103]接下来，从工艺气体源10向腔室3内导入等离子切割用的工艺气体，并通过减压机构12排气，将腔室3内维持在给定压力。之后，从第I高频电源9A对天线8提供高频电力来使腔室3内产生等离子，使等离子照射从盖19的窗部19b露出的晶片2。这时，从第2高频电源2B对偏置电极27施加偏置电压。另外，用冷却装置16冷却包括电极部13在内的机台11。在晶片2的从掩模露出的部分(切割道)，通过等离子中的自由基和离子的物理化学的作用来从表面2a除去到背面2b，将晶片2分割为个别的芯片(单片化)。
[0104]在等离子切割中，盖19暴露于等离子下而被加热。但是，盖19由热传导性良好的材料构成，环状突部19c通过基于第2静电吸附电极25的静电吸附而被按压在静电卡盘17的上表面。为此，能将在盖19产生的热释放到被冷却装置16冷却的机台11。换言之，在等离子切割中，盖19通过向机台11的热传导而被冷却。
[0105]在等离子切割中，晶片2通过第I静电吸附电极24隔着保持片5静电吸附在静电卡盘17的上表面，框架6和保持片5通过第2静电吸附电极25静电吸附在静电卡盘17的上表面。为此，在等离子切割中，能将在晶片2、框架6、以及保持片5产生的热释放到被冷却装置16冷却的机台11。换言之，等离子切割中、晶片2、框架6、以及保持片5通过向机台11的热传导而被冷却。
[0106]如以上那样，通过向机台11的热传导对暴露在等离子下而被加热的盖19自身进行冷却，此外通过向机台11的热传导也对晶片2、框架6、以及保持片5进行冷却，由此能有效果地防止来自盖19的辐射热给搬运载体5(薄片、框架、晶片)带来的热损伤。
[0107]在等离子切割后，用第2驱动机构23B驱动第2驱动杆22B来使盖19从降下位置向上升位置移动。之后，用第I驱动机构23A驱动第I驱动杆22A来使搬运载体4从降下位置向上升位置移动，用未图示的搬运机构将搬运载体4从腔室3搬出。
[0108]在本实施方式中，如上述那样，在晶片2的静电吸附使用单极型的第I静电吸附电极24，另一方面对搬运载体4(框架6、保持片5)以及盖19使用双极型的第2静电吸附电极25，由此能提升等离子处理性能和静电吸附性能两者。以下对这一点进行详述。
[0109]晶片2通过单极型的第I静电吸附电极24而静电吸附在静电卡盘17。主要通过库伦力静电吸附的单极型的静电吸附电极，在静电吸附力上弱于双极型。但是，由于单极型的静电吸附电极能均匀吸附晶片整面，因此在等离子处理性能的点上优于主要通过流过保持片5以及晶片2的背面的电流所引起的约翰逊-拉贝克力静电吸附的双极型。例如，在进行等离子切割的情况下，将晶片2单片化的前后的吸附力变动、和局部的吸附力的差都是单极型少于双极型。另外，特别在高等离子密度且低偏置功率的自由基反应处于支配性地位的工艺(例如Si蚀刻工艺)的情况下，伴随将晶片2单片化的前后的偏置功率的变化，会出现双极型的静电吸附电极的图案的向基板侧的转印。另一方面，框架6和盖19通过双极型的第2静电吸附电极25静电吸附在静电卡盘17。双极型的静电吸附电极虽然在等离子处理性能的点上逊于单极型，但静电吸附力强过单极型。即，在本发明中，在给等离子处理性能直接带来影响的晶片2的静电吸附中使用单极型的第I静电吸附电极24，另一方面，对与晶片2相比带给等离子处理性能的影响更少的搬运框架6和盖19，使用静电吸附力强的双极型的第2静电吸附电极25。其结果，能提升等离子处理性能和静电吸附性能两者。通过静电吸附性能的提升，能通过向机台的传热有效果地冷却搬运载体4和盖19，能减少来自盖19的辐射热所引起的损伤。
[0110]以下说明本发明的其它实施方式。在这些实施方式的说明中，未特别提到的构成和动作与第I实施方式相同。
[0111](第2实施方式)
[0112]在图6所示的第2实施方式中，去除了偏置电极27和第2高频电源9B，从电源29对第I静电吸附电极24施加在直流电压叠加了作为偏置电压的高频电压而得到的电压。通过去除第2高频电源9B，能简化静电卡盘17的构成。
[0113](第3实施方式)
