金手指901之间留有间隙，以容纳所述第二电容弯折金手指801；所述第二电容弯折金手指801之间留有间隙，以容纳所述第一电容弯折金手指901；以使所述第一电容弯折金手指901和所述第二电容弯折金手指801错位设置；

所述第一外接金手指411之间留有间隙，以容纳所述第二外接金手指311；所述第二外接金手指311之间留有间隙，以容纳所述第一外接金手指411；以使所述第一外接金手指411和所述第二外接金手指311错位设置；

错位设置后的所述第一电容弯折金手指901和所述第一外接金手指411一一电连接；错位设置后的所述第二电容弯折金手指801和所述第二外接金手指311一一电连接。

上述电连接方式为贴合焊接连接。

对于错位设计，根据本例中的附图可一目了然了解其含义，比如，参见图29、图30对功率模块1000中的第一外接金手指411和第二外接金手指311的错位设置方式，使得其各第一外接金手指411和第二外接金手指311之间错位并且间隔设置。即从纸面从左到右看，第一外接金手指411、第二外接金手指311、第一外接金手指411和第二外接金手指311依次排列。但并不一定限于上述方式，比如，也可以设置成：第一外接金手指411、第一外接金手指411、第二外接金手指311和第二外接金手指311依次排列。或者，第一外接金手指411、第二外接金手指311、第二外接金手指311和第一外接金手指411依次排列，等等。对应的，电容模块2000的第一电容弯折金手指901和第二电容弯折金手指801同样对应错位设计即可。不再赘述。

如图28所示，其工作原理与上述各实施例相同，不再赘述。

同样的，通过该种方式，可以保证其电连接的可靠性，既能降低功率模块1000的电感，又可以减小功率模组占用的面积，从而减小功率模组体积，可实现功率模组的超小型化，还有利于降低焊接应力。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。