用于半导体制造设备的防泵返流结构的制作方法

本发明涉及一种用于半导体制造设备的防泵返流结构。

背景技术：

半导体制造设备具有用于进行制造半导体的各工序的工序腔室，在这样的工序腔室中进行的工序中，有许多工序需要所述工序腔室内部处于真空状态。

为了在这样的工序腔室内形成真空，在从所述工序腔室延伸的抽吸配管上设置有涡轮泵、干泵以及隔离阀。

所述涡轮泵通过所述抽吸配管抽吸所述工序腔室内部的气体，来使所述工序腔室的内部得以保持高真空度，所述干泵可以助力所述涡轮泵的真空抽吸，所述隔离阀设置于所述涡轮泵与所述干泵之间的所述抽吸配管上，可以根据需要来阻断所述涡轮泵与干泵之间的抽吸配管。

当所述干泵、所述涡轮泵等泵正常运转时，所述隔离阀处于开放状态，当所述干泵、所述涡轮泵等泵的运转不正常时，会产生沿着所述抽吸配管流出的微粒逆流到所述工序腔室内部的返流(backstream)现象，当产生这样的返流现象时，所述工序腔室内部以及作为收容于所述工序腔室内部的加工对象的晶圆会因微粒而受到污染，因此需要用于防止这种返流现象的结构。

现有的在工序腔室用于防止返流的结构有韩国公开专利第10-2003-0009790号(公开日期：2003年02月05日，发明名称：半导体制造装置的防微粒返流装置)等。

但是，在包括所述专利文献在内的现有的在工序腔室中用于防止返流的结构中，在所述干泵、所述涡轮泵等泵非正常运转的情况下，若因这些泵关闭而产生泵的非正常运转信号，则在向所述半导体制造设备的设备控制部传递所述泵的非正常运转信号后，再从所述控制部发出阻断所述隔离阀的信号，根据这种结构，从泵实际发生非正常运转的瞬间到所述隔离阀的阻断瞬间为止一定会发生时间延迟(timedelay)，因此必定会产生所述抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向所述工序腔室流入的返流现象。

技术实现要素：

本发明的一目的在于提供一种用于半导体制造设备的防泵返流结构，根据本发明，相比于通过半导体制造设备的设备控制部形成的隔离阀的阻断方式，可以相对减少从泵实际发生非正常运转的瞬间到隔离阀的阻断瞬间为止的时间延迟(timedelay)，从而能够杜绝产生抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向工序腔室流入的返流现象。

本发明一实施方式的用于半导体制造设备的防泵返流结构适用于半导体制造设备，所述半导体制造设备包括：工序腔室，用于执行制造半导体的工序；抽吸配管，为了在所述工序腔室内形成真空而在所述工序腔室延伸；涡轮泵(turbopump)，配置于所述抽吸配管上，以维持所述工序腔室内部的高真空状态的方式进行抽吸；干泵(drypump)，在所述抽吸配管上配置于和所述涡轮泵相对隔开的位置，能够助力所述涡轮泵的真空抽吸；以及隔离阀(isolationvalve)，在所述抽吸配管上配置于所述涡轮泵与所述干泵之间，能够在所述抽吸配管上阻断所述涡轮泵与干泵之间的部分，所述用于半导体制造设备的防泵返流结构包括：检测传感器，用于实时检测所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子(rotor)的转数中的至少一个；隔离空气供给配管，从外部向所述隔离阀供给空气，来使所述隔离阀保持开放抽吸配管的状态；以及控制部件，根据所述检测传感器检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个，来通过使得通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动或阻断通过所述隔离空气供给配管流动的所述空气向所述隔离阀流动，从而使所述隔离阀开放或阻断所述抽吸配管。

发明效果

根据本发明一实施方式的用于半导体制造设备的防泵返流结构，通过使所述用于半导体制造设备的防泵返流结构包括检测传感器、隔离空气供给配管以及控制部件，来达到相比于通过半导体制造设备的设备控制部形成的隔离阀的阻断方式，可以相对减少从泵实际发生非正常运转的瞬间到隔离阀的阻断瞬间为止的时间延迟，具有能够杜绝产生抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向工序腔室流入的返流现象的效果。

