一电极20上的电荷量。
[0051]作为本发明的第二个方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括:
[0052]将阵列基板划分为多个检测单元；
[0053]在每个所述检测单元内形成包括第一电极的图形；
[0054]形成包括能够导电的反射层的图形；
[0055]形成光电转换结构；其中，所述反射层的朝向所述光电转换结构的表面为反射面。
[0056]形成包括能够导电的反射层的图形的步骤可以包括:在所述第一电极上方形成导电膜层。具体可以先在第一电极上沉积制作反射层的导电材料，之后通过光刻构图工艺形成包括反射层的图形。
[0057]如上文中所述，所述反射层还可以与所述第一电极形成为一体结构。
[0058]具体地，形成所述第一电极的材料包括能够导电的金属氧化物，形成包括能够导电的反射层的步骤包括:
[0059]向反应腔室通入还原性气体，以使得所述金属氧化物中的部分金属单质析出。
[0060]具体地，所述金属氧化物为氧化铟锡。当形成所述第一电极的材料包括氧化铟锡时，所述还原性气体可以为氢气，氢气与氧化铟锡发生还原反应，以使得所述氧化铟锡中的部分锡单质析出，锡单质在第一电极的表面形成为所述反射层。
[0061]当然，所述第一电极也可以为其他金属氧化物，如氧化铟锌(IZO)，通入用于还原出锌单质的还原性气体，使得氧化铟锌中的锌单质析出，形成所述反射层。
[0062]具体地，向反应腔室内通入氢气时，工艺参数为:氢气的气体流量为:20?500sccm，通入时间为:10?200s，反应腔室的气压为:100?300mT，反应腔室的用于形成等离子体的电极功率为:400?800W。
[0063]在工艺过程中，可以通过调节各个工艺参数来控制所述金属单质的析出状况，例如，通过调节各参数使得析出金属单质后，第一电极和金属单质形成的一体结构的光透过率为未析出金属单质时第一电极的光透过率的20%?30%。
[0064]优选地，所述氢气的气体流量为200sccm，通入时间为100s，反应腔室的气压为200mT，反应腔室的用于形成等离子体的电极功率为600W。
[0065]进一步地，在每个所述检测单元内形成包括第一电极的图形的步骤之前还包括:在每个所述检测单元内形成薄膜晶体管；
[0066]在所述薄膜晶体管上方形成绝缘层；
[0067]在所述绝缘层上对应于薄膜晶体管的源极的位置形成过孔，以使得第一电极与所述薄膜晶体管的源极相连。
[0068]具体地，首先，在基底上形成包括栅极的图形。即在基底上形成栅金属层，然后通过构图工艺形成包括栅极的图形。所述阵列基板还可以包括栅线，所述栅线可以和栅极同步形成；
[0069]然后，形成包括源极和漏极的图形。形成栅极后，可以先沉积栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上形成源漏金属层，再通过光刻构图工艺形成源、漏电极；
[0070]再次，形成绝缘层，并在绝缘层上对应于源极的位置形成过孔，该过孔用于连接第一电极和源极。在形成第一电极时，首先沉积第一电极材料层，由于过孔设置在对应于源极的位置，因此第一电极材料层会通过过孔与源极相连，之后通过光刻构图工艺形成包括第一电极的图形。
[0071]如上文所述，光电转换结构可以包括第二电极和光电二极管，所述形成光电转换结构的步骤可以包括:
[0072]形成光电二极管，该光电二极管的阴极层与所述第一电极相连；具体可以依次形成N型非晶硅膜层、本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层，然后通过光刻构图工艺形成光电二极管。
[0073]在所述光电二级管的阳极层上方形成包括透明的第二电极的图形。
[0074]以上为对本发明的提供的阵列基板及其制作方法的描述，可以看出，本发明的第一电极和光电转换结构之间设置有反射层，经过光电二极管的入射光线经过反射层的反射后会再次经过光电转换结构，从而提供光线的利用率。并且，本发明可以通过还原性气体将第一电极中的金属单质析出形成反射层，因此不需要引入其他的材料来制作反射层，简化了制作工艺，同时，反射层还可以对薄膜晶体管进行遮挡，无需制作额外的遮光层来保护薄膜晶体管，降低了制作成本。
[0075]作为本发明的第三个方面，提供一种X射线平板探测器，包括上述阵列基板和设置在所述阵列基板的光电转换结构上的X射线转换层60 (如图1所示)。
[0076]X射线转换层60为包括闪烁体的膜层，所述闪烁体经过X射线曝光后能够将X射线光子转换为可见光，所述闪烁体可以为碘化铯。
[0077]当X射线照射所述X射线平板探测器时，X射线转化层可以将X射线转化为可见光，每个检测单元内的光电转换结构可以将所述可见光转换为电信号。阵列基板的驱动电路通过提供驱动信号逐行打开阵列基板上的薄膜晶体管，从而逐行检测阵列基板上的检测单元的信号。由于本发明所提供的阵列基板可以提高光线的利用率，因此包括所述阵列基板的X射线平板探测器的检测精度也相应提高。
[0078]作为本发明的第四个方面，提供一种摄像系统，包括上述X射线平板探测器和显示装置。该摄像系统应用于医疗检查中，X射线平板探测器所检测的电信号可以传输至控制装置(如计算机)中，控制装置将电信号转换为图像信号，并控制显示装置进行显示相应的图像，从而直观地看出X射线的分布。由于本发明中的X射线平板探测器的检测精度较高，因此所述摄像系统中所显示的图像更加清晰准确。
