1.一种半导体结构，包括：
第一衬底，具有正面和背面；
第二衬底，具有正面和背面，其中，所述第二衬底的所述背面连接至所述第一衬底的所述背面；
器件层，位于所述第二衬底的所述正面上方；
第一导体，穿过所述第二衬底中的半导体层；以及
导电连接，将所述第一导体连接至所述器件层中的导电部件。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一衬底包括位于所述第一衬底的所述背面的再分布层，并且所述再分布层包括嵌入介电层中的第二导体，其中，所述第一导体接触所述第二导体。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体连接至所述半导体结构的电源轨或者接地平面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体在所述第二衬底的所述正面之上延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括在所述第二衬底的所述正面之上延伸的半导体鳍部，其中，所述第一导体的顶面低于所述半导体鳍部的顶面。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体包括钨、钌、铑、铱、钼、铬、或其组合。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体包括铜、金、银、钯、锇、铂、或其组合。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第一导体和所述第二衬底之间的衬垫层。
9.一种半导体结构，包括：
第一衬底，具有正面和背面；
第二衬底，具有正面和背面，其中，所述第二衬底的所述背面接合至所述第一衬底的所述背面；
金属部件，从所述第一衬底的所述背面延伸至所述第二衬底的所述正面；
器件层，位于所述第二衬底的所述正面上方和所述金属部件上方；以及
多层互连，位于所述器件层上方。
10.一种形成半导体结构的方法，包括：
接收具有正面和背面的第一衬底，所述第一衬底的所述正面具有半导体材料，所述第一衬底的所述背面具有钝化层；
接收具有正面和背面的第二衬底，所述第二衬底的所述背面具有绝缘体；
将所述第一衬底的所述背面连接至所述第二衬底的所述背面；
蚀刻穿过所述第二衬底和穿过所述钝化层的沟槽；以及
形成所述沟槽中的导体。