有机发光二极管显示装置及其制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求2013年11月13日提交的韩国专利申请No. 10-2013-01347459的权 益，该专利申请特此W引用方式并入，好像完全在本文中阐述一样。
技术领域
[0002] 本发明设及可通过使用散射层提高发光效率并延长寿命的有机发光二极管显示 装置及其制造方法。
【背景技术】
[0003] 在屏幕上显示各种信息的图像显示装置是信息和通信的核屯、技术并且正逐渐变 薄、变轻、更便携并且性能更高。为了追求延展性和便利，需要柔性显示器，从而控制有机发 射层的发光量的有机发光二极管显示装置近来备受关注。
[0004] 有机发光二极管显示装置包括；基板，薄膜晶体管（TFT)形成在其中；有机发光器 件，形成在基板上；包封层，其形成为使得有机发光显示装置被包围。薄膜晶体管形成在由 交叉形成在基板上的选通线和数据线限定的多个子像素区中的每个中。有机发光器件连接 到形成在各子像素区中的薄膜晶体管。
[0005] 该里，有机发光器件包括第一电极、第二电极W及形成在第一电极和第二电极之 间的有机发射层。通过向第一电极和第二电极添加电场从而注入和传输的电子和空穴在有 机发射层中复合，在有机发射层中形成对的电子和空穴发光，同时从激发态降低至基态。
[0006] 从有机发射层发射的光中只有20%到达外部。因此，为了提高发光效率，采用散 射层。通常，通过将分散颗粒分散在溶剂中或者通过生长纳米线，形成散射层。然而，当如 上所述形成散射层时，不可W连续地得到相同的散射效果。此外，散射层不适于进行批量生 产。
【发明内容】
[0007] 因此，本发明致力于基本上消除了由于相关技术的局限和缺点导致的一个或更多 个问题的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
[000引本发明的目的是提供包括包含含氣材料的散射层的有机发光二极管显示装置及 其制造方法。
[0009] 本发明另外的优点、目的和特征将在随后的描述中部分阐述，对于阅读了下文的 本领域普通技术人员而言部分将变得清楚，或者可通过实践本发明而获知。将通过撰写的 说明书及其权利要求书W及附图中特别指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优 点。
[0010] 为了实现该些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如本文中实施和广义描述 的，一种有机发光二极管显示装置包括；薄膜晶体管，其在基板上；涂敷层，其在所述基板 上，W覆盖所述薄膜晶体管；散射层，其包括氣，并在所述涂敷层上；有机发光单元，其在所 述散射层上，并且包括顺序地层叠的第一电极、有机发射层和第二电极，其中，从所述有机 发光单元发射的光穿过所述散射层并且通过所述基板发射。散射层的材料选自LiF、CsF和 BeFs。
[0011] 在本发明的另一方面，一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括 W下形成步骤；在基板上形成薄膜晶体管；在所述基板上形成涂敷层，W覆盖所述薄膜晶 体管；在所述涂敷层上形成包括氣的散射层；形成有机发光单元，所述有机发光单元包括 顺序地层叠在所述散射层上的第一电极、有机发射层和第二电极，其中，从所述有机发光单 元发射的光穿过所述散射层，然后通过所述基板发射。可进一步包括在形成散射层之后用 紫外线光照射散射层。
[0012] 另外，可进一步包括在形成散射层之后形成光学补偿层W使散射层的上表面平 整。在该种情况下，形成光学补偿层的材料可使用折射率等于或大于第一电极的折射率的 有机材料。
[0013] 要理解，对本发明的W上的总体描述和W下的详细描述都是示例性和说明性的并 且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
【附图说明】
[0014] 附图被包括W提供对本发明的进一步理解，并入且构成本说明书的一部分，附图 示出本发明的实施方式并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
[0015] 图1是根据本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图；
[0016] 图2示出根据本发明的实施方式的根据沉积速率的LiF的表面图像的示例；
[0017] 图3示出根据本发明的实施方式的在向LiF照射UV之前和之后的表面图像的示 例；
[0018] 图4是示出作为参考的有机发光二极管显示装置和根据本发明的实施方式的有 机发光二极管显示装置的效率的曲线图；
[0019] 图5是根据本发明的另一个实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图；
[0020] 图6A至图6E是示出根据本发明的实施方式的制造有机发光二极管显示装置的方 法的过程的剖视图。
【具体实施方式】
[0021] 现在，将详细参照本发明的实施方式，在附图中示出实施方式的示例。在任何可能 的地方，在附图中将始终使用相同的参考标号表示相同或类似的部件。
