流体沿着第2循环流路232进行循环而冷却底板230。底板230被冷却的同时，支撑板220和基板W也同时被冷却，从而使基板W维持规定温度。
[0047]聚焦环(focus ring) 240配置在静电吸盘210的边缘区域。聚焦环240具有环形形状，并沿支撑板220的周缘配置。聚焦环240的上表面可以以使外侧部240a比内侧部240b高的方式形成段差。聚焦环240的上表面内侧部240b与支撑板220的上表面位于同一高度。聚焦环240的上表面内侧部240b支撑位于支撑板220的外侧的基板W的边缘区域。聚焦环240的外侧部240a以包围基板W边缘区域的方式提供。聚焦环240在腔室100中，能够使等离子体集中于与基板W相对的区域。
[0048]绝缘板250位于底板230的下部。绝缘板250以与底板230相对应的截面积而提供。绝缘板250位于底板230和下部罩270之间。绝缘板250由绝缘材质构成，并使底板230与下部罩270电绝缘。
[0049]下部罩270位于支撑单元200的下端部。下部罩270以从外壳110的底面向上部间隔的方式设置。下部罩270在内部形成有上面开放的空间。下部罩270的上表面被绝缘板250所覆盖。下部罩270的截面的外部半径可以以与绝缘板250的外部半径相同的长度提供。在下部罩270的内部空间可以设置使传送的基板W从外部的传送部件向静电吸盘210移动的升降销模块(未图示)等。
[0050]下部罩270具有连接部件273。连接部件273连接下部罩270的外侧面和外壳110的内侧壁。连接部件273可以在下部罩270的外侧面以一定的间隔设置多个。连接部件273在腔室100内部支撑支撑单元200。此外，连接部件273与外壳110的内侧壁连接，从而使下部罩270电接地(grounding)。与第I下部电源223a连接的第I电源线223c、与第2下部源225a连接的第2电源线225c、与热传递介质储存部231a连接的热传递介质供给线231b、以及与冷却流体储存部232a连接的冷却流体供给线232c等通过连接部件273的内部空间向下部罩270内部延伸。
[0051]气体供给单元300向腔室100内部供给工艺气体。气体供给单元300包括气体供给喷嘴310、气体供给线320、以及气体储存部330。作为一例，气体供给喷嘴310可设置在电介质组件120的中央部。在气体供给喷嘴310的底面形成有喷射口。喷射口位于密封罩120的下部，并向腔室100内部供给工艺气体。气体供给线320连接气体供给喷嘴310与气体储存部330。气体供给线320将储存在气体储存部330的工艺气体供给到气体供给喷嘴310。在气体供给线320上设置有阀门321。阀门321对气体供给线320进行开闭，从而调节通过气体供给线320供给的工艺气体的流量。作为另一例，气体供给喷嘴310可以不设置于电介质组件120的中央部，而是沿外壳110的上端外缘设置。
[0052]等离子体源400能够将腔室100内的工艺气体激发成等离子体状态。作为等离子体源400,可使用电感稱合型等离子体(ICP, inductively coupled plasma)源。等离子体源400可包括:天线室410、天线420以及等离子体电源430。天线室410提供为下部开放的圆筒形状。天线室410的内部提供有空间。天线室410可以提供为具有与腔室100相对应的直径。天线室410的下端可装卸的设置于电介质组件120。天线420配置于天线室410的内部。天线420提供为卷绕多回的螺旋形状的线圈，并与等离子体电源430相连接。天线420接收等离子体电源430所施加的电力(electric power)。等离子体电源430可位于腔室100的外部。被施加电力的天线420能够在腔室100的处理空间可形成电磁场。工艺气体通过电磁场被激发为等离子体状态。
[0053]阻板单元500位于外壳110的内侧壁与支撑单元200之间。阻板单元500包括形成有贯通孔的本体。阻板单元500的本体提供为圈状的环形状。提供到腔室100内的工艺气体通过阻板单元500的贯通孔向排气孔102排气。可以根据阻板单元500的形状以及贯通孔的形状来控制工艺气体的流动。
[0054]图2是示出图1的腔室的立体图。图3是示出电介质组件的侧面剖视图；图4是电介质组件的平面图。
[0055]参照图1至图4，电介质组件120覆盖外壳110的开放的上面。电介质组件120呈盘状，密封外壳I1的内部空间。电介质组件120能够以可分离的方式提供。
[0056]根据本发明的一实施例的电介质组件120包括:电介质窗122 (DielectricWindow)，以及配置于电介质窗122的上部面的加热单元140，使得从等离子体电源430施加于天线 420 的 RF (RF, Rad1-Frequency)电源(power)能够透过。
[0057]电介质窗122可以以石英玻璃或者氮化铝等陶瓷绝缘体构成。在电介质窗122的上部配置有线圈结构的电感耦合型等离子体天线420。电介质窗122具有与外壳110相同的直径。
[0058]加热单元140用于对电介质窗122进行加热。加热单元140可配置于电介质窗122的上表面。通过加热单元140产生的热量传递至整个电介质组件120。
[0059]虽然未图示，配置有加热单元140的电介质窗122可被涂层包绕。涂层可包括耐化学性优异的材质。根据一例，涂层可包括特氟龙(Teflon)。
[0060]加热单元140可以以非金属材质的薄膜型薄膜形状构成。作为一例，加热单元140可为利用碳纳米管的薄膜型碳加热膜。
