用于产生光发射的照明装置和用于产生光发射的方法_3

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积或喷射涂层(Spraycoaten)被施加到半导体芯片 304 上。
[0084] 第二转换体318至少部分地围绕透镜314布置或者基本上完全包围透镜314,如在 图3中所示的实施例中所示。在该实施例中,第二转换体318的材料W外罩的形式施加、例 如被制模在透镜314周围。
[0085] 照明装置400的在图4中所示的实施例包括光源402,该光源包括具有蓝色半导体 芯片404和封装406的发光二极管部件。基质材料412被容纳在封装406的空腔408中。 在该实施例中,该空腔408利用基质材料410来加W德注。透镜414可W布置在封装406 上空腔408的区域中。
[0086] 在该实施例中,第一转换体416施加在半导体芯片404上,被设立用于完全转换或 近似完全转换(在谱中的蓝色分量有利地小于大约5%)。第一转换体416可W例如通过层转 移化ayertransfer)、体积德注、电泳淀积或喷射涂层(Spraycoaten)被施加到半导体芯片 404上。第二转换体418的材料被包含在透镜414中。
[0087] 照明装置500的在图5中所示的实施例包括光源,该光源包含布置在衬底504上 的蓝色半导体芯片(例如发光二极管芯片巧06。第一转换体508布置在芯片506上,第二转 换体510布置在第一转换体508上。透镜512可W布置在第二转换体508上方。第一转换 体508可W例如借助层转移化ayertransfer)、电泳淀积或喷射涂层(Spraycoaten)被施加 到衬底504上,用于完全转换或近似完全转换。透镜512例如可W被制模到衬底504上。
[0088] 照明装置600的在图6中所示的实施例包括光源,该光源具有布置在衬底604上 的蓝色半导体芯片(例如发光二极管芯片)606。第一转换体608布置在芯片606上,透镜 612可W布置在第一转换体608上方。第二转换体610的材料可W包含在透镜612中。
[0089] 照明装置700的在图7中所示的实施例包括光源,该光源具有布置在衬底704上 的蓝色半导体芯片(例如发光二极管芯片)706。第一转换体708布置在芯片706上,透镜 712可W安装或布置在第一转换体708上方。第二转换体714至少部分地围绕透镜712布 置或者基本上完全包围透镜712,如在图7中所示的实施例所示。在该实施例中,第二转换 体714的材料W外罩的形式被施加例如被制模在透镜712周围。
[0090] 照明装置800的在图8中所示的实施例包括光源,该光源具有布置在衬底804上 的蓝色半导体芯片(例如发光二极管芯片)806。第一转换体808布置在半导体芯片806上, 并且第二转换体810横向上与半导体芯片806错开地布置在衬底804上。该能够有利地实 现;第二转换体810可W被有效地冷却。在实施例中,衬底804例如可W由银制成,其可W 具有高反射率并且可W同时具有良好的导热性。有利地,该衬底、例如银衬底可W在L邸封 装的下侧中禪合到(例如由铜制成的)冷却体上。
[0091] 陶瓷衬底例如可W被用做在上面参照图5至图8所描述的实施例中的衬底(嵌 板)。示例性的透镜材料是娃丽。该衬底例如可W由氧化铅、氮化铅或者氧化铅纪制成。
[0092] 有利地例如可W使用下面的材料来作为在所描述的实施例中的透镜材料: 聚丙帰酸醋、聚帰姪(例如带有高或低密度的聚己帰(PE)或聚丙帰(PP))、聚氯己帰 (PVC)、聚苯己帰(PS)、涂绝、聚碳酸醋(PC)、聚对苯二甲酸己二醇醋(PET)、聚離讽树脂 (PES)、聚蔡二甲酸己二醇醋(PEN)、聚甲基丙帰酸甲醋(PMMA)、聚醜亚胺(PI)、聚離離丽 (阳邸)、聚醜胺、例如聚邻苯二甲醜胺(PPA)、聚对苯二甲酸1,4-环己焼对二甲醇醋(PCT)、 娃丽、环氧树脂或者液晶聚合物(liquid crystalline polymer LCP)。
[0093] 在其他实施例中,第二转换体可W作为与光源和第一转换体分开的部件来构造。 因此,第二转换体可W应用在所述的远程方案中。
[0094] 该些实施例在具有在蓝色和白色范围中的粟浦波长的有机发光二极管(0LED)的 情况下是可能的,例如对于第一转换体具有蓝色和白色作为粟浦波长,W及于是直接对于 第二转换体的红-红转换具有红色作为粟浦波长。
