进行曝光，以减小所述紫外固化胶带的粘性；
[0043]实际应用中，一般采用曝光机对晶圆的P面进行曝光，将光罩上的电路图印在晶圆上，曝光后的部分可以径蚀刻移除，以留下负光阻。
[0044]104、去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上；
[0045]其中，去除所述紫外固化胶带，能够使所述多个晶粒按照所述多个晶粒在所述紫外固化胶带的排列方式阵列在所述蓝膜胶带上，即保持上述多个晶粒原先的排列方式不变，将这些晶粒转移至蓝膜胶带上。
[0046]本发明实施例中，通过在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带，对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，然后去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上，实现提高切割晶圆速度，以及高效、准确的将晶粒阵列在蓝膜胶带上，提高晶粒电气特性的稳定性，并应用于封装线自动取料，有效提高生产效率和产品品质，及降低生产成本。
[0047]上面对本发明实施例中一种晶圆处理工艺进行详细描述，下面对本发明实施例中一种晶圆处理装置进行详细说明，请参阅图2和图3，本发明实施例包括:
[0048]裂片机1，用于对激光切割后的晶圆进行裂片，以形成分散的多个晶粒；
[0049]点胶机2，用于在上述裂片机I裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带；
[0050]曝光机3，用于对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，以减小所述紫外固化胶带的粘性；
[0051]除胶机4，用于去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上。
[0052]本发明实施例中，通过点胶机2在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带，曝光机3对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，然后除胶机4去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上，实现提高切割晶圆速度，以及高效、准确的将晶粒阵列在蓝膜胶带上，提高晶粒电气特性的稳定性，并应用于封装线自动取料，有效提高生产效率和产品品质，及降低生产成本。
[0053]进一步，所述除胶机4具体用于:
[0054]去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒按照所述多个晶粒在所述紫外固化胶带的排列方式阵列在所述蓝膜胶带上。
[0055]进一步，所述装置还包括:
[0056]切割机5，用于对所述晶圆的P面进行预切割，以在所述P面形成多个切割道，所述预切割的方式包括激光切割或蚀刻。
[0057]进一步，所述裂片机I具体用于:
[0058]分别从所述多个切割道对所述晶圆进行裂片操作。
[0059]进一步，所述装置还包括:
[0060]研磨机6，用于在对所述晶圆进行预切割之前对所述预切割后的晶圆进行研磨。
[0061]以上对本发明所提供的一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种晶圆处理工艺，其特征在于，晶圆包括P面和N面，包括: 对激光切割后的晶圆进行裂片，以形成分散的多个晶粒； 在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在所述N面覆盖粘贴蓝膜胶带； 对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，以减小所述紫外固化胶带的粘性； 去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述去除所述紫外固化胶带具体包括: 去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒按照所述多个晶粒在所述紫外固化胶带的排列方式阵列在所述蓝膜胶带上。
3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，所述方法还包括: 对所述晶圆的P面进行预切割，以在所述P面形成多个切割道，所述预切割的方式包括激光切割或蚀刻。
4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述对切割后的晶圆进行裂片具体包括: 采用裂片机分别从所述多个切割道对所述晶圆进行裂片操作。
5.根据权利要求3或4所述的工艺，其特征在于，所述对所述晶圆的N面进行预切割之前还包括: 对所述晶圆进行研磨。
6.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括: 裂片机，用于对切割后的晶圆进行裂片，以形成分散的多个晶粒； 点胶机，用于在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带； 曝光机，用于对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，以减小所述紫外固化胶带的粘性； 除胶机，用于去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述除胶机具体用于: 去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒按照所述多个晶粒在所述紫外固化胶带的排列方式阵列在所述蓝膜胶带上。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括: 切割机，用于对所述晶圆的P面进行预切割，以在所述P面形成多个切割道，所述预切割的方式包括激光切割或蚀刻。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述裂片机具体用于: 分别从所述多个切割道对所述晶圆进行裂片操作。
10.根据权利要求8或9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括: 研磨机，用于在对所述晶圆进行预切割之前对所述晶圆进行研磨。
【专利摘要】本发明实施例公开了一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置，所述工艺包括：对激光切割后的晶圆进行裂片，以形成分散的多个晶粒；在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带，及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带，对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光，然后去除所述紫外固化胶带，以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上，实现提高切割晶圆速度，以及高效、准确的将晶粒阵列在蓝膜胶带上，提高晶粒电气特性的稳定性，并应用于封装线自动取料，有效提高生产效率和降低生产成本。
【IPC分类】H01L21-02, H01L21-67
【公开号】CN104658888
【申请号】CN201510030539
【发明人】汪良恩, 张小明, 熊永平
【申请人】安徽安芯电子科技有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年1月21日