[0061]加热单元140可划分为多个区域，并可对被划分的各个区域进行独立地控制。作为一例，从上部观察电介质窗122时，其可被区分成与天线420对向的第I区域XI，以及不与420对向的第2区域X2，而加热单元140可仅提供于第2区域X2。加热单元140不设置于与天线420对向的第I区域Xl的原因是当天线420被施加RF电力时，会发生由天线自身发热以及感应磁场引起的耦合效应导致的发热。由于这些原因，与天线420对向的电介质窗122的第I区域Xl的温度会升高。因此，为了电介质窗122的均匀地温度分布，可以仅将加热单元140提供至第2区域X2。
[0062]加热单元140可在进行利用等离子体的基板处理工序的过程中或者在进行工序之前，对电介质组件120进行加热。由此，可防止电介质组件120在基板处理工序中发生急剧地温度变化，形成均匀地温度梯度。
[0063]另外，冷却线128提供至电介质窗122。作为一例，冷却线128可埋设于电介质窗122的内部。冷却线128用于冷却电介质窗122。从上部观察时，冷却线128可配置于与提供有天线420的区域对向的区域X2。
[0064]图5是示出电介质组件的变形例的侧面剖视图。
[0065]参照图5，电介质组件120a包括:电介质窗122，以及配置于电介质窗122的上部面的加热单元140a、140b。
[0066]然而，加热单元140a、140b可分别提供至与天线420对向的第I区域XI，以及不与天线420对向的第2区域X2。被分别提供至第I区域以及第2区域的加热单元140a、140b可以被各自独立地控制。
[0067]图6是示出加热单元的多种形态的附图。
[0068]如图6所示，可根据天线的大小、形态、等离子体密度的控制区域等，可以对加热单元140c进行多种变形。
[0069]以上的详细的说明对本发明进行了例示。此外，前述的内容对本发明的优选的实施方式进行了示出和说明，本发明可以在多种不同的组合、变更、以及环境下使用。即可以在本说明书公开的发明的概念的范围、与记载的公开内容均等的范围和/或本领域的技术或知识的范围内进行变更或修正。记载的实施例只是对用于实现本发明的技术思想的最佳的状态进行说明，可以进行本发明的具体的应用领域以及用途所要求的多种变更。因此，以上的发明的详细说明并不是要用公开的实施方式来限制本发明。此外，应理解为所附的权利要求书还包括其它实施方式。
[0070]附图符号说明
[0071]10:基板处理装置；
[0072]100:腔室；
[0073]200:支撑单元；
[0074]300:气体供给单元；
[0075]400:等离子体源；
[0076]500:阻板单元；
[0077]120:电介质组件；
[0078]122:电介质窗；
[0079] 140:加热单元。
【主权项】
1.一种基板处理装置，包括: 腔室，其内部具有上面开放的处理空间， 支撑单元，其配置于所述腔室内，用于支撑基板， 电介质组件，其配置于所述腔室的开放的上面，并覆盖所述开放的上面，以及等离子体源，其位于所述电介质组件的上侧，并具有由供给至所述腔室内的气体产生等离子体的天线； 其中，所述电解质组件包括: 电介质窗；以及 加热单元，其由非金属材质构成，配置于电介质窗的上部面，用于对所述电介质窗进行加热。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 从上部观察时，所述电介质窗被划分为与所述天线对向的第I区域，以及不与所述天线对向的第2区域， 所述加热单元提供至所述第2区域。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 从上部观察时，所述电介质窗被划分为与所述天线对向的第I区域，以及不与所述天线对向的第2区域， 在加热单元以能够分别独立地控制所述第I区域和所述第2区域的方式提供。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中， 所述加热单元包括薄膜型碳加热膜。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中， 所述非金属材质包括碳纳米管。
6.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中所述电介质组件进一步包括: 冷却线，其用于冷却电介质窗。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中， 从上部观察时，所述冷却线以与所述天线对向的方式提供。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 所述加热单元被划分为多个区域，并对划分出的多个区域进行独立地进行控制。
【专利摘要】本发明涉及一种基板处理装置；更详细地说，涉及一种利用等离子体的基板处理装置。根据本发明一实施例的基板处理装置包括：腔室、支撑单元、电介质组件以及等离子体源。本发明的基板处理装置通过采用非金属加热器，能够使施加于上部天线的RF耦合效应最小化；并且能够考虑到天线的形状，而对加热区域进行个别的体现，从而具有能够使天线下部的发热部位和其它区域的温度梯度相适应的极佳的效果。
【IPC分类】H01J37-32
【公开号】CN104599929
【申请号】CN201410601584
【发明人】金炯俊, 金承奎
【申请人】细美事有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年10月31日
【公告号】US20150114565