[0022] 下文中，将参照附图详细描述根据本发明的有机发光二极管显示装置及其制造方 法。
[0023] 图1是根据本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。
[0024] 如图1中所示，根据本发明的有机发光二极管显示装置包括；基板100,薄膜晶体 管（TFT)形成在其中；涂敷层130,其被形成为覆盖薄膜晶体管（TFT);光散射层135,其形 成在涂敷层130上；有机发光单元150,其形成在光散射层135上。该个实施方式和其它实 施方式中的有机发光显示装置的所有组件被可操作地连接和构造。
[0025] 特别地，在基板100上形成薄膜晶体管（TFT)。在图1中，示出使用非晶娃作为半 导体层115的非晶娃薄膜晶体管（非晶娃TFT)。然而，薄膜晶体管可选自使用诸如铜嫁锋 氧化物（IGZO)、锋氧化物狂nO)、铁氧化物（TiO)等氧化物作为半导体层115的氧化物薄膜 晶体管（氧化物TFT)、使用有机材料作为半导体层115的有机薄膜晶体管（有机TFT)、使 用多晶娃作为半导体层115的多晶娃薄膜晶体管（多晶娃TFT)等。
[0026] 薄膜晶体管（TFT)包括栅极105、栅绝缘膜110、半导体层115、源极120a和漏极 120b。栅绝缘膜110设置在栅极105和半导体层115之间，半导体层115与栅极105交叠。 源极120a和漏极12化在半导体层115上彼此分隔开。
[0027] 涂敷层130形成在基板100的整体表面上方，使得薄膜晶体管（TFT)被覆盖。涂 敷层130被形成为使得薄膜晶体管（TFT)被完全覆盖，从而使基板100的上表面平整。尽 管在图中未示出，但可在涂敷层130和薄膜晶体管TFT之间进一步形成无机保护膜。
[002引散射层135设置在涂敷层130上。散射层135被设置成通过散射从有机发光单元 150发射的光，提高有机发光二极管显示装置的发光效率。如上所述，通过将分散颗粒分散 在溶剂中或者通过生长纳米线，形成传统散射层。在该种情况下，不能得到相同的散射效 果，因此该种传统散射层不适于进行批量生产。
[0029] 因此，根据本发明的有机发光二极管显示装置提供用诸如LiF、CsF、BeF2等包括氣 的材料形成的散射层135。当通过热沉积形成作为包括氣的材料的散射层135时，散射层 135的上表面具有不平坦形状并且表面粗趟度根据沉积速率而变化。
[0030] 图2示出根据沉积速率的LiF的表面图像。LiF被形成为随沉积速率而变化的 3000 A的厚度。图3是向LiF照射UV之前和之后的表面图像。
[003U 如图2中所示，当W2 A /s的速率热沉积LiF时，表面粗趟度的均方根（RM巧值是 3. 104皿。然而，当沉积速率升至6 A /s时，RMS值大大增至5. 054皿。由于穿过散射层的光 的散射程度随MS值的增大而增大，因此根据本发明的实施方式的有机发光二极管显示装 置可提高发光效率，而功耗没有额外增大。
[003引特别地，可通过紫外线扣V)照射增加表面粗趟度的MS值。如图3中所示，通过 在散射层中照射波长为265nm的UV五分钟，RMS值从5. 054nm增大至6. 887nm。该现象是 由包括氣的材料彼此附聚（agglomerate)造成的，从而散射层135的颗粒尺寸增大。
[0033] 另外，散射层135的厚度优选地在1000 A至4000 A的范围内。当散射层135的厚 度太薄时，散射层135的表面不平坦处的高度太低，如此，散射层135没有得到足够的散射 效果。
[0034] 再参照图1，包括第一电极150a、有机发光层15化和第二电极150c的有机发光单 元150形成在散射层135上。特别地，第一电极150a电连接到通过接触孔露出的漏极12化。 第一电极150a形成为阳极，由诸如锡氧化物（TO)、铜锡氧化物（IT0)、铜锋氧化物（IZ0)、铜 锡锋氧化物（ITZ0)等透明导电材料形成。
[0035] 在第一电极150a上，形成具有堤孔的堤绝缘膜160,堤孔将第一电极150a的局部 区域露出。堤绝缘膜160防止除了发光区之外的区域中漏光。有机发光层15化形成在堤 孔中并且第二电极150c形成在有机发光层15化上。第二电极150c形成为阴极，由诸如侣 (A1)的反射性金属材料形成，并且将有机发光层15化产生的光在基板100的方向上反射。
[0036] 在该种有机发光装置中，当在第一电极150a和第二电极150c之间施加电压时，来 自第一电极150a的空穴和来自第二电极150c的电子被注入发光层19化中并且在发光层 19化中复合，从而产生激子。另外，当激子降低至基态时，发射的光在有机发光单元150的 下部中穿过散射层135,然后通过基板100发射到外部。
[0037] 根据本发明的有机发光二极管显示装置用包括氣的材料形成散射层，如此，可提 高发光效率，而功耗没有额外增大。尤其是，通过在形成散射层之后进一步照射紫外线 扣V)，散射层的表面粗趟度MS值可进一步增大。
[003引图4是示出作为参考的有机发光二极管显示装置和根据本发明的实施方式的有 机发光二极管显示装置的效率的曲线图。该里，作为参考的有机发光二极管显示装置是不 包括散射层的有机发光二极管显示装置。根据本发明的实施方式的有机发光二