1.一种存储器件，包括：
衬底上的底部选择栅(bsg)结构，包括穿过所述bsg结构垂直形成的切缝；
形成于所述bsg结构上的单元-层结构；以及
栅极线狭缝，所述栅极线狭缝垂直穿过所述单元-层结构和所述bsg结构形成至所述衬底中，并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域，其中：
所述栅极线狭缝包括在所述多个指状区域中的第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝，所述第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝，并且
所述切缝包括第一切缝，所述第一切缝形成于所述第二指状区域中并且连接到所述第一栅极线狭缝的栅极线子狭缝，以在所述第二指状区域的第一部分中限定bsg，其中：
在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述bsg通过在所述第一栅极线狭缝的所述一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在所述第一指状区域中的单元串。
2.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述第一切缝将在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述bsg与在所述第二指状区域的第二部分中的bsg电分隔。
3.根据权利要求2所述的器件，其中：
在所述第二指状区域的所述第二部分中的所述bsg被电连接到在所述第二指状区域中的单元串。
4.根据权利要求3所述的器件，其中：
在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述bsg和在所述第二指状区域的所述第二部分中的所述bsg具有距所述衬底相同的高度。
5.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述切缝还包括一个或多个第二切缝，各自连接在相同栅极线狭缝中的相邻栅极线子狭缝。
6.根据权利要求1所述的器件，还包括：
形成于所述衬底上方在所述多个指状区域中的伪沟道；以及
形成于所述bsg结构的在不包括所述第一指状区域的所述多个指状区域中的bsg上的接触。
7.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述第一指状区域被限定在连续栅极线狭缝与包括所述栅极线子狭缝的第一栅极线狭缝之间。
8.根据权利要求7所述的器件，其中：
壁结构形成在所述衬底上方的所述第一指状区域中，其中，所述壁结构包括交替的电极/绝缘层对的堆叠结构。
9.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述切缝在所述衬底上的正投影包括直线段。
10.根据权利要求1所述的器件，还包括：
另一bsg结构，其中：
所述衬底包括阶梯结构区域，并且掺杂阱形成在所述衬底的所述阶梯结构区域中，并且
所述bsg结构和所述另一bsg结构形成于所述衬底的所述阶梯结构区域上且在所述掺杂阱的相对侧上。
11.根据权利要求10所述的器件，其中：
所述bsg结构的顶部和所述另一bsg结构的顶部具有距所述衬底不同的高度。
12.根据权利要求10所述的器件，其中：
所述衬底还包括第一阵列区域和第二阵列区域，并且
所述阶梯结构区域在所述第一阵列区域与所述第二阵列区域之间，沿第二横向方向布置。
13.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述单元-层结构包括交替的电极/绝缘层对的堆叠结构。
14.根据权利要求1所述的器件，其中：
在所述bsg结构上方在所述第二指状区域中的字线通过在所述第一栅极线狭缝的一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分连接到在所述第一指状区域中的电极层。
15.根据权利要求1所述的器件，还包括：
形成于所述切缝中的绝缘材料。
16.一种用于形成存储器件的方法，包括：
在衬底上形成底部选择栅(bsg)结构；
穿过在所述衬底上的所述bsg结构垂直形成切缝；
在所述bsg结构上形成单元-层结构；以及
形成栅极线狭缝，所述栅极线狭缝垂直穿过所述单元-层结构和所述bsg结构结构至所述衬底中，并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域，其中：
所述栅极线狭缝包括在所述多个指状区域中的第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝，所述第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝，并且
所述切缝包括第一切缝，所述第一切缝形成于所述第二指状区域中并且连接到所述第一栅极线狭缝的栅极线子狭缝，以在所述第二指状区域的第一部分中限定bsg，其中：
在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述bsg通过在所述第一栅极线狭缝的所述一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在所述第一指状区域中的单元串。
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述第一切缝将在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述bsg与在所述第二指状区域的第二部分中的bsg电分隔。
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
在所述第二指状区域的所述第二部分中的所述bsg被电连接到在所述第二指状区域中的单元串。
19.根据权利要求18所述的方法，其中：
在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述bsg和在所述第二指状区域的所述第二部分中的所述bsg具有距所述衬底相同的高度。
20.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述切缝还包括一个或多个第二切缝，各自连接在相同栅极线狭缝中的相邻栅极线子狭缝。
21.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在所述衬底上方在所述多个指状区域中形成伪沟道；以及
在不包括所述第一指状区域的所述多个指状区域中在所述bsg上形成接触。
22.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述第一指状区域被限定在连续栅极线狭缝与包括所述栅极线子狭缝的所述第一栅极线狭缝之间。
23.根据权利要求22所述的方法，其中：
壁结构形成在所述衬底上方的所述第一指状区域中，其中，所述壁结构包括交替的电极/绝缘层对的堆叠结构。
24.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述切缝在所述衬底上的正投影包括直线段。
25.根据权利要求16所述的方法，还包括：
形成另一bsg结构，其中：
所述衬底包括阶梯结构区域，并且掺杂阱形成在所述衬底的所述阶梯结构区域中，并且
所述bsg结构和所述另一bsg结构形成于所述衬底的所述阶梯结构区域上且在所述掺杂阱的相对侧上。
26.根据权利要求25所述的方法，其中：
所述bsg结构的顶部和所述另一bsg结构的顶部具有距所述衬底不同的高度。
27.根据权利要求25所述的方法，其中：
所述衬底还包括第一阵列区域和第二阵列区域，并且
所述阶梯结构区域在所述第一阵列区域与所述第二阵列区域之间，沿第二横向方向布置。
28.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述单元-层结构在形成所述栅极线狭缝之前包括交替的牺牲层/绝缘层对的堆叠结构。
29.根据权利要求16所述的方法，其中：
在所述bsg结构上方在所述第二指状区域中的字线通过在所述第一栅极线狭缝的所述一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分连接到在所述第一指状区域中的电极层。
30.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在所述切缝中沉积绝缘材料。