Oled显示装置及其制备方法

文档序号:8320793阅读:162来源:国知局
Oled显示装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]采用OLED (Organic Light-Emitting D1de,有机发光二极管)的显示器是一种新兴的平板显示器件,由于其制备工艺简单、成本低、响应速度快、易于实现彩色显示和大屏幕显示、功耗低、容易实现和集成电路驱动器的匹配、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄且易于实现柔性显示等优点,因此具有广阔的应用前景。
[0003]如图1所示,图1为现有技术中的OLED显示装置的结构示意图,现有技术中的OLED显示装置通常包括阵列基板01和设置在所述阵列基板01上的OLED器件02,其中沿远离阵列基板方向,OLED器件02依次包括:阳极021、平坦化层022、空穴注入层023、空穴传输层024、有机发光层025、电子传输层026、电子注入层027和阴极028,上述阳极021 —般采用ITO制备。由于阳极021和阵列基板01之间存在微腔结构,而ITO制备的阳极与阵列基板01之间存在较高的微腔效应,使得光照射在阵列基板上时,会有部分光发生全反射,进而使得OLED显示装置对光的转换效率降低,导致OLED显示装置出射的光强度低。

【发明内容】

[0004]本发明实施例提供了一种OLED显示装置及其制备方法,用以降低微腔效应,提高OLED显示装置的出光强度。
[0005]为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
[0006]本发明提供了一种OLED显示装置,包括:阵列基板、设置在所述阵列基板上的OLED器件,所述OLED器件沿远离阵列基板的方向依次包括:阳极,有机发光层和阴极,还包括:
[0007]位于所述阵列基板和所述阳极之间的折射层,所述折射层的折射率大于所述阳极的折射率。
[0008]本发明实施例提供了一种OLED显示装置,通过设置折射层,且折射层的折射率大于OLED器件中的阳极的折射率,以减少光线照射在阵列基板上的全反射现象的发生,从而降低微腔效应,使得光线尽可能多的从阵列基板表面折射出,提高OLED显示装置发光强度。
[0009]在一些可选的实施方式中,所述折射层的折射率为1.55?2.55。
[0010]在一些可选的实施方式中,所述折射层的材料具体包括:15%?25%的玻璃粉,5%?20%的树脂,以及40%?70%的溶剂。
[0011]在一些可选的实施方式中,所述玻璃粉包括:三氧化二铋和氧化硼。
[0012]在一些可选的实施方式中,所述树脂为纤维素树脂。
[0013]在一些可选的实施方式中,所述纤维素树脂包括:甲基纤维素、乙基纤维素、羧乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素中的一种或多种。
[0014]在一些可选的实施方式中,所述溶剂包括:松油醇、2,2,4-三甲基-1,3戊二醇单异丁酸酯、二甘醇丁醚醋酸酯、二丙醚、二乙二醇单丁醚、1,2丙二醇碳酸酯、乙二醇碳酸酯、邻二硝基苯、间二硝基苯、四甘醇二甲醚、乙二醇苯醚、磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯中的一种或多种。
[0015]本发明还提供了一种OLED显示装置的制备方法,包括:
[0016]通过涂布工艺在阵列基板上形成折射层,其中,所述折射层的折射率大于所述阳极的折射率;
[0017]依次通过真空烘烤工艺和烧结工艺对所述折射层进行干燥和固化处理;
[0018]在所述折射层上形成OLED器件。
[0019]在一些可选的实施方式中,所述依次通过真空烘烤工艺和烧结工艺对所述折射层进行干燥和固化处理具体包括:
[0020]以80?120°C的温度烘烤所述折射层10?30分钟使所述折射层干燥;
[0021]在氮气环境下,以400?450°C烧结所述折射层60?180分钟使所述折射层固化。
【附图说明】
[0022]图1为现有技术中的OLED显示装置的结构示意图;
[0023]图2为本发明实施例提供的OLED显示装置的结构示意图;
[0024]图3为本发明实施例提供的OLED显示装置的光线传播示意图;
[0025]图4本发明实施例提供的OLED显示装置的制备方法流程图。
[0026]附图标记:
[0027]01-阵列基板02-0LED器件
[0028]021-阳极022-平坦化层
[0029]023-空穴注入层024-空穴传输层
[0030]025-有机发光层026-电子传输层
[0031]027-电子注入层028-阴极
[0032]1-阵列基板2-折射层
[0033]3-0LED 器件31-阳极
[0034]32-平坦化层33-空穴注入层
[0035]34-空穴传输层35-有机发光层
[0036]36-电子传输层37-电子注入层
[0037]38-阴极
【具体实施方式】
[0038]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明专利保护的范围。
[0039]如图2和图3所示,其中:图2为本发明实施例提供的OLED显示装置的结构示意图,图3为本发明实施例提供的OLED显示装置的光线传播示意图,本发明提供了一种OLED显示装置,包括:阵列基板1、设置在阵列基板I上的OLED器件3,OLED器件3沿远离阵列基板I的方向依次包括:阳极31,有机发光层35和阴极38,还包括:
[0040]位于阵列基板I和阳极31之间的折射层2,折射层2的折射率大于阳极31的折射率。
[0041]本发明实施例提供的OLED显示装置,通过设置折射层2,且折射层2的折射率大于OLED器件中的阳极31的折射率,以减少光线照射在阵列基板I上的全反射现象的发生,从而降低微腔效应,使得光线尽可能多的从阵列基板表面折射出(如图3所示),提高OLED显示装置发光强度。
[0042]如图2所示,上述OLED显示装置与现有技术中的OLED显示装置类似,OLED显示器件3包括:阳极31、平坦化层32、空穴注入层33、空穴传输层34、有机发光层35、电子传输层36、电子注入层37和阴极38。上述平坦化层可以选择制作也可以不制作。
[0043]优选的,上述折射层2的折射率为1.55?2.55。例如:1.55、1.65、1.7、2.0、2.2、2.4,2.55等,这里就不再一一赘述,光线在阳极和折射层的交界处发生折射时,由于折射层的折射率大于阳极,故光线将全部折射射出,不会发生全反射,而这些光线照射在阵
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