附图说明

图1为示出将本发明第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图。

图2为对现有的用于半导体晶圆制造的干泵产生逆流而污染晶圆的状态进行拍摄后打印的图片。

图3为对通过本发明第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构来防止逆流而使晶圆的污染最小化的状态进行拍摄后打印的图片。

图4为示出将本发明第二实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图。

图5为示出本发明第二实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构的运行条件的曲线图。

图6为示出将本发明第三实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图。

具体实施方式

以下，参照附图来对本发明实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构进行说明。

图1为示出将本发明第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图，图2为对现有的用于半导体晶圆制造的干泵产生逆流而污染晶圆的状态进行拍摄后打印的图片，图3为对通过本发明第一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构来防止逆流而使晶圆的污染最小化的状态进行拍摄后打印的图片。

参照图1至图3，本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构100适用于半导体制造设备，包括检测传感器120、隔离空气供给配管130以及控制部件110。

所述半导体制造设备包括：工序腔室20，用于执行制造半导体的工序；抽吸配管40，为了在所述工序腔室20内形成真空而在所述工序腔室20延伸；涡轮泵(turbopump)30，配置于所述抽吸配管40上，以维持所述工序腔室20内部的高真空状态的方式进行抽吸；干泵(drypump)10，在所述抽吸配管40上配置于和所述涡轮泵30相对隔开的位置，能够助力所述涡轮泵30的真空抽吸；以及隔离阀(isolationvalve)50，在所述抽吸配管上配置于所述涡轮泵30与所述干泵10之间，能够在所述抽吸配管40上阻断所述涡轮泵30与干泵10之间的部分。

这样的所述半导体制造设备的结构为通常的结构，在此省略对其的图示及说明。

所述检测传感器120实时检测所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子(rotor)的转数中的至少一个。

所述检测传感器120检测电流的方式可有将如下方式包括在内的多种方式，即，使用甜甜圈模样的磁芯来在磁芯上缠绕一次线圈以及二次线圈并由此测定二次电流来检测一次电流的变流器方式，或者在电流产生的磁场中设置霍尔器件并通过测定霍尔电压来检测磁场强度，即检测电流强弱的霍尔器件方式等。

并且，所述检测传感器120检测电压的方式可以为对与所述干泵10相连接的后述的供电电缆11和接地(ground)的电压进行实时监测的方式。

当所述检测传感器120检测构成所述干泵10的转子的转数时，可以通过采用霍尔传感器等来直接检测所述转子的转数的方式等的多种方式来检测所述转子的转数。

在本实施例中，在为了向所述干泵10供电而从外部电源延伸来与所述干泵10连接的所述供电电缆11上设置所述检测传感器120，由此在所述供电电缆11上实时检测所述干泵运转所需的感应电流值和所述干泵运转所需的感应电压值中的至少一个。由于可以在作为所述干泵10的前端的所述供电电缆11上检测所述干泵运转所需的感应电流值和所述干泵运转所需的感应电压值中的至少一个，因而可以更为迅速地检测所述干泵10的停止等的所述干泵10非正常运转的情况。

在本实施例中，所述检测传感器120以10～300微秒(microsecond)的周期检测所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个。由此，可以更为迅速地检测所述干泵10的停止等的所述干泵10非正常运转的情况。

为了使所述隔离阀50保持开放所述抽吸配管40的状态，所述隔离空气供给配管130向所述隔离阀50供给空气。

在通过所述隔离空气供给配管130向所述隔离阀50供给所述空气的状态下，所述隔离阀50保持开放所述抽吸配管40的状态，在阻断通过所述隔离空气供给配管130向所述隔离阀50供给所述空气的状态下，将处于所述隔离阀50关闭抽吸配管的状态。

所述控制部件110根据所述检测传感器120检测的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个，来通过使得通过隔离空气供给配管130流动的所述空气向所述隔离阀50流动或阻断通过隔离空气供给配管130流动的所述空气向所述隔离阀50流动，从而使所述隔离阀50开放或阻断所述抽吸配管40。