[0095] 在所描述的实施例中,第一转换体例如可W被设立用于发射在大约580nm至大约 650nm范围中的光,例如具有小于大约610nm的支配波长。由照明装置总地发射/转换的光 例如可W具有在从大约610nm至大约625nm范围中的支配波长。第二转换体例如可W在大 约575nm处具有其吸收最大值。在实施例中,来自第一转换体的光具有大约606nm的支配 波长并且总的发射/转换的光的支配波长可W为大约612nm。
[0096] 图9示出通过化惨杂的一个转换体进行完全转换或近似完全转换的传统的红 色LED (曲线900)和带有第二转换体的照明装置的实施例(曲线902)的比较的所测量的 谱。如由图9可见的,第二转换体可W有利地在同时减少带宽的情况下实现发射的红移 (Rotverschiebung)。通过第二转换体,吸收在发射900的短波范围904中的光,并且发射 在发射900的长波范围906中的光。由此,发射902的波长峰值和支配波长相对发射900 长波地推移。没有第二转换体(曲线900),支配波长为大约606nm,波长峰值为大约627nm。 带有第二转换体(曲线902),支配波长为大约612皿,波长峰值为大约629皿。
[0097] 图10示出通过化"惨杂的一个转换体进行完全转换或近似完全转换的传统的红 色LED (曲线1000)和带有第二转换体的照明装置的实施例(曲线1002)的另一比较的所测 量的谱。与图9相比,第一转换体具有更低的浓度。第二转换体又可W有利地在同时减小 带宽的情况下实现发射的红移。没有第二转换体(曲线1000),支配波长为大约605nm,波长 峰值为大约619nm。带有第二转换体(曲线1002),支配波长为大约611nm,波长峰值为大约 626nm。
[009引 图9和图10中的Eu"惨杂的转换体是(Sr, Ba,Ca) 2S巧N8-磯(优选带有大约 0. 5-15%并且尤其是优选大约2-8%的化含量)。在图9中,该转换体W大约32%浓度的 发光材料被使用在体积德注(在封装中的光路大约0. 4mm)中,在图10中W大约25%被使 用在体积德注中。第二转换体是例如在BASF可买到的Lumogen红305 F。大约4mg被溶 解在大约20g娃丽中。该相应于大约O.lg^的浓度。在大约1.5mm的光路情况下的大约 0. 001-大约0. lg/1的浓度例如可W使用在各种实施例中。
[0099] 图11示出通过化"惨杂的仅一个转换体进行完全转换或近似完全转换的传统的 红色LED (曲线1100)和带有第二转换体的照明装置的实施例(曲线1102U104和1106)的 另一比较的所测量的谱。对于曲线1100,测量到大约604nm的支配波长,而对于曲线1102、 1104和1106分别测量到大约610皿、大约607皿和大约608皿的支配波长。
[0100] 对于曲线1100测量出大约624nm的波长峰值、也即具有最高强度的波长,而对于 曲线1102、1104和1106分别测量出大约628皿、大约629皿和大约627皿的支配波长。曲 线1102、1104和1106的实施例中的第二转换体的材料是BASF Lumogen F红305,具有大 约相同的层厚度。
[0101] 图12示出通过仅仅一个转换体进行完全转换或近似完全转换的传统的红色LED 的色坐标推移和带有第二转换体的照明装置的实施例的比较的例子。
[0102] 图13示出通过仅仅一个转换体进行完全转换或近似完全转换的传统的红色LED 的色坐标推移和带有第二转换体的照明装置的实施例的另一比较的例子。与图12相比,该 第一转换体在该例子中具有更低的浓度。
[0103] 如由图12和13与图14的比较所示,作为在图12和13中的组1200和1300所示 的实施例的测量值既落入信号灯标准1400 (EN12368)又落入ECE标准1402中。而作为在 图12和13中的组1204和1304所示的带有仅仅一个转换体的L邸的测量值没有达到信号 灯标准1400和ECE标准1402。
[0104] 所描述的实施例可W有利地具有下面一个或多个效应: -可W获得支配波长在大约615皿至大约625皿之间范围中的转换谱。
[0105] -通过低能光子(红色)的第二转换,在蓝光的通常转换的情况下不会具有所需稳 定性的材料(例如有机转换体和半导体纳米颗粒
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