[0079]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个检测单元，每个所述检测单元内均设置有第一电极和光电转换结构，所述光电转换结构与所述第一电极电连接，其特征在于，所述第一电极和所述光电转换结构之间还包括有能够导电的反射层，所述反射层朝向所述光电转换结构的表面为反射面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层为与所述第一电极电相连的导电膜层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层与所述第一电极形成为一体结构。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，制成所述第一电极的材料包括能够导电的金属氧化物，所述反射层由对所述第一电极的朝向所述发光转换结构的表面进行还原反应得到的金属单质形成。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物为氧化铟锡，所述反射层由对所述氧化铟锡进行还原反应得到的锡单质形成。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，每个所述检测单元中还包括一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述第一电极之间设置有绝缘层，所述绝缘层上与所述薄膜晶体管的源极相对应的位置设置有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的源极相连。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换结构包括光电二极管和第二电极，所述光电二极管的阴极层与所述第一电极相连，所述光电二极管的阳极层与所述第二电极相连。
8.—种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 将阵列基板划分为多个检测单元； 在每个所述检测单元内形成包括第一电极的图形； 形成包括能够导电的反射层的图形； 形成光电转换结构；其中，所述反射层的朝向所述光电转换结构的表面为反射面。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成包括能够导电的反射层的图形的步骤包括: 在所述第一电极上方形成导电膜层。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述反射层与所述第一电极形成为一体结构。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一电极的材料包括能够导电的金属氧化物，形成包括能够导电的反射层的步骤包括: 向反应腔室通入还原性气体，以使得所述金属氧化物中的部分金属单质析出。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物为氧化铟锡。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述还原性气体为氢气。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述氢气的气体流量为:20?500sccm，通入时间为:10?200s，反应腔室的气压为:100?300mT，反应腔室的用于形成等离子体的电极功率为:400?800W。
15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述氢气的气体流量为200sCCm，通入时间为100s，反应腔室的气压为200mT，反应腔室的用于形成等离子体的电极功率为600ffo
16.根据权利要求8至15中任意一项所述的制作方法，其特征在于，在每个所述检测单元内形成包括第一电极的图形的步骤之前还包括:在每个所述检测单元内形成薄膜晶体管； 在所述薄膜晶体管上方形成绝缘层； 在所述绝缘层上对应于薄膜晶体管的源极的位置形成过孔，以使得第一电极与所述薄膜晶体管的源极相连。
17.根据权利要求8至15中任意一项所述的制作方法，其特征在于，所述形成光电转换结构的步骤包括: 形成光电二极管，该光电二极管的阴极层与所述第一电极相连； 在所述光电二极管的阳极层上方形成包括透明的第二电极的图形。
18.—种X射线平板探测器，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板和设置在所述阵列基板的光电转换结构上的X射线转换层。
19.一种摄像系统，其特征在于，包括权利要求18所述的X射线平板探测器和显示装置。
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器和摄像系统，所述阵列基板被划分为多个检测单元，每个所述检测单元内均设置有第一电极和光电转换结构，所述光电转换结构与所述第一电极电连接，其中，所述第一电极和所述光电转换结构之间还包括有能够导电的反射层，所述反射层朝向所述光电转换结构的表面为反射面。本发明的阵列基板能够提高光线的利用率，使得X射线平板探测器的检测精度提高。
【IPC分类】H01L27-146
【公开号】CN104637970
【申请号】CN201510095303
【发明人】舒适, 高锦成, 徐传祥, 张锋
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年3月3日