在本实施例中，所述控制部件110实时(realtime)接收由检测传感器检测的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值中的至少一个，若断开向所述干泵10进行的供电，则从所述检测传感器120实时接收与所述干泵10相关的供电断开信号，来实时阻断通过所述隔离空气供给配管130向所述隔离阀50供给的所述空气，在所述干泵10停止时立刻使所述隔离阀50阻断所述抽吸配管40。

其中，所述干泵10的供电断开信号指因停电、泵内部缺陷等问题而引起的停止向所述干泵10供电时电压值或电流值等变化的信号，也可以定义为所述干泵10停止运转的信号，这样的所述干泵10的供电断开信号由所述检测传感器120检测。

所述控制部件110包括：外盒111，内部设置有电路；显示部112，形成于所述外盒111的表面，用于显示所述控制部件110的运转状态等各种信息；电源连接部113，形成于所述外盒111的一侧，与连接于外部电源的电力电缆相连接；输入部114，形成于所述外盒111的表面，形成用于输入各种信息的键盘等形态；数据线连接部115，与实时检测所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个的所述检测传感器120相连接，来获取由所述检测传感器120检测的信息。

在所述控制部件110的内部内装有用于应对停电的电池，由此，即使在停电时，也可以稳定地进行对于所述隔离阀50的阻断控制。

并且，在所述控制部件110的内部设置有三通阀等的阻隔阀，所述阻隔阀设置于使所述空气流动及被供给的所述隔离空气供给配管130上，用于阻隔所述隔离空气供给配管130，所述隔离空气供给配管130用于从外部泵向所述隔离阀50传递所述空气，若传递由所述检测传感器120检测的所述干泵10的供电断开信号，则将启动所述阻隔阀，由此可立刻阻断从外部泵向所述隔离阀50传递所述空气。

在本实施例中，虽然以使用一个三通阀的例子来进行说明，但所述阻断阀可以采用能够阻断所述空气流动管中的空气流动的多种形态的阀门。

在本实施例中，若最初与干泵10相连接，则所述控制部件110可对由所述检测传感器120检测的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个与将多种款式形态的干泵10的特征值存储在内的预先设定的表值进行比较，来区分所述干泵10的款式，可通过自动识别所述干泵10的款式来预先自动掌握使所述干泵10停止运转的条件值。

以所述预先设定的表值的方式预先将多种款式形态的所述干泵10的特征值存储于所述控制部件110，若所述数据线连接部115最初与连接于所述干泵10的数据线相连接，则通过连接于所述数据线连接部115的数据线来传递所述检测传感器120检测的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个，由此可对以如上所述的方式传递的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个与所述预先设定的表值进行比较，从而所述控制部件110将自动识别所述干泵10的款式。

所述控制部件110在所述预先设定的表值中选定识别到款式的所述干泵10的特征停止运转条件值，来对在由所述检测传感器120检测后通过所述数据线持续实时传递的作为所述干泵10的信号值的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个是否达到使所述干泵10停止运转的所述停止运转条件值进行判断。

若判断为作为所述干泵10的信号值的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个已达到作为将要达到使所述干泵10停止运转的条件值的状态的补偿一定值的运转值，则所述控制部件110向所述隔离阀50传递用于阻断所述抽吸配管40的阻断信号。

例如，在所述干泵10的停止运转条件值为30a的情况下，一旦所述检测传感器120检测到使得作为将要达到使所述干泵10停止运转的条件值的状态的补偿一定值的运转值达到29a的信号值并传递到所述控制部件110，则所述控制部件110将传递对于所述隔离阀50的阻断信号。

若传递对于所述隔离阀50的阻断信号，则设置于所述控制部件110内的所述阻断阀立刻被阻断，由此阻断应通过所述隔离空气供给配管130向所述隔离阀50传递的所述空气的供给，可以立刻阻断连接所述干泵10和所述工序腔室20的所述抽吸配管40。

在图2和图3中，示出了对如上所述的本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构100和在用于半导体晶圆制造的干泵10上采用agv的现有结构进行微粒返流实验的结果照片。

参照图2，在停电、泵内部缺陷等紧急情况下，无法通过所述agv的现有的阻断驱动来有效阻断微粒的返流，致使大量微粒返流到半导体晶圆上，从而污染半导体晶圆。

相反，参照图3，在停电、泵内部缺陷等紧急情况下，可通过本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构100的阻断驱动来有效阻断微粒的返流，基本没有微粒返流到半导体晶圆上，从而可以使晶圆的污染最小化。

