4可以在光电子半导体芯片3的背离辅助载体I的上侧3a上与所述光电子半导体芯片齐平结束。
[0070]在接下来的方法步骤中，将转换材料5施加到包封材料4的以及光电子半导体芯片3的背离辅助载体I的上侧上。转换材料例如包括至少一种发光材料。转换材料5可以经由注塑成型、压塑成型、浇注或在浇注中沉淀来施加。
[0071]在转换材料5的下游可以在背离辅助载体I的一侧上设置光学元件9、例如透镜。在施加透镜之前或之后，可以进行成为各个光电子半导体构件10的分割。所述分割例如借助于C02激光器进行，图2C。
[0072]每个光电子半导体构件可以可选地包含ESD (静电放电)保护元件，例如ESD 二极管。ESD 二极管例如可以与光电子半导体芯片3反并联地连接并且对此分别固定在每个装置20的第一接触元件21上。
[0073]结合图3A至3C详细阐述在此描述的方法的另一个实施例。不同于图2A至2C的方法，在所述制造方法的该变型形式中，将凹部7引入到转换材料5中，所述凹部延伸直至进入包封材料4中。所述凹部7在分割之前产生。凹部7随后由包封材料4填充，使得每个单独的光电子半导体构件10的转换材料5沿横向方向由包封材料4包围。包封材料4在此例如可以反射性地构成并且显现为白色。每个光电子半导体构件10的侧面1c因此例如完全通过包封材料4形成。
[0074]光电子半导体芯片例如可以为发光二极管芯片，所述发光二极管芯片没有生长衬底。于是，光电子半导体芯片例如为所谓的薄膜芯片，其中外延生长的半导体层首先在其背离生长衬底的一侧上固定在载体上，并且随后将生长衬底从外延生长的半导体层序列移除。此外，可能的是，光电子半导体芯片是无衬底的二极管，所述无衬底的二极管仅由电接触元件和外延生长的半导体层序列构成。
[0075]结合图4A，根据示意的剖面图描述光电子半导体构件10，所述光电子半导体构件借助在此描述的方法制成。不同于例如结合图3A至3C描述的方法，在此得到下述光电子半导体构件，其中转换材料5仅设置在半导体芯片3的区域中。因此，这例如可以通过下述方式进行，在半导体芯片3上在施加包封材料4时设有留空部，所述留空部随后由转换材料5填充。
[0076]如图4B示出的那样，这种光电子半导体构件10也可以包括光学元件9，如透镜，所述透镜例如可以通过粘接固定在包封材料4和转换材料5上。
[0077]图5和6的不意性俯视图不出光电子半导体构件10，如其结合图4A和4B描述的那样，其中在实施例4中，多个相同类型的光电子半导体芯片3设置在半导体构件10中。
[0078]结合图7A、7B、7C、7D、7E，根据示意性剖面图描述其他的光电子半导体构件，所述光电子半导体构件借助在此描述的方法制造。在图7的实施例中，每个半导体构件10包括两个第一接触元件21和唯一的第二接触元件22。第一接触元件21用于电接触光电子半导体芯片3，所述光电子半导体芯片与接触元件21分别经由接触线17连接。第二接触元件22仅用于热连接光电子半导体芯片3，所述光电子半导体芯片例如也可以电绝缘地粘接到第二接触元件22上。
[0079]光电子半导体芯片3可以为所谓的蓝宝石芯片，其中外延生长的半导体层生长到蓝宝石生长衬底上，所述蓝宝石生长衬底保留在光电子半导体芯片中。此外，可以为薄膜芯片，所述薄膜芯片与两个接触线接触。这种光电子半导体芯片例如在出版物WO2011/157523A1中描述，其在此通过参考并入本文。
[0080]在此，可能的是，包封材料4也覆盖光电子半导体芯片3的侧面3c，如这例如结合图4A、4B、3C或2C示出的那样。替选地，可能的是，如在图7A至7D中示出的那样，包封材料4仅在接触元件21、22的区域中(参见图7A、7B)或者附加地在侧面1c上在凹部7的区域中存在。
[0081]在所述情况下，光电子半导体芯片3在侧面3c上也可以完全由转换材料5包围。这在下述情况下证实为是特别有利的:由光电子半导体芯片3产生的电磁辐射的一大部分通过侧面3c离开光电子半导体芯片3。这例如对于蓝宝石芯片而言情况如此。
[0082]本发明并不限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合自身并未明确地在权利要求中或实施例中予以说明时也如此。
【主权项】
