)可W被用于转换。该些材料可明显小 于可见光波长的颗粒大小获得并且由此不会出现另外的散射损失。
[0106] -第一转换体比没有第二转换体时所需的更短波地进行发射。由此在红外范围中 出现更少的发射。
[0107] -可W获得支配波长在大约615nm至大约625nm的范围中的转换谱。
[010引-可W实现比例如带有单磯系统的例子更高的总效率。
[0109] -谱变得更窄，由此实现更好的色饱和度。获得更纯的红色调。
[0110] 在温度上升的情况下视材料系统而定地存在的色坐标推移可W通过第二转换体 被补偿或者至少被最小化。一些转换体、例如磯在较高温度下向黄色推移。此外，在较高温 度下，不被强烈地转换。通过第二转换体例如磯，可W捕获黄色推移（Ge化shift),因为更多 光被吸收并且又被转换成红色。此外，强烈出现的蓝光剩余通过第二转换体被吸收。否则， 在高温度情况下会偏离所力求的颜色范围。
[0111] 用于在所描述的实施例中的第一转换体的可能的、但是非限定性的材料是化"惨 杂的转换体、例如化"惨杂的氮化物例如CaAISiK:; , (Ba, Sr;i 2Si州巧；5u2' i ;化" 惨杂的硫化物、Eu"惨杂的SiAIONe和SiONe。
[0112] 用于在所描述的实施例中的第二转换体的可能的、但是非限定性的材料是有机染 料和英光染料，例如下面的物质类型： 吓巧染料、吓染料、意酿染料、意染料、花色素巧染料、丹醜染料、方帰鐵染料、螺化喃染 料、氣化测二化咯炬0DIP巧、二蔡嵌苯、巧、蔡、黄素、化咯、紫菜碱和其金属络合物，二芳姪 基甲焼染料、H芳基甲焼染料、硝基和亚硝基染料、駄化青染料和駄菁、酿、偶氮染料、說酷 染料、恶嗦染料、尼罗蓝、喔嗦和喔哇、氧杂意、巧、派若宁、若丹明、香豆素的金属络合物。
[0113] 有利的有机材料例如是巧醜亚胺和二蔡嵌苯駿酸。
[0114] 本发明不通过借助实施例的描述而局限于该描述。相反，本发明包括每种新特征 W及特性的每种组合，该尤其是包含在专利权利要求中的特征的每种组合，即使该特征或 该组合本身没有明确地在专利权利要求或实施例中被说明。
【主权项】
1. 用于产生光发射的照明装置，包括： -光源（102, 202, 302,402, 506,606, 706,806)，被设立用于产生具有第一支配波长的 光； -第一转换体（106, 216, 316,416, 508,608, 708,808)，其被设立用于吸收由光源产生 的光，以及发射具有比第一支配波长大的第二支配波长的光；以及 -第二转换体（110, 210, 318,418, 510,610, 714,810)，其被设立用于吸收由第一转换 体发射的光的光分量并且发射光，使得光发射具有大于第二支配波长的第三支配波长。
2. 根据权利要求1所述的照明装置，其中，第一支配波长处于蓝光的谱范围中，第一转 换体将光源的光完全转换成淡黄-红光，并且第二转换体发射在第一转换体的长波范围中 或者在红外范围中的光，其中第一转换体和第二转换体被利用不同的发光材料构成。
3. 根据权利要求1或2所述的照明装置，其中，光分量包含直至第一转换体（106, 216， 316,416, 508,608, 708,808)大约40%的光功率，优选包含直至第一转换体（106, 216, 316， 416, 508,608, 708,808)大约30%的光功率，优选包含直至第一转换体大约20%的光功率。
4. 根据前述权利要求之一所述的照明装置，其中，第二转换体（110,210,318,418， 510,610,714,810)被设立用于发射具有第四支配波长的光，该第四支配波长大于第二支配 波长。
5. 根据前述权利要求之一所述的照明装置，其中，第二转换体（110,210,318,418， 510.610, 714,810)被设立用于吸收由第一转换体发射的光的光分量并且发射光，使得光发 射具有比由第一转换体（106, 216, 316,416, 508,608, 708,808)发射的光更大的波长峰值。
6. 根据前述权利要求之一所述的照明装置，其中，第二转换体（110,210,318,418， 510.610, 714,810)具有比第二支配波长小的粒度或者颗粒大小。