在图2及图3所示的实验中，例示出的所使用的测定设备为klatencor公司的p4型，测试设备为applied公司的dps-2型。

以下，参照附图来对本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构100的运行进行说明。

首先，若因所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中被所述检测传感器120检测到并传递至所述控制部件110的达到预先设定的基准值以上而使得所述控制部件110判断所述干泵10处于正常运转状态，则所述隔离阀50保持开放所述抽吸配管40的状态。

相反，若因所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中被所述检测感应器120检测到并传递至所述控制部件110中的至少一个下降至小于预先设定的基准值或者断开向所述干泵10进行的供电而使得所述控制部件110判断所述干泵10处于非正常运转状态，则阻断通过所述隔离空气供给配管130流动的所述空气向所述隔离阀50流动，从而使得所述隔离阀50实时关闭所述抽吸配管40。

如上所述，通过使所述用于半导体制造设备的防泵返流结构100包括所述检测传感器120、所述隔离空气供给配管以及所述控制部件110，来在发生因停电、内部缺陷等无法预测的原因而使得所述干泵10停止运转等的所述干泵10的非正常运转情况时，相比于通过半导体控制设备的设备控制部形成的隔离阀50的阻断方式，可以相对减少从所述干泵10发生非正常运转的瞬间到隔离阀50的阻断瞬间为止的时间延迟(timedelay)，能够杜绝产生抽吸配管40内部的微粒在所述隔离阀50进行阻断之前向工序腔室20流入的返流现象，由此可以防止所述工序腔室20内的半导体晶圆受到污染，也没必要进行因微粒污染而带来的对所述工序腔室20进行清洁等的作业，还可以防止因返流至所述涡轮泵30而引起的过负荷现象。

实施方式

以下，参照附图来对本发明再一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构进行说明。在进行说明的过程中，对于与已在所述的本发明第一实施例中记载的内容重复的说明，由已在所述的本发明第一实施例中记载的内容来取代，将在以下内容中省略对其的说明。

图4为示出将本发明第二实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图，图5为示出本发明第二实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构的运行条件的曲线图。

参照图4及图5，本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构200适用于半导体制造设备，包括检测传感器220、隔离空气供给配管230以及控制部件210。

所述检测传感器220实时检测所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子(rotor)的转数中的至少一个。

所述隔离空气供给配管230用于从外部向隔离阀50供给空气，以使所述隔离阀50保持开放抽吸配管40的状态。

所述控制部件210根据所述检测传感器220检测的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个，来通过使得通过所述隔离空气供给配管230流动的所述空气向所述隔离阀50流动或阻断通过所述隔离空气供给配管230流动的所述空气向所述隔离阀50流动，从而使所述隔离阀50开放或阻断所述抽吸配管40。

在本实施例中，所述控制部件包括外盒211、显示部、电源连接部213、输入部、数据线连接部215、三通阀240以及三通控制部241。

所述三通阀240能够使流体向所述三通阀240的三个方向中的两个方向流动，阻断流体向所述三通阀240的三个方向中的剩余一个方向流动，设置于所述隔离空气供给配管230上，两个侧方与所述隔离空气供给配管230相连接，在剩余一方延伸出旁路通风管路245。

若所述三通阀240开放与所述隔离空气供给配管230连接的两个侧方，则将关闭所述三通阀240中的延伸出所述旁路通风管路245的部分，若所述三通阀240关闭与所述隔离空气供给配管230相连接的两个侧方中的与所述隔离阀50相连接的部分，则将开放所述三通阀240中的延伸出所述旁路通风管路245的部分。

所述三通阀240与所述三通控制部241电连接，通过所述三通控制部241进行运行控制。

所述三通控制部241实时接收所述检测传感器220检测的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个，由此能够根据检测传感器220检测的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个来控制所述三通阀240。