1.一种用于制造多个光电子半导体构件的方法，所述方法具有下述步骤: -提供辅助载体(I); -在所述辅助载体(I)上施加导电的第一接触元件(21)和第二接触元件(22)的多个装置(20)， -在每个装置(20)的所述第二接触元件(22)上分别施加光电子半导体芯片(3)，-将所述光电子半导体芯片(3)与相应的所述装置(20)的所述第一接触元件(21)导电连接， -用包封材料(4)包封所述第一接触元件(21)和所述第二接触元件(22)，并且 -分割成多个光电子半导体构件， 其中 -所述包封材料(4)与每个第一接触元件(21)的朝向所述辅助载体(I)的下侧(21b)齐平结束，并且 -所述包封材料(4)与每个第二接触元件(22)的朝向所述辅助载体(I)的下侧(22b)齐平结束。
2.根据上一项权利要求所述的方法， 其中被分割的所述光电子半导体构件(10)的所有侧面(1c)没有导电的所述第一接触元件(21)和所述第二接触元件(22)。
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中在用所述包封材料(4)包封之前，将多个分离框(6)固定在所述辅助载体(I)上，其中 -每个分离框(6)将导电的第一接触元件(21)和第二接触元件(22)的至少一个装置(20)至少局部侧向地包围，并且 -被分割的所述光电子半导体构件(10)的所述侧面(1c)局部地由所述分离框(6)的部分形成。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所述包封材料(4)至少局部地覆盖每个光电子半导体芯片(3)的侧面(3c)。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所述辅助载体由金属形成，并且所述第一接触元件(21)和第二接触元件(22)生长到所述辅助载体上。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所述第一接触元件(21)和第二接触元件(22)具有底切部(23)。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所述包封材料(4)构成为是反射性的，并且每个光电子半导体芯片(3)的至少背离所述第二接触元件(22)的上侧(3a)没有包封材料(4)。
8.根据上一项权利要求所述的方法， 其中所述包封材料(4)显现为白色。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中在用包封材料(4)包封之后，将转换材料(5)施加在所述光电子半导体芯片(3)的背离所述辅助载体(I)的上侧(3a)上和/或施加在所述包封材料(4)的背离所述辅助载体⑴的上侧(4a)上。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中所述包封材料(4)和/或所述转换材料(5)将所述分离框(6)在其背离所述辅助载体(I)的上侧(6a)上覆盖。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中将凹部(7)局部地引入到所述转换材料(5)中，所述凹部从所述转换材料(5)的背离所述包封材料(4)的上侧(5a)延伸至所述包封材料(4)或者延伸进入到所述包封材料(4)中，并且将所述凹部(7)用包封材料(4)填充。
【专利摘要】提出一种用于制造多个光电子半导体构件的方法，所述方法具有下述步骤：·-提供辅助载体(1)；·-在辅助载体(1)上施加导电的第一接触元件(21)和第二接触元件(22)的多个装置(20)；·-在每个装置(20)的第二接触元件(22)上分别施加光电子半导体芯片(3)；·-将光电子半导体芯片(3)与相应的装置(20)的第一接触元件(21)导电连接；·-用包封材料(4)包封第一接触元件(21)和第二接触元件(22)；和·-分割成多个光电子半导体构件，其中·-包封材料(4)与每个第一接触元件(21)的朝向辅助载体(1)的下侧(21b)齐平结束，并且-包封材料(4)与每个第二接触元件(22)的朝向辅助载体(1)的下侧(22b)齐平结束。
【IPC分类】H01L33-48, H01L33-00
【公开号】CN104737307
【申请号】CN201380054427
【发明人】马丁·布兰德尔, 马库斯·博斯, 马库斯·平德尔, 西蒙·耶雷比奇, 赫贝特·布伦纳, 托比亚斯·格比尔
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年10月14日
【公告号】DE102012109905A1, US20150255313, WO2014060355A2, WO2014060355A3