7. 根据前述权利要求之一所述的照明装置，其中，第二转换体（110,210,318,418， 510.610, 714,810)包含有机材料。
8. 根据前述权利要求之一所述的照明装置，还包括： -透镜（214,314,414,512,612,712); -其中第二转换体（418，610)被包含在照明装置的透镜（414，612)中，或者 -其中第二转换体（318,714)至少部分地布置在照明装置的透镜（314,712)周围。
9. 根据前述权利要求之一所述的照明装置，其中， 光源具有带有封装（206, 306,406)的发光二极管部件（202, 302,402)并且 其中该封装（206，306，406 )具有用于容纳第二转换体（210 )的空腔（208，308，408 )。
10. 根据权利要求9所述的照明装置，其中，第二转换体（210)被包含在基质材料（212) 中，该基质材料被容纳在空腔（208)中。
11. 根据权利要求1至10之一所述的照明装置，其中，所述光源包含布置在衬底（504， 604, 704,804)上的芯片（506,606, 706,806)。
12. 根据权利要求11所述的照明装置， -其中第一转换体（508)布置在芯片（506)上；和/或 -其中第二转换体布置（510)布置在第一转换体（508)上。
13. 根据权利要求12所述的照明装置，其中，第二转换体（810)与芯片（806)错开地布 置在衬底（804)上。
14. 根据前述权利要求之一所述的照明装置，其中，第三支配波长在615nm至625nm的 范围中。
15. 用于产生光发射的方法，该方法具有： -通过光源（102,202,302,402,506,606,706,806)产生具有第一支配波长的光； -通过第一转换体（106,216,316,416,508,608,708,808)吸收所产生的光并且发射具 有第二支配波长的光，该第二支配波长大于第一支配波长；以及 -通过第二转换体（110, 210, 318,418, 510,610, 714,810)吸收通过第一转换体发射的 光的光分量并且发射光，使得光发射具有大于第二支配波长的第三支配波长。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中，光分量包含直至第一转换体大约40%的光功 率，优选包含直至第一转换体大约30%的光功率，优选包含直至第一转换体大约20%的光功 率。
17. 根据权利要求15或16之一所述的方法，其中，通过第二转换体（110,210,318， 418, 510,610, 714,810)发射的光具有第四支配波长，该第四支配波长大于第二支配波长。
18. 根据权利要求15至17之一所述的方法，其中，第二转换体（110, 210, 318,418， 510,610, 714,810)具有比第二支配波长小的粒度或者颗粒大小。
19. 根据权利要求18所述的方法，其中，第二转换体（110, 210, 318,418, 510,610, 714， 810)包含有机材料。
20. 根据权利要求15至19之一所述的方法，其中，第三支配波长在615nm至625nm的 范围中。
【专利摘要】在各种实施方式中，提出了用于产生光发射的照明装置（100），包括：光源（102），被设立用于产生带有第一支配波长的光；第一转换体（106），其被设立用于吸收由光源（100）产生的光，以及发射具有比第一支配波长大的第二支配波长的光；以及第二转换体（110），其被设立用于吸收由第一转换体（106）发射的光的光分量并且发射光，使得光发射具有大于第二支配波长的第三支配波长。
【IPC分类】H01L33-50
【公开号】CN104662682
【申请号】CN201380050675
【发明人】I.施托尔, D.艾泽特, B.格茨, R.舒尔茨
【申请人】奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年9月2日
【公告号】DE102012109217A1, DE112013004802A5, US20150252963, WO2014048682A1