以下，参照附图来对本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构200的运行进行说明。

首先，若因所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中被所述检测传感器220检测到并传递至所述三通控制部241的达到预先设定的基准值p以上而使得所述三通控制部241判断所述干泵10处于正常运转状态，则所述三通控制部241开放所述三通阀240中的与所述隔离空气供给配管230相连接的两个侧方，关闭所述三通阀240中的与所述旁路通风管路245相连接的部分。由此，将向隔离阀50供给从外部通过所述隔离空气供给配管230流动的所述空气，使得所述隔离阀50保持开放所述抽吸配管40的状态。

相反，若因所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中被所述检测传感器220检测到并传递至所述三通控制部241中的至少一个下降至小于预先设定的基准值p而使得所述三通控制部241判断所述干泵10处于例如马上停止运转的情况等的非正常运转状态，则所述三通控制部241在关闭所述三通阀240中的与所述隔离空气供给配管230相连接的两个侧方中的与所述隔离阀50相连接的部分的同时，开放所述三通阀240中的与所述旁路通风管路245相连接的部分。由此，将通过所述旁路通风管路245向外部排出从外部通过所述隔离空气供给配管230流动的所述空气，阻断从外部通过所述隔离空气供给配管230流动的所述空气向所述隔离阀50流动，从而使得隔离阀50实时关闭所述抽吸配管40。

在本实施例中，如图5所示，当所述干泵10运转所需的感应电流值和所述干泵10运转所需的感应电压值中的至少一个形成在处于规定范围内的稳定状态a之后脱离所述稳定状态a并且非正常地上升到规定水准b后急速下降c的模式时，在所述干泵10运转所需的感应电流值和所述干泵10运转所需的感应电压值中的至少一个脱离所述稳定状态a并且非正常地上升到规定水准b后急速下降c的过程中，所述三通控制部241对所述干泵10运转所需的感应电流值和所述干泵10运转所需的感应电压值中的至少一个是否下降至小于预先设定的基准值p进行判断。由此，当采用脱离所述稳定状态a并且非正常地上升到规定水准b的过程中的电流值及电压值时，若在所述干泵10运转所需的感应电流值和所述干泵10运转所需的感应电压值中的至少一个在按如上所述的内容非正常地上升b后未急速下降c，则杜绝产生所述隔离阀50不必要地关闭所述抽吸配管40的现象，仅在因所述干泵10运转所需的感应电流值和所述干泵10运转所需的感应电压值中的至少一个在按如上所述的内容非正常地上升b后急速下降c而必须使得所述隔离阀50阻断所述抽吸配管40的情况下，才会使所述隔离阀50阻断所述抽吸配管40。

其中，所述预先设定的基准值p为所述稳定状态a下的电流值及电压值的规定水准以下的电流值及电压值，例如，可将达到稳定状态a下的电流值及电压值的70％的电流值及电压值预先设定为基准值。

如上所述，通过所述用于半导体制造设备的防泵返流结构200包括所述检测传感器220、所述隔离空气供给配管230以及所述控制部件210，在所述检测传感器220感应到的所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个下降至小于预先设定的基准值p并通过所述三通控制部241判断所述干泵10处于非正常运转状态的情况下，通过所述旁路通风管路245向外部排出从外部通过所述隔离空气供给配管230流动的所述空气，阻断从外部通过所述隔离空气供给配管230流动的所述空气向所述隔离阀50流动，使得所述隔离阀50关闭所述抽吸配管40，由此能够以所述干泵10运转所需的感应电流值、所述干泵10运转所需的感应电压值、构成所述干泵10的转子的转数中的至少一个为基础，通过利用所述三通阀240阻断所述空气的方式来使得所述隔离阀50关闭所述抽吸配管40，由此，相比于通过半导体控制设备的设备控制部形成的隔离阀50的阻断方式，可以相对减少从干泵实际发生非正常运转的瞬间到所述隔离阀50的阻断瞬间为止的时间延迟(timedelay)，能够杜绝产生所述抽吸配管40内部的微粒在所述隔离阀50进行阻断之前向工序腔室20流入的返流现象。

以下，参照附图来对本发明另一实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构进行说明。在进行说明的过程中，对于与已在所述的本发明第一实施例和第二实施例中记载的内容重复的说明，由已在所述的本发明第一实施例和第二实施例中记载的内容来取代，将在以下内容中省略对其的说明。