[0114]在图7所示的第3实施方式中，第2静电吸附电极25仅配置在包含静电卡盘17中的隔着保持片5载置框架6的区域、和晶片2与框架6间的载置保持片5的区域的区域(图7中以标号A3表示)。S卩，在静电卡盘17中的降下位置的盖19所抵接的区域(图7中以标号A4表不)不设第2静电吸附电极25,盖19相对于静电卡盘17没有被静电吸附。在等离子处理中，通过第2驱动机构23B让盖19被向机台11侧推挤，由此将环状突部19c的接触面19d按压在静电卡盘17的上表面。
[0115]本发明并不限定于所述实施方式的构成，能进行各种变更。
[0116]例如，能采用通过使机台11相对于固定在腔室3内的盖19升降，来使盖19相对于机台11接触分离的构成。
[0117]另外，以ICP型的干式蚀刻装置为例说明了本发明，但本发明还能运用在平行平板型的干式蚀刻装置中。另外，本发明还能运用在限定为干式蚀刻装置的CVD装置这样的其它等离子处理装置中。
【主权项】
1.一种等离子处理装置，对保持在具备框架和保持片的搬运载体的基板进行等离子处理， 所述等离子处理装置具备: 腔室，其有能减压的内部空间； 工艺气体提供单元，其对所述内部空间提供工艺气体； 减压单元，其对所述内部空间进行减压； 等离子产生单元，其使所述内部空间产生等离子； 机台，其设置在所述腔室内，具有载置所述搬运载体的电极部； 单极型的第I静电吸附电极，其内置在所述电极部中的第I区域，该第I区域是隔着所述保持片载置所述基板的区域； 双极型的第2静电吸附电极，其内置在所述电极部中的第2区域，该第2区域至少包含隔着所述保持片载置所述框架的区域、和所述基板与所述框架间的载置所述保持片的区域，所述双极型的第2静电吸附电极被施加直流电压。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中， 所述等离子处理装置还具备: 冷却板，其冷却所述电极部。
3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其中， 所述等离子处理装置还具备盖，该盖具有: 主体，其覆盖载置于所述电极部的所述搬运载体的所述保持片和所述框架；和窗部，其在厚度方向上贯通所述主体而形成，使保持在载置于所述电极部的所述搬运载体的所述基板露出于所述内部空间， 所述盖能与所述机台接触分离。
4.根据权利要求2或3所述的等离子处理装置，其中， 所述第2区域包含所述盖与所述电极部相接的区域。
5.根据权利要求2或3所述的等离子处理装置，其中， 所述第2区域不含所述盖与所述电极部相接的区域， 所述等离子处理装置还具备: 夹紧机构，其将所述盖相对于所述机台按压。
6.根据权利要求1?3中任一项所述的等离子处理装置，其中， 对所述第I静电吸附电极施加直流电压。
7.根据权利要求1?3中任一项所述的等离子处理装置，其中， 对所述第I静电吸附电极施加在直流电压上叠加高频电压而得到的电压。
8.一种等离子处理方法，是保持在具备框架和保持片的搬运载体的基板的等离子处理方法， 将保持所述基板的所述搬运载体搬入到等离子处理装置的腔室内并载置在机台的电极部， 以内置在所述电极部的单极型的第I静电吸附电极静电吸附所述基板， 以内置在所述电极部的双极型的第2静电吸附电极至少静电吸附所述框架和所述保持片，使所述腔室内产生等离子来对所述基板施予等离子处理。
【专利摘要】本发明涉及等离子处理装置以及等离子处理方法。提升等离子处理装置中的等离子处理性能和静电吸附性能两者。干式蚀刻装置(1)将保持在具备框架(6)和保持片(5)的搬运载体(4)的晶片(2)作为处理对象。机台(11)的电极部(13)具备静电卡盘(17)。在静电卡盘(17)的上表面近旁内置第1静电吸附电极(24)和第2静电吸附电极(25)。第1静电吸附电极(24)是单极型，隔着保持片(5)静电吸附晶片(2)。第2静电吸附电极(25)是双极型，隔着保持片(5)静电吸附框架(6)，并静电吸附晶片(2)与框架(6)间的保持片(5)。
【IPC分类】H01L21-311, H01J37-32
【公开号】CN104616958
【申请号】CN201410594299
【发明人】置田尚吾
【申请人】松下知识产权经营株式会社
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年10月29日
【公告号】US20150122776