图6为示出将本发明第三实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构应用于半导体制造设备的状态的图。

参照图6，本实施例的用于半导体制造设备的防泵返流结构300适用于半导体制造设备，包括检测传感器320、隔离空气供给配管330以及控制部件310。

所述检测传感器320实时检测干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个。

所述隔离空气供给配管330用于从外部向所述隔离阀供给空气，以使所述隔离阀保持开放所述抽吸配管的状态。

所述控制部件310根据所述检测传感器320检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个，来通过使得通过所述隔离空气供给配管330流动的所述空气向所述隔离阀流动或阻隔通过所述隔离空气供给配管330流动的所述空气向所述隔离阀流动，从而使所述隔离阀开放或阻断所述抽吸配管。

在本实施例中，所述控制部件310还包括外盒311、显示部、电源连接部313、输入部、三通阀340、三通控制部341、调节开关342、感应电流值传递体343、感应电压值传递体344。

所述三通阀340的两个侧方与所述隔离空气供给配管330相连接，在剩余一方延伸出旁路通风管路。

所述三通控制部341实时接收所述检测传感器320检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个，由此能够根据检测传感器320检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的至少一个来控制所述三通阀340。

所述调节开关342可在从由所述检测传感器320检测的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中选择向所述控制部件310传递的检测信息的同时，对所选择的所述检测信息设定所述干泵的停止运转条件。

更为详细地，所述调节开关342由多个按钮等构成，可首先从所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中选择一项，之后再对之前从所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中选择的一项相比于预先设定的基准值下降的比例值进行调节，从而可调节所述干泵的非正常运转基准。

例如，在所述干泵的运转所需的预先设定的电流值为10安培(a)的状态下，在先利用所述调节开关342选择所述感应电流值后，若将比例值选为相对于所述预先设定的基准值的50％，则所述控制部件310将从所述检测传感器320接收电流值，若从检测传感器320接收的电流值为达到10a的50％的5a，则所述控制部件310判断所述干泵处于非正常运转状态，更准确地说，所述三通控制部341判断所述干泵处于非正常运转状态，由此，所述三通控制部341将关闭所述三通阀340中的与所述隔离空气供给配管330相连接的两个侧方中的与所述隔离阀相连接的部分，同时开放所述三通阀340中的与所述旁路通风管路相连接的部分。

在本实施例中，所述调节开关342可以在0％至100％之间的范围内自由调节相比于所述预先设定的基准值下降的比例值。

并且，在本实施例中，所述调节开关342还可以包括数据收集功能，即，通过对所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的一项进行规定时间内的收集并运算平均值，来确认实际向所述干泵供给的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数。

当处于所述调节开关342选择所述干泵运转所需的感应电流值的状态时，所述感应电流值传递体343从所述检测传感器320接收所述干泵运转所需的感应电流值，来向所述三通控制部341传递。

当处于所述调节开关342选择所述干泵运转所需的感应电压值的状态时，所述感应电压值传递体344从所述检测传感器320接收所述干泵运转所需的感应电压值，来向所述三通控制部341传递。

通过形成如上所述的控制部件310，可以轻松选择从所述检测传感器320传递的所述干泵运转所需的感应电流值、所述干泵运转所需的感应电压值、构成所述干泵的转子的转数中的一项，不仅如此，还可自由地调节对于所述干泵的非正常运转基准。

以上，对本发明的特定实施例进行了图示及说明，但相关技术领域的普通技术人员能够理解的是，可以在不脱离发明要求保护范围中所记载的本发明的思想以及领域的范围内对本发明进行多种更改以及变更。应明确的是，经过这种更改和变更的结构全部包括在本发明的发明要求保护范围内。

产业上的可利用性

根据本发明一实施方式的用于半导体制造设备的防泵返流结构，相比于通过半导体制造设备的设备控制部形成的隔离阀的阻断方式，可以相对减少从泵实际发生非正常运转的瞬间到隔离阀的阻断瞬间为止的时间延迟，能够杜绝产生抽吸配管内部的微粒在所述隔离阀进行阻断之前向工序腔室流入的返流现象，因此具有很